場效應管和雙極晶體管不同，僅以電子或空穴中的一種載子動作的晶體管,。按照結(jié)構(gòu)、原理可以分為：

．接合型場效應管

．MOS型場效應管

★接合型場效應管（結(jié)型FET）

原 理

N通道接合型場效應管如圖所示,，以P型半導體的柵極從兩側(cè)夾住N型半導體的結(jié)構(gòu),。將PN接合面上外加反向電壓時所產(chǎn)生的空乏區(qū)域用于電流控制,。

N型結(jié)晶區(qū)域的兩端加上直流電壓時，電子從源極流向漏極,。電子所通過的通道寬度由從兩側(cè)面擴散的P型區(qū)域以及加在該區(qū)域上的負電壓所決定,。

加強負的柵極電壓時，PN接合部分的空乏區(qū)域擴展到通道中,，而縮小通道寬度,。因此，以柵極電極的電壓可以控制源極-漏極之間的電流,。

用 途

即使柵極電壓為零,，也有電流流通，因此用于恒定電流源或因低噪音而用于音頻放大器等,。

結(jié)型FET的圖形記號

結(jié)型FET的動作原理（N通道）

★MOS型場效應管

原 理

即使是夾住氧化膜（O）的金屬（M）與半導體（S）的結(jié)構(gòu)（MOS結(jié)構(gòu)），如果在（M）與半導體（S）之間外加電壓的話,，也可以產(chǎn)生空乏層,。再加上較高的電壓時，氧華膜下能積蓄電子或空穴,，形成反轉(zhuǎn)層,。將其作為開關(guān)利用的即為MOSFET。

在動作原理圖上,，如果柵極電壓為零,，則PN接合面將斷開電流，使得電流在源極,、漏極之間不流通,。如果在柵極舊外加正電壓的話，則P型半導體的空穴將從柵極下的氧化膜-P型半導體的表面被驅(qū)逐,，而形成空乏層,。而且，如果再提高柵極電壓的話,，電子將被吸引表表面,，而形成較薄的N型反轉(zhuǎn)層，由此源杖（N型）和漏極（N型）之間連接,，使得電流流通,。

用 途

因其結(jié)構(gòu)簡單、速度快,，且柵極驅(qū)動簡單,、具有耐破壞力強等特征,，而且使用微細加工技術(shù)的話，即可直接提高性能,，因此被廣泛使用于由LSI的基礎(chǔ)器件等高頻器件到功率器件（電力控制器件）等的領(lǐng)域中,。

MOS FET的圖形記號

MOS FET的動作原理（N通道）

常用場效用管

1、MOS場效應管

即金屬-氧化物-半導體型場效應管,，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor
Field-Effect-Transistor）,，屬于絕緣柵型。其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,，因此具有很高的輸入電阻（最
高可達1015Ω）,。它也分N溝道管和P溝道管，符號如圖1所示,。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起,。根據(jù)導電方式的不同，MOSFET又分增強型,、
耗盡型,。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的VGS后,，多數(shù)載流子被吸引到柵極,，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導電溝道,。
耗盡型則是指,，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時,，能使多數(shù)載流子流出溝道,，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止,。

以N溝道為例,，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區(qū)N+和漏擴散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D,。源極與襯底在內(nèi)部連通,，二者總保持等電
位。圖1（a）符號中的前頭方向是從外向電,，表示從P型材料（襯底）指身N型溝道,。當漏接電源正極，源極接電源負極并使VGS=0時,，溝道電流（即漏極電
流）ID=0,。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個擴散區(qū)之間就感應出帶負電的少數(shù)載流子,，形成從漏極到源極的N型溝道,，當VGS大于管子的
開啟電壓VTN（一般約為+2V）時，N溝道管開始導通,，形成漏極電流ID,。

國產(chǎn)N溝道MOSFET的典型產(chǎn)品有3DO1、3DO2,、3DO4（以上均為單柵管）,，4DO1（雙柵管）。它們的管腳排列（底視圖）見圖2,。

MOS場效應管比較“嬌氣”,。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小,，極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電,，而少量電荷就可在極間電容上形
成相當高的電壓（U=Q/C），將管子損壞,。因此了廠時各管腳都絞合在一起,，或裝在金屬箔內(nèi)，使G極與S極呈等電位,，防止積累靜電荷,。管子不用時，全部引
線也應短接,。在測量時應格外小心，并采取相應的防靜電感措施,。

MOS場效應管的檢測方法

（1）．準備工作 測量之前,，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳,。最好在手腕上接一條導線與大地連通,，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開,，然后拆掉導線,。

（2）．判定電極
將萬用表撥于R×100檔，首先確定柵極,。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大,，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測量,，S-D之間的電阻值應為幾百歐至幾千
歐,，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極,，紅表筆接的是S極,。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品,，S極與管殼接通，據(jù)此很容易確定S極,。

（3）．檢查放大能力（跨導）
將G極懸空,，黑表筆接D極，紅表筆接S極,，然后用手指觸摸G極,，表針應有較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場效應管有兩個柵極G1,、G2,。為區(qū)分之，可用手分別觸摸
G1,、G2極,，其中表針向左側(cè)偏轉(zhuǎn)幅度較大的為G2極。 目前有的MOSFET管在G-S極間增加了保護二極管,，平時就不需要把各管腳短路了,。

MOS場效應晶體管使用注意事項。

MOS場效應晶體管在使用時應注意分類,，不能隨意互換,。MOS場效應晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應注意以下規(guī)則：

MOS器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中,，切勿自行隨便拿個塑料袋裝,。也可用細銅線把各個引腳連接在一起，或用錫紙包裝
取出的MOS器件不能在塑料板上滑動,，應用金屬盤來盛放待用器件,。
焊接用的電烙鐵必須良好接地。
在焊接前應把電路板的電源線與地線短接,，再MOS器件焊接完成后在分開,。
MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極,、柵極,。拆機時順序相反。
電路板在裝機之前,，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子,，再把電路板接上去。
MOS場效應晶體管的柵極在允許條件下,，最好接入保護二極管,。在檢修電路時應注意查證原有的保護二極管是否損壞。

2、VMOS場效應管

VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管,，其全稱為V型槽MOS場效應管,。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器
件,。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）,、驅(qū)動電流小（左右0.1μA左右）,，還具有耐壓高（最高可耐壓1200V）,、工作電流大
（1.5A～100A）、輸出功率高（1～250W）,、跨導的線性好,、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身,，因此在電壓
放大器（電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍）,、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應用,。

眾所周知,，傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上,，其工作電流基本上是沿水平方向流動,。VMOS管則不同，從左下圖上可以
看出其兩大結(jié)構(gòu)特點:第一,，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu),；第二，具有垂直導電性,。由于漏極是從芯片的背面引出,，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+
區(qū)（源極S）出發(fā),，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),，最后垂直向下到達漏極D,。電流方向如圖中箭頭所示,，因為流通截面積增大，所以能通過大電流,。由于在柵
極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。

國內(nèi)生產(chǎn)VMOS場效應管的主要廠家有877廠,、天津半導體器件四廠,、杭州電子管廠等，典型產(chǎn)品有VN401、VN672,、VMPT2等,。

VMOS場效應管的檢測方法

（1）．判定柵極G 將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大,，并且交換表筆后仍為無窮大,，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的,。

（2）．判定源極S,、漏極D 由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結(jié),，因此根據(jù)PN結(jié)正,、反向電阻存在差異，可識別S極與D極,。用交換表筆法測兩次電阻,，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極,，紅表筆接D極,。

（3）．測量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔,，黑表筆接S極,，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐,。
由于測試條件不同,，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管,，RDS
（on）=3.2W,，大于0.58W（典型值）。

（4）．檢查跨導 將萬用表置于R×1k（或R×100）檔,，紅表筆接S極,，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極,，表針應有明顯偏轉(zhuǎn),，偏轉(zhuǎn)愈大，管子的跨導愈高,。

注意事項：

VMOS管亦分N溝道管與P溝道管,，但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對于P溝道管,，測量時應交換表筆的位置,。
有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護二極管,，本檢測方法中的1、2項不再適用,。
目前市場上還有一種VMOS管功率模塊,，專供交流電機調(diào)速器、逆變器使用,。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊,，內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只,，構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu),。
現(xiàn)在市售VNF系列（N溝道）產(chǎn)品，是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場效應管,，其最高工作頻率fp=120MHz,，IDSM=1A，PDM=30W,，共源小信號低頻跨導gm=2000μS,。適用于高速開關(guān)電路和廣播、通信設(shè)備中,。
使用VMOS管時必須加合適的散熱器后,。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后,，最大功率才能達到30W

8,、場效應管與晶體管的比較

場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件,。在只允許從信號源取較少電流的情況下,，應選用場效應管；而在信號電壓較低,，又允許從信號源取較多電流的條件下,，應選用晶體管。
       場效應管是利用多數(shù)載流子導電,，所以稱之為單極型器件,，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導電,。被稱之為雙極型器件,。
       有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負,，靈活性比晶體管好,。
       場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,，因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用,。