1 IGBT模塊簡介

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管,，它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關速度快的優(yōu)點,，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點,，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi),，在現(xiàn)代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用,，在較高頻率的大,、中功率應用中占據(jù)了主導地位。

IGBT的等效電路如圖1所示,。由圖1可知,，若在IGBT的柵極G和發(fā)射極E之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導通,，這樣PNP晶體管的集電極C與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通,；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOS 截止,，切斷PNP晶體管基極電流的供給,，使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,，在它的柵極G—發(fā)射極E間施加十幾V的直流電壓,，只有在uA級的漏電流流過，基本上不消耗功率,。

圖1 IGBT的等效電路

檢測IGBT模塊的的辦法

以兩單元為例:用模擬萬用表測量

靜態(tài)測量:把萬用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子,、紅表筆接2端子,顯示電阻應為無窮大;

表筆對調(diào),顯示電阻應在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子,
顯示電阻應為無窮大;表筆對調(diào),顯示電阻應在400歐左右.若符合上述情況表明此IGBT的兩個 
單元沒有明顯的故障.

動態(tài)測試: 把萬用表的檔位放在乘10K檔,用黑表筆接4端子,紅表筆接5端子,此時黑表筆接3端子紅表筆接1端子, 此時電阻應為300-400毆,把表筆對調(diào)也有大約300-400毆的電阻表明此IGBT單元是完好的.

用同樣的方法測試1,、2端子間的IGBT,若符合上述的情況表明該IGBT也是完好的.

將萬用表撥在R×10KΩ擋,，用黑表筆接IGBT 的漏極（D），紅表筆接IGBT 的源極（S）,，此時萬用表的指針指在無窮處,。用手指同時觸及一下柵極（G）和漏極（D），這時IGBT 被觸發(fā)導通,，萬用表的指針擺向阻值 較小的方向,，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下源極（S）和柵極（G）,，這時IGBT 被阻 斷,，萬用表的指針回到無窮處。此時即可判斷IGBT 是好的,。

注意：若進第二次測量時,，應短接一下源極（S）和柵極（G）。
       任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT,。注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋,，因R×1K Ω擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低,，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷IGBT 的好壞,。