2017年10月25日,，在第90屆中國電子展期間,， “第二屆（上海）電源半導體技術論壇”于開幕當天下午成功舉辦,。本次論壇由中電會展與信息傳播有限公司,、《電子技術應用》雜志主辦,，是IC China2017的重要活動之一,。逾百名電源半導體產業(yè)相關人士共聚一堂,，就新半導體材料及器件,、電源高功率密度設計,、電源集成技術等作了深入交流,。

英飛凌科技(中國)有限公司工業(yè)功率控制高級經理陳子穎先生作了題為“SiC MOSFET ——技術、器件與應用”的報告,，分析了SiC器件的優(yōu)勢,，對SiC與硅功率半導體器件進行了全面的比較,，指出碳化硅做成單極性器件比IGBT雙極性器件的開關損耗大大降低，同時全面介紹了CoolSiC MOSFET的特性和產品計劃,。陳子穎先生介紹：“CoolSiC MOSFET具備獨特的SiC MOSFET優(yōu)勢,，即：卓越的柵極氧化層可靠性，最低的開關和導通損耗,，更高的跨導帶來簡單的柵極驅動,，4V的高閾值電壓，以及配合特定應用要求的短路能力等,?！?/p>

英飛凌科技(中國)有限公司工業(yè)功率控制高級經理陳子穎先生

ROHM（深圳）有限公司主管蘇勇錦先生作了題為“ROHM SiC助力中國新能源發(fā)展”的報告，對SiC和SiC功率器件做了詳細介紹,，分析了SiC功率器件的特性和注意點,，介紹了SiC功率器件的使用方法以及活用工具。

ROHM（深圳）有限公司主管蘇勇錦先生

SiC器件的特性和注意點

華虹宏力分立器件科科長邢軍軍先生作了題為“深耕卓越功率技術,，制造綠色‘芯’未來”的報告,，對IGBT技術和超級結技術作了深入分析。邢軍軍先指出,，第三代超級結MOSFET有著明顯優(yōu)勢,，比如導通電阻小、尺寸小,、從平面式工藝到垂直式的轉變等,，會使得超級結MOSFET越來越受歡迎。

華虹宏力分立器件科科長邢軍軍先生

VICOR高級應用工程師吳際先生則介紹了VICOR支持數(shù)據(jù)中心的合封電源解決方案,。吳際先生介紹,，Vicor 合封電源方案解決了傳統(tǒng)“最后一英寸”給 XPU 性能帶來的障礙，不僅可提高性能,，簡化主板設計,，而且還可幫助 XPU 實現(xiàn)以前根本無法實現(xiàn)的性能，助力人工智能的發(fā)展,。

上海市電源學會理事長,、大連海事大學博導湯天浩教授作了題為“電力電子在節(jié)能減排與新能源的應用與發(fā)展”的報告。湯天浩教授認為,，電力電子技術是新能源發(fā)電系統(tǒng)的電能變換,、并網(wǎng)、電能質量,、儲能等裝置的關鍵技術,，而電力電子器件是變流裝置的核心。新的器件雖然已經取得了研究進展，但實現(xiàn)其廣泛的商業(yè)應用還有很多問題亟待解決,，特別是需要在材料,、制造和工業(yè)等技術領域的取得突破。

上海市電源學會理事長,、大連海事大學博導湯天浩教授