0 引言

    隨著物聯(lián)網(wǎng)的蓬勃發(fā)展,，射頻識別芯片RFID迎來了爆發(fā)式的增長需求，EEPROM作為RFID芯片中核心部件,，也被提出了低電源電壓,、高密度、高可靠性等要求,。隨著工藝尺寸的進一步減小,，電路的工作電壓也在不斷降低，但是EEPROM的擦寫操作需要的15 V高壓一直不變,，其中15.5 V高壓器件的閾值電壓接近于EEPROM的正常工作電壓^[1-3],；另外，存儲單元的擦寫電壓窗口隨溫度的降低而減小,，降低了芯片在低溫條件下的可靠性,。基于以上原因,，設計了一款可以工作在低電源電壓條件下,，同時產(chǎn)生具有溫度補償特性的擦寫高壓的電荷泵電路；通過對高壓電路的設計改進,，提升了EEPROM的可靠性,。

    本設計的高壓產(chǎn)生電路如圖1所示，包括時鐘驅(qū)動電路,、電壓倍乘電路,、電荷泵電路以及電壓穩(wěn)壓電路。電壓倍乘電路將最低為1.3 V的電源電壓倍乘,，用來驅(qū)動高壓電荷泵電路,。時鐘驅(qū)動電路產(chǎn)生30 MHz的非交疊兩相時鐘用來驅(qū)動電荷泵,。電荷泵電路通過從電壓倍乘電路抽取電荷產(chǎn)生15 V的高壓。電壓穩(wěn)壓電路包括分壓電路和比較器,，實現(xiàn)高壓電荷泵的輸出高壓穩(wěn)定在15 V,，同時產(chǎn)生一個反饋控制信號VFLAG。

    當電荷泵輸出高壓大于15 V時,，分壓電路得到的反饋電壓大于基準電壓,，VFLAG等于0，控制時鐘驅(qū)動電路停止工作,。同樣,，當電荷泵輸出高壓小于15 V時，反饋信號小于基準電壓,，VFLAG等于電源電壓,，控制時鐘電路開始工作,，使得電荷泵輸出高壓上升,，從而實現(xiàn)輸出高壓穩(wěn)定在一個合理的設計值。

    電荷泵是高壓產(chǎn)生電路中的核心部件,。最早的片上電荷泵電路基于Dickson結構^[4],，該結構采用電容實現(xiàn)電荷從上一級傳遞到下一級；然而,，器件的高閾值電壓及其體效應限制了電荷泵的增益,，因此該結構不適用于低電源電壓環(huán)境。

    本論文中,，采用電壓倍乘電路,，得到兩倍于電源的電壓用來驅(qū)動主電荷泵電路，實現(xiàn)了高壓產(chǎn)生電路的低電源電壓工作^[5],。同時,，采用具有負溫度系數(shù)特性的分壓電路，實現(xiàn)電荷泵電路輸出電壓的負溫度特性,，解決了EEPROM在低溫條件下可靠性降低的問題,。

1 升壓電路

1.1 電壓倍乘電路

    圖2中，M1,、M2是交叉連接的Native NMOS器件,，其漏端neta、netb分別通過各自的電荷泵電容C1,、C2連接至時鐘CLK及其不交疊反相時鐘CLKB,。PMOS器件M5、M6為所有PMOS器件M3~M6提供合適的襯底電壓,。M3,、M4交叉連接構成輸出級。當CLK為低電平時，M1,、M3導通,，M2、M4截止,，此時節(jié)點neta的電壓等于輸入電壓VIN,。當CLK出現(xiàn)上升沿后，M1~M4全部截止,，由于neta沒有充,、放電通道，其電壓被抬高至V_IN+V_CLK,，其中V_CLK為時鐘CLK的幅度,。因此，M1,、M3截止,，M2、M4導通,。理想條件下,，V_OUT等于兩倍的電源電壓。該電路具有內(nèi)部節(jié)點電壓不隨時鐘信號跳變而大幅度變化的特點,。

1.2 電荷泵電路

    電壓倍乘電路都有一個輸入電壓和一個輸出電壓,，結果等于V_OUT=V_IN+V_CLK。在理想情況下,，將N個電壓倍乘電路作為子單元級聯(lián)起來就可以得到大小為(N+1)·V_DD的電壓^[6],。高壓電荷泵電路如圖3所示。

    本設計中,，電荷泵電路由10級電壓倍乘電路組成,，其中第一級的輸入電壓為V_DD，所有級的時鐘電壓幅度為電壓倍乘電路的輸出電壓,，約為2·V_DD,。

    因此，理想條件下電荷泵輸出電壓V_PPH的理想值為：

    由于體效應,、高壓漏電等非理想因素的影響,，電荷泵的輸出高壓達不到式(1)中的理想值。

1.3 電壓穩(wěn)壓電路

    為了防止過高的高壓損壞存儲器件,，降低EEPROM的可靠性,，需要穩(wěn)定電荷泵的輸出高壓。通常在高壓產(chǎn)生電路中增加電壓穩(wěn)壓電路,，如圖1所示,。當分壓電路產(chǎn)生的反饋信號V_FB高于帶隙基準源產(chǎn)生的參考電壓V_REF時,，比較器輸出邏輯‘0’，關閉電荷泵電路的驅(qū)動時鐘,。同樣,，當反饋信號低于V_REF時，比較器輸出邏輯‘1’,，時鐘驅(qū)動電路,、電荷泵正常工作。

    為實現(xiàn)高壓信號V_PPH與溫度負相關,，設計了分壓比隨溫度變化的分壓電路,。當溫度升高時，分壓電路中的二極管壓降減小,，而溫度升高時,，二極管壓降升高，使得V_PPH隨溫度的升高而降低,。

2 實驗結果

2.1 仿真結果

    本文中的高壓產(chǎn)生電路在0.13 μm CMOS Embedded EEPROM工藝上實現(xiàn),，工作最小電壓1.3 V，時鐘頻率30 MHz,，負載電容為50 pF,。

    高壓產(chǎn)生電路V_PPH的仿真結果如圖4所示,，其中V_BOOST信號為電壓倍乘電路的輸出電壓,，用來向高壓電荷泵中電容提供電荷的驅(qū)動電壓；V_PPH的大小為15 V,。

2.2 測試結果

    高壓產(chǎn)生電路作為EEPROM的一部分已經(jīng)在0.13 μm CMOS Embedded工藝上完成制備,，面積大小為800 μm×60 μm。

    圖5顯示了高壓產(chǎn)生電路的高壓輸出V_PPH隨溫度變化的測量結果,?？梢钥吹剑妷篤_PPH在整個工作溫度范圍內(nèi)(-40 ℃~85 ℃),，隨溫度線性變化約為200 mV,，提升了存儲器在低溫下的擦寫窗口，使得存儲器的低溫可靠性得到提升,。

3 結論

    在本文中,，設計并制備了一個應用于EEPROM的低電源電壓工作的高壓產(chǎn)生電路。測量結果顯示電荷泵在1.3 V~1.65 V的電源下正常工作,；同時采用負溫度特性的電壓分壓電路,，實現(xiàn)電荷泵的高壓輸出具有負溫度特性，補償了存儲器件的電壓窗口隨溫度變化的問題,，提升了低溫條件下的存儲器可靠性,。

參考文獻

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作者信息：

李振國1,，2，何  洋1,，2,，胡  毅1，2,，王晉雄1,，2，唐曉柯1,，2,，原義棟1，2,，李垠韜3,，袁衛(wèi)國3

（1.北京智芯微電子科技有限公司，國家電網(wǎng)公司重點實驗室 電力芯片設計分析實驗室,，北京100192,；

2.北京智芯微電子科技有限公司，北京市電力高可靠性集成電路設計工程技術研究中心,，北京100192,；

3.國網(wǎng)冀北電力有限公司,，北京100053）