據(jù)韓聯(lián)社12月20日?qǐng)?bào)道,，三星電子宣布，公司已開(kāi)始通過(guò)第二代10納米級(jí)制程工藝量產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片,。

三星稱(chēng),，公司使用第二代10納米級(jí)工藝生產(chǎn)出了8Gb DDR4芯片,，實(shí)現(xiàn)了新的突破。2016年2月,，三星已使用第一代10納米級(jí)工藝生產(chǎn)出了8Gb DDR4芯片。

另?yè)?jù)路透社報(bào)道,，三星開(kāi)發(fā)的8Gb DDR4芯片是“全球最小”的DRAM芯片,，擴(kuò)大了領(lǐng)先對(duì)手的優(yōu)勢(shì)。在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的推動(dòng)下,，三星今年的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)有望創(chuàng)下紀(jì)錄,。

三星開(kāi)發(fā)的8Gb DDR4芯片

三星稱(chēng)，和第一代10納米級(jí)工藝相比,，第二代工藝的產(chǎn)能提高30％,，有助于公司滿(mǎn)足全球客戶(hù)不斷飆升的DRAM芯片需求。而且,，第二代10納米級(jí)芯片要比第一代芯片快10％,，功耗降低15％。

作為全球最大芯片制造商,，三星表示,，和2012年使用20納米工藝生產(chǎn)的4Gb DDR3芯片相比，新的8Gb DDR4芯片在容量,、速度以及功效上都提升了一倍,。

三星稱(chēng)，公司希望通過(guò)擴(kuò)大10納米級(jí)DRAM芯片的生產(chǎn),，進(jìn)一步提升整體競(jìng)爭(zhēng)力,。三星還表示,，公司將使用新工藝為客戶(hù)生產(chǎn)更多優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，利用最新技術(shù)進(jìn)步,，深挖服務(wù)器,、移動(dòng)和圖形芯片市場(chǎng)。三星將在2018年把現(xiàn)有多數(shù)DRAM芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到10納米級(jí)芯片上,。

三星在10月底為半導(dǎo)體部門(mén)等三大主要業(yè)務(wù)任命了新一代負(fù)責(zé)人,。三星稱(chēng)，公司并不尋求立即擴(kuò)大芯片出貨量,，但會(huì)投資維持長(zhǎng)期市場(chǎng)地位,。