據韓聯(lián)社12月20日報道,，三星電子宣布,，公司已開始通過第二代10納米級制程工藝量產DRAM內存芯片,。

三星稱,，公司使用第二代10納米級工藝生產出了8Gb DDR4芯片，實現(xiàn)了新的突破,。2016年2月,，三星已使用第一代10納米級工藝生產出了8Gb DDR4芯片。

另據路透社報道,，三星開發(fā)的8Gb DDR4芯片是“全球最小”的DRAM芯片，擴大了領先對手的優(yōu)勢,。在半導體業(yè)務的推動下,，三星今年的營業(yè)利潤有望創(chuàng)下紀錄。

三星開發(fā)的8Gb DDR4芯片

三星稱,，和第一代10納米級工藝相比,，第二代工藝的產能提高30％，有助于公司滿足全球客戶不斷飆升的DRAM芯片需求,。而且,，第二代10納米級芯片要比第一代芯片快10％，功耗降低15％,。

作為全球最大芯片制造商,，三星表示，和2012年使用20納米工藝生產的4Gb DDR3芯片相比,，新的8Gb DDR4芯片在容量,、速度以及功效上都提升了一倍。

三星稱,，公司希望通過擴大10納米級DRAM芯片的生產,，進一步提升整體競爭力。三星還表示,，公司將使用新工藝為客戶生產更多優(yōu)質產品,，利用最新技術進步，深挖服務器,、移動和圖形芯片市場,。三星將在2018年把現(xiàn)有多數DRAM芯片產能轉移到10納米級芯片上。

三星在10月底為半導體部門等三大主要業(yè)務任命了新一代負責人,。三星稱,，公司并不尋求立即擴大芯片出貨量，但會投資維持長期市場地位,。