東芝與西數(shù)在2017年經(jīng)歷長時間的法律訴訟及合資爭議后，已于2017年12月13日達成和解，雙方延展合資關系至2029年,，并確保西數(shù)在Fab6中能夠參與投資，延續(xù)在96層以后3D-NAND Flash的競爭門票,。東芝隨即在12月21日宣布Fab 7興建計劃，集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）指出，隨著東芝,、三星、英特爾,、長江存儲等都將擴增NAND Flash產(chǎn)能,，對NAND Flash產(chǎn)業(yè)的影響將在2019年轉(zhuǎn)趨明顯，并使得整體產(chǎn)業(yè)可望呈現(xiàn)供過于求狀況,。

DRAMeXchange指出,，東芝Fab 7有別于以往廠房集中于四日市，廠址改設在巖手縣北上市,，該廠投入量產(chǎn)的時程將落在2019年下半年后,，主要投產(chǎn)96層以上的3D-NAND Flash，對整體產(chǎn)出真正產(chǎn)生影響的時間點將落在2020年. 

綜觀2018到2020年NAND Flash擴產(chǎn)趨勢,，DRAMeXchange指出,，各個陣營皆可說是磨刀霍霍，除東芝剛宣布新建的Fab 7以及已興建中的Fab 6以外,，備受各界關注的長江存儲位于武漢未來城的生產(chǎn)基地也預計于2018年下半年開始營運,，初期投產(chǎn)32層的3D-NAND Flash產(chǎn)品，并致力64層產(chǎn)品的開發(fā),，以拉近與其他供貨商之間的差距,。

除了長江存儲以外，其他大廠的投資也不惶多讓,，包括英特爾擴建大連廠二期,，為應對旺盛的Server SSD需求，目標在2018年底增加一倍的3D-NAND Flash產(chǎn)能,。此外,，三星也將擴建西安廠二期，持續(xù)放大在中國生產(chǎn)3D-NAND Flash的能量,。SK海力士則將在韓國清州廠區(qū)另外興建一座新廠M15,，同樣以投產(chǎn)96層以上3D-NAND Flash為目標，預計2019年可正式進入營運,。 

DRAMeXchange分析指出,，基于各家供貨商皆在3D-NAND Flash具體新增產(chǎn)能，在2019年以后3D-NAND Flash市場預期會再度進入供過于求格局,，而2D-NAND Flash則因供貨商陸續(xù)轉(zhuǎn)產(chǎn),，僅維持較低比重繼續(xù)生產(chǎn)并著重于工規(guī)需求，因此2D-NAND Flash市場走勢將與3D-NAND Flash脫鉤,，逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)槔袌觥?/p>