紫光國(guó)芯周一在全景網(wǎng)投資者互動(dòng)平臺(tái)上回答投資者提問時(shí)介紹,，DDR4與DDR3相比,，單條容量有很大提高，可以實(shí)現(xiàn)較高的容量,。另外,，頻率和帶寬都有明顯提高,。工藝的提高也會(huì)降低工作電壓，有利于更低的功耗,。
同時(shí),，關(guān)于公司在國(guó)內(nèi)業(yè)界、排名情況,，紫光國(guó)芯介紹,，公司的DRAM芯片設(shè)計(jì)技術(shù)處于世界先進(jìn)水平，國(guó)內(nèi)稀缺,，但目前產(chǎn)品產(chǎn)量很小,，市場(chǎng)份額不大。
針對(duì)投資者關(guān)于公司DDR4存儲(chǔ)器芯片相比DDR3優(yōu)勢(shì)的詢問,，紫光國(guó)芯作出上述回應(yīng),。
1月26日紫光國(guó)芯在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì),，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn),。 未來紫光集團(tuán)下屬長(zhǎng)江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶圓的制造能力，公司會(huì)考慮與其合作,。
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