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臺(tái)積電為何在高端芯片制程領(lǐng)航

2018-02-28
關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 三星 晶圓 制程

臺(tái)積電已向竹科管理局提出土地需求申請(qǐng)獲準(zhǔn),,啟動(dòng)竹科新研發(fā)中心建設(shè),,最快明年下半年動(dòng)工,。據(jù)悉,,臺(tái)積電竹科新研發(fā)中心總投資高達(dá)上千億元,再加上今年 1 月下旬動(dòng)土的南科新建晶圓 18 廠,、竹科總部 5 納米廠,,以及后續(xù) 3 納米投入的資金,臺(tái)積電未來(lái)在高端制程將投入近萬(wàn)億元人民幣,。

臺(tái)積電最新申請(qǐng)的竹科新研發(fā)中心,,緊鄰竹科總部,將是串連先進(jìn)制程生產(chǎn)與研發(fā)的重要中樞,。先前臺(tái)積電對(duì)董事長(zhǎng)張忠謀預(yù)告,,四年后將推動(dòng) 3 納米制程量產(chǎn)。

而今年 1 月下旬動(dòng)土的南科新建晶圓 18 廠有望成為全球第一個(gè)量產(chǎn) 5 納米的晶圓廠,。據(jù)集微網(wǎng)了解,,臺(tái)積電 5 納米總投資額超過(guò) 7000 億元新臺(tái)幣。根據(jù)規(guī)劃,,18 廠的第 1 期工程,,將在 2019 年完成裝機(jī)并進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),并且將于 2020 年開始正式量產(chǎn),。整體 5 納米的 3 期工程完工之后,,預(yù)計(jì)在 2021 年達(dá)成滿載年產(chǎn)能高達(dá) 100 萬(wàn)片 12 寸晶圓的目標(biāo)。

除此之外,,在 7 納米制程領(lǐng)域,,臺(tái)積電已經(jīng)拿到百分之百的市場(chǎng)份額,預(yù)計(jì)將于今年第二季度投入量產(chǎn),,第四季度達(dá)到最大產(chǎn)能,,收入貢獻(xiàn)比例也將達(dá)到 10%。據(jù)臺(tái)積電透露,,7 納米工藝已經(jīng)獲得 50 多家客戶的訂單,,涵蓋智能手機(jī)、游戲主機(jī),、處理器,、AI應(yīng)用,、比特幣礦機(jī)等等。

相較之下,,在高端制程技術(shù)的進(jìn)展方面,,臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星、GlobalFoundries,,以及英特爾也都緊追不舍,。其中,三星近日已宣布與高通擴(kuò)大晶圓代工業(yè)務(wù)合作,,包含高通下一代 5G 移動(dòng)芯片,將采用三星 7 納米LPP 極紫外光(EUV)制程,。

據(jù)悉,,高通在 MWC 2018 前夕發(fā)布了業(yè)界傳輸速率最高的 X24 基帶芯片,采用 7 納米制程生產(chǎn),,而整合 X24 的驍龍 855 手機(jī)芯片也將在今年底采用 7 納米制程投片,。業(yè)界人士指出,高通今,、明兩年 7 納米 LTE 芯片代工訂單已由臺(tái)積電拿下,,明年下半年試產(chǎn)的 5G 芯片則選擇三星 7 納米極紫外光(EUV)制程生產(chǎn)。

同時(shí),,據(jù)韓媒透露,,三星計(jì)劃將投入 6 兆韓元(相當(dāng)于 56 億美元)升級(jí)晶圓產(chǎn)能。位于華城市的晶圓新廠將安裝超過(guò) 10 臺(tái) EUV 光刻設(shè)備,,由于每臺(tái) EUV 設(shè)備要價(jià)皆多達(dá) 1,500 億韓元,,因此僅采購(gòu)機(jī)臺(tái)費(fèi)用就達(dá)到 3~4 兆韓元。此外三星 6 納米晶圓廠的建設(shè)計(jì)劃,,也將在近期公布,。

而 GlobalFoundries 也緊跟臺(tái)積電 7 納米量產(chǎn)腳步,已宣布其位于美國(guó)紐約州 Fab 8 晶圓廠,,計(jì)劃 2018 年稍晚將開始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn) 7 納米芯片,,2019 年導(dǎo)入量產(chǎn)。

相對(duì)而言,,英特爾目前還處于 10 納米工藝的研發(fā)階段,,但是英特爾宣稱其 10 納米制程跟其他晶圓代工廠的 7 納米制程處于同一等級(jí)。據(jù)路透社近日?qǐng)?bào)道,,2018 ~ 2020 年英特爾將在以色列投資 50 億美元,。英特爾此前已表示,計(jì)劃把該工廠的制造工藝從22納米升級(jí)到10納米,,生產(chǎn)更小,、速度更快的芯片


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