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臺(tái)積電繼7 納米制程領(lǐng)域走向高端芯片制程領(lǐng)航

2018-03-01
關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 高通 晶圓 制程

臺(tái)積電已向竹科管理局提出土地需求申請(qǐng)獲準(zhǔn),,啟動(dòng)竹科新研發(fā)中心建設(shè),,最快明年下半年動(dòng)工。據(jù)悉,,臺(tái)積電竹科新研發(fā)中心總投資高達(dá)上千億元,,再加上今年1月下旬動(dòng)土的南科新建晶圓18廠,、竹科總部5納米廠,以及后續(xù)3納米投入的資金,,臺(tái)積電未來(lái)在高端制程將投入近萬(wàn)億元人民幣,。

臺(tái)積電最新申請(qǐng)的竹科新研發(fā)中心,,緊鄰竹科總部,將是串連先進(jìn)制程生產(chǎn)與研發(fā)的重要中樞,。先前臺(tái)積電對(duì)董事長(zhǎng)張忠謀預(yù)告,,四年后將推動(dòng)3納米制程量產(chǎn)。

而今年1月下旬動(dòng)土的南科新建晶圓18廠有望成為全球第一個(gè)量產(chǎn)5納米的晶圓廠,。據(jù)集微網(wǎng)了解,,臺(tái)積電5納米總投資額超過(guò)7000億元新臺(tái)幣。根據(jù)規(guī)劃,,18廠的第1期工程,,將在2019年完成裝機(jī)并進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),并且將于2020年開(kāi)始正式量產(chǎn),。整體5納米的3期工程完工之后,,預(yù)計(jì)在2021年達(dá)成滿載年產(chǎn)能高達(dá)100萬(wàn)片12寸晶圓的目標(biāo)。

除此之外,,在7納米制程領(lǐng)域,,臺(tái)積電已經(jīng)拿到百分之百的市場(chǎng)份額,預(yù)計(jì)將于今年第二季度投入量產(chǎn),,第四季度達(dá)到最大產(chǎn)能,,收入貢獻(xiàn)比例也將達(dá)到10%。據(jù)臺(tái)積電透露,,7納米工藝已經(jīng)獲得50多家客戶的訂單,,涵蓋智能手機(jī)、游戲主機(jī),、處理器,、AI應(yīng)用、比特幣礦機(jī)等等,。

相較之下,,在高端制程技術(shù)的進(jìn)展方面,臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星,、GlobalFoundries,,以及英特爾也都緊追不舍。其中,,三星近日已宣布與高通擴(kuò)大晶圓代工業(yè)務(wù)合作,,包含高通下一代5G移動(dòng)芯片,將采用三星7納米LPP極紫外光(EUV)制程,。

據(jù)悉,,高通在MWC2018前夕發(fā)布了業(yè)界傳輸速率最高的X24基帶芯片,采用7納米制程生產(chǎn),而整合X24的驍龍855手機(jī)芯片也將在今年底采用7納米制程投片,。業(yè)界人士指出,,高通今、明兩年7納米LTE芯片代工訂單已由臺(tái)積電拿下,,明年下半年試產(chǎn)的5G芯片則選擇三星7納米極紫外光(EUV)制程生產(chǎn),。

同時(shí),據(jù)韓媒透露,,三星計(jì)劃將投入6兆韓元(相當(dāng)于56億美元)升級(jí)晶圓產(chǎn)能,。位于華城市的晶圓新廠將安裝超過(guò)10臺(tái)EUV光刻設(shè)備,,由于每臺(tái)EUV設(shè)備要價(jià)皆多達(dá)1,500億韓元,,因此僅采購(gòu)機(jī)臺(tái)費(fèi)用就達(dá)到3~4兆韓元。此外三星6納米晶圓廠的建設(shè)計(jì)劃,,也將在近期公布,。

而GlobalFoundries也緊跟臺(tái)積電7納米量產(chǎn)腳步,已宣布其位于美國(guó)紐約州Fab8晶圓廠,,計(jì)劃2018年稍晚將開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)7納米芯片,,2019年導(dǎo)入量產(chǎn)。

相對(duì)而言,,英特爾目前還處于10納米工藝的研發(fā)階段,,但是英特爾宣稱其10納米制程跟其他晶圓代工廠的7納米制程處于同一等級(jí)。據(jù)路透社近日?qǐng)?bào)道,,2018~2020年英特爾將在以色列投資50億美元,。英特爾此前已表示,計(jì)劃把該工廠的制造工藝從22納米升級(jí)到10納米,,生產(chǎn)更小,、速度更快的芯片。


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