2018年,，芯片制造領(lǐng)域?qū)?/p>

啟用期待已久的新技術(shù)

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有人對我說：“晶圓廠就像一座冰山?！蔽曳植磺迨钦l在說話,，因?yàn)樗腥藦念^到腳都裹在潔凈服里。參觀位于紐約州馬耳他的格芯公司第8晶圓廠無疑讓這個比喻更加形象,。我們剛剛走出第8晶圓廠的“子工廠”,，那是垂直高度達(dá)10米的地下廠房，管道和電線從上方的各種半導(dǎo)體制造工具中蜿蜒而下,，連接到化學(xué)品自動處理機(jī),、水質(zhì)分析儀、功率調(diào)節(jié)器以及千瓦級的激光器上,。而這個激光器,，正是我們此行參觀的主要目的。 

單臺激光設(shè)備的占地面積大約在80平方米,，其中激光系統(tǒng)占據(jù)了15～20平方米,。組裝一臺這樣的設(shè)備需要6周時間，過程的復(fù)雜程度令人嘆服,。大約在組裝過程的中期,，構(gòu)成這臺設(shè)備的冰山一角就顯現(xiàn)出來，它由閃亮的金屬管,、不透明的真空室和電線組成,，和一間房子差不多大小。6個穿著兔子套裝式潔凈服的技術(shù)人員,，穿梭在這個龐然大物周圍,，按照編制好的程序仔細(xì)地進(jìn)行各種探查和連接工作。

這個吸引眼球的巨型設(shè)備就是極紫外（EUV）光刻工具,。10多年來,，半導(dǎo)體制造業(yè)一方面一直希望EUV能夠挽救摩爾定律,，另一方面卻絕望地認(rèn)為這項技術(shù)永遠(yuǎn)無法到來。不過這一時刻最終還是來臨了,，并且來得正是時候,。

三星電子是第一個宣布將使用EUV工具為客戶生產(chǎn)芯片的公司，并表示將在2018年下半年實(shí)現(xiàn),。而其競爭對手格芯、臺灣積體電路制造公司（以下簡稱臺積電）和英特爾顯然也計劃在未來的一兩個季度內(nèi)運(yùn)用這一技術(shù),。

英特爾公司不愿透露其路線圖,，據(jù)該公司的一位發(fā)言人透露：“一旦技術(shù)的實(shí)際成本達(dá)標(biāo)，我們就會將EUV技術(shù)投入到實(shí)際生產(chǎn)之中,?！倍笠?guī)模集成電路（VLSI）研究中心的分析員G?丹?哈奇森（G.Dan Hutcheson）指出，英特爾公司購買的EUV設(shè)備比其他公司都多,。

格芯,、三星和臺積電的步調(diào)與我們越來越接近，而且似乎都遵循著同樣的游戲規(guī)則,。這3家公司都引入了EUV技術(shù),，用在7納米制造工藝（即所謂的7納米節(jié)點(diǎn)）的第二次迭代中。對于7納米制造工藝,，他們?nèi)詫⒃陂L達(dá)一年的時間里利用“前EUV技術(shù)”,。

很顯然，做這樣的打算是因?yàn)橥瑫r進(jìn)行兩個大的變動會比較難以處理,。格芯公司的首席技術(shù)官加里?帕頓（GaryPatton）認(rèn)為,，即便不使用EUV技術(shù)，這種7納米制造工藝也稱得上是“極限運(yùn)動”,。格芯和臺積電都聲稱,，如果進(jìn)展順利，他們的工廠能讓該工具的運(yùn)行時間達(dá)到80%甚至更高,，事實(shí)上,，EUV會使7納米工藝變得更簡單，也更便宜,。如果你想明白這是為什么,，就必須先了解如何制造芯片。 

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“光刻技術(shù)是晶圓廠的核心,?！备裥竟镜?晶圓廠的高級副總裁兼總經(jīng)理托馬斯?考爾菲德（ThomasCaulfield）說。從光滑的空白硅片,，變成有著彩虹般色澤的盤片,，直到被塞進(jìn)裝有130億晶體管的微處理器中——硅晶片需要經(jīng)過許多次的加工處理才能完成這一轉(zhuǎn)變,。其中的許多步驟都是在光刻工具內(nèi)部進(jìn)行的。

當(dāng)今最先進(jìn)的技術(shù)是193納米浸沒式光刻,。顧名思義,，這種工藝是用波長為193納米的光線照射一個印有圖案的表面，這個表面被稱為光掩模,。該工藝通過水,，將圖案投射到硅晶片上，隨后圖案被光敏化學(xué)品固定,，并蝕刻到硅晶片上,。這一工藝的問題在于，光不能直接定義小于其波長的特征,。而193納米的長度比現(xiàn)代芯片所需的圖案尺寸大很多,。因此，需要利用一些光學(xué)上的技巧和變通方法來彌補(bǔ)這一差異,。其中最昂貴的方法,，是用三四個不同的光掩模在芯片上產(chǎn)生單個圖案。即使對現(xiàn)在最復(fù)雜的處理器而言,，這也意味著晶圓可能需要反復(fù)通過光刻工具達(dá)80次之多,。

之所以使用EUV光刻技術(shù)，是因?yàn)樗褂玫氖?3.5納米波長的EUV,，這與要印制的最終特征的尺寸非常接近,。有了它，制造商可以將三四個光刻步驟變成一個,。對于其7納米EUV工藝,，格芯將用5個步驟取代原有的15個步驟。臺積電的光刻設(shè)備和掩模技術(shù)總監(jiān)約翰?林（JohnLin）表示,，他們公司也在計劃進(jìn)行類似減少步驟的工作,。

EUV技術(shù)會讓7納米制程變得更快速、更便宜,，同時對于比7納米節(jié)點(diǎn)更先進(jìn)的制程來說也是至關(guān)重要的,。帕頓說：“如果5納米制造工藝不使用EUV技術(shù)，那么將會有超過100個（光刻步驟）,，那就太瘋狂了,。”

聽帕頓的話,，EUV光刻似乎來得正是時候,，事實(shí)也確實(shí)是這樣。但這是一段長達(dá)幾十年的漫長旅程,，時常會有一些專家宣稱EUV技術(shù)已經(jīng)死了,。即使時至今日,，一些觀察家仍然覺得在生產(chǎn)中應(yīng)用EUV技術(shù)有點(diǎn)難以置信。

VLSI的哈奇森認(rèn)為,，人們不應(yīng)該對EUV技術(shù)長久以來的一再拖延感到詫異,。他說：“核心技術(shù)需要的時間會超過所有人的預(yù)期?！彼硎?，盡管光刻技術(shù)在發(fā)展過程中使用了各種各樣的光源，但自20世紀(jì)80年代以來,，該技術(shù)的基礎(chǔ)并未發(fā)生任何改變,。

縱觀EUV的大部分發(fā)展歷程，主要問題都是光源,，考慮到光源的復(fù)雜性,，這并不令人驚訝,。在機(jī)器一端的真空室內(nèi),，熔融錫的微小液滴被兩個激光束依次擊中，并在射流中被發(fā)射出去,。第一束擊中液滴的激光非常精準(zhǔn),，把液滴壓平成為一個霧狀的圓盤；而第二束激光的能量非常巨大,，把液滴變成等離子態(tài)的小球,，與EUV光源一同發(fā)光。

光源研發(fā)人員們多年來一直無法提供所需的光源強(qiáng)度,，他們一直承諾太多卻又無法實(shí)現(xiàn),。而目前對于光源問題的擔(dān)憂已經(jīng)基本上消除了。能夠輸出205瓦能量的光源已經(jīng)找到,，并且阿斯麥公司已在實(shí)驗(yàn)室中制造出了250瓦的光源,。臺積電的約翰?林說：“我們有信心，阿斯麥公司在2018年能夠?qū)?shí)用的光源強(qiáng)度提到250瓦,?！?/p>

雖然大部分的光在通過機(jī)器時會因多次反射而被損耗，但即使對5納米節(jié)點(diǎn)來說,，這一功率也已經(jīng)可以滿足要求,。但對于3納米來說，分析師認(rèn)為,，芯片制造商將需要500瓦的功率,，1納米則可能要增加到1000瓦。前者可通過幾種手段相結(jié)合的方式來實(shí)現(xiàn),，包括增加驅(qū)動激光器的功率,、提高激光能量轉(zhuǎn)換成EUV光的效率以及增強(qiáng)穩(wěn)定性和控制的精準(zhǔn)度,；而后者所需的則是無比巨大的能量。我在格芯公司看到,，約1兆瓦的EUV工具及其相關(guān)驅(qū)動激光器和其他設(shè)備,，最終只能向硅晶圓提供幾十瓦的光功率?？紶柗频赂嬖V我,，他們不得不為第8晶圓廠增加10%的電力供應(yīng)，以滿足2018年安裝的兩臺新EUV工具,。 

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盡管如今電源方面的挑戰(zhàn)已經(jīng)在很大程度上被攻克了,，但這并不意味著EUV光刻可以完美運(yùn)行。實(shí)際上,，光掩模還存在著一些問題,。這些EUV掩模與用于193納米光刻的掩模完全不同，EUV掩模利用由不同材料組成的數(shù)十個納米層反射光線,，而不是透射光線,。實(shí)際上，它們還有很多不完善的地方,，很難發(fā)現(xiàn)也很難避免,。此外，通常用于保護(hù)光刻掩模免受灰塵侵害的透明覆蓋薄膜——“保護(hù)膜”——也尚不能用于EUV,。

保護(hù)膜是非常重要的,，因?yàn)榧词乖贓UV機(jī)器（處于頂級的無塵室內(nèi)）內(nèi)部的超凈環(huán)境內(nèi)，制造過程中仍然會產(chǎn)生一些灰塵,。落在光掩模上的灰塵微粒,，可能會在每一個完成的芯片上形成足以毀掉整個裝置的陰影，使相當(dāng)昂貴的掩模變得分文不值,。

這就是為什么在今天的光刻工具中,，光掩模會覆蓋一層透明的保護(hù)膜。這層保護(hù)膜相當(dāng)于掩模的安全眼鏡,，但如今這些保護(hù)膜對EUV是不透明的,。

要想適用于EUV，保護(hù)膜必須有超薄的膜衣,，讓其透明,，但又必須有足夠的強(qiáng)度承受來自光掩模正常掃描運(yùn)動的機(jī)械沖擊，以及伴隨高能EUV輻射產(chǎn)生的熱沖擊,。

即便現(xiàn)在沒有足夠好的保護(hù)膜,，芯片制造商們認(rèn)為冒著風(fēng)險使用裸露光掩模也是值得一試的，因?yàn)檫^程中只有幾個EUV步驟,。而一旦芯片制造商開始依靠EUV進(jìn)行更多步驟的操作,，那么這個方案就無法再繼續(xù)使用了,，不過其他解決方案仍在研制中。例如,，阿斯麥公司已經(jīng)測試了采用250瓦EUV光源的儀器,。EUV顧問維韋克?巴克西（VivekBakshi）說：“保護(hù)膜的設(shè)計必須改進(jìn)，我不認(rèn)為它是一個攪局者,?！?/p>

一個更為嚴(yán)重的問題是，目前仍然沒有檢查光掩模缺陷的好方法,。理想情況下,，你能夠使用EUV光來掃描需要修復(fù)的點(diǎn)。但是,，這種被稱為光化圖案掩模檢測的技術(shù)仍在研制中（盡管三星稱其已經(jīng)開發(fā)了內(nèi)部解決方案）?，F(xiàn)在芯片制造商采用的只是一些權(quán)宜之計。一種是使用依賴193納米光源的現(xiàn)有工具,。但在7納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上,，使用如此巨大的波長就像用胳膊肘來讀盲文一樣：這種方法雖然能用，但你可能會錯過一些東西,。電子束檢測工具雖然有足夠的分辨率,，但速度很慢,。阿斯麥公司最近推出了其首款電子束檢測工具,。

芯片制造商也可以使用所謂的“刻印檢查”方法。也就是說,，他們將光掩模固定在EUV光刻工具上,，生成一個帶有圖案的硅晶片，然后檢查晶片本身,，但這是一個費(fèi)時且價格高昂的過程,，他們并不十分喜歡。

盡管如此,，芯片制造商仍在向前邁進(jìn),。電子束技術(shù)公司D2S的首席執(zhí)行官、光掩模圖案繪制技術(shù)專家藤本真雄（AkiFujimura）說：“采用EUV技術(shù)的人正在定義它的用途,，因此這些并不會妨礙我們的工作,。”

技術(shù)專家預(yù)計,，聰明的工程師們將會很快解決EUV光刻現(xiàn)存的這些問題,。事實(shí)上，不同的芯片制造商或許能夠清晰地進(jìn)行自我定位,，前提是他們找到勝任這項工作的工程師,，視工程師的水平而定,。帕頓說：“我們把這些錢都花在工具上，但是如果沒有合適的人,，我們就無法做到這一切,。”