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事關(guān)EUV光刻技術(shù),中國廠商公布新專利

2022-11-30
來源:全球半導(dǎo)體觀察
關(guān)鍵詞: EUV 光刻技術(shù) 專利

近日,,據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)消息,,華為技術(shù)有限公司于11月15日公布了一項于光刻技術(shù)相關(guān)的專利,,專利申請?zhí)枮?02110524685X。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202211/440917.htm

集成電路制造中,,光刻覆蓋了微納圖形的轉(zhuǎn)移,、加工和形成環(huán)節(jié),決定著集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內(nèi)晶體管的數(shù)量,,是集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一,。隨著半導(dǎo)體工藝向7nm及以下節(jié)點的推進,極紫外(extreme ultraviolet,,EUV)光刻成為首選的光刻技術(shù),。

相關(guān)技術(shù)的EUV光刻機中采用強相干光源在進行光刻時,相干光經(jīng)照明系統(tǒng)分割成的多個子光束具有固定的相位關(guān)系,,當(dāng)這些子光束投射在掩膜版上疊加時會形成固定的干涉圖樣,,出現(xiàn)有明暗變化、光強不均勻的問題,,因此,,必須先進行去相干處理(或者采用避免相干影響),達到勻光效果,,以保證光刻工藝的正常進行,。

據(jù)披露,該專利申請?zhí)峁┮环N反射鏡,、光刻裝置及其控制方法,,涉及光學(xué)領(lǐng)域,能夠解決相干光因形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題,,在極紫外光的光刻裝置基礎(chǔ)上進行了優(yōu)化,,進而達到勻光的目的,。

該光刻裝置包括相干光源1、反射鏡2(也可以稱為去相干鏡),、照明系統(tǒng)3,。其中,反射鏡2可以進行旋轉(zhuǎn),;例如,,可以在光刻裝置中設(shè)置旋轉(zhuǎn)裝置,反射鏡2能夠在旋轉(zhuǎn)裝置的帶動下發(fā)生旋轉(zhuǎn),。

在該光刻裝置中,,相干光源1發(fā)出的光線經(jīng)旋轉(zhuǎn)的反射鏡2的反射后,通過照明系統(tǒng)3分割為多個子光束并投射至掩膜版4上,,以進行光刻,。另外,在光刻裝置中,,上述照明系統(tǒng)3作為重要組成部分,,其主要作用是提供高均勻性照明(勻光)、控制曝光劑量和實現(xiàn)離軸照明等,,以提高光刻分辨率和增大焦深,。述照明系統(tǒng)3的勻光功能可以是通過科勒照明結(jié)構(gòu)實現(xiàn)。

該照明系統(tǒng)3包括視場復(fù)眼鏡31(field flyeye mirror,,F(xiàn)FM),、光闌復(fù)眼鏡 32(diaphragm flyeye mirror,PFM),、中繼鏡組33,;其中,中繼鏡組33通??梢园▋蓚€或者兩個以上的中繼鏡,。照明系統(tǒng)3通過視場復(fù)眼鏡31將來自相干光源 1 的光束分割成多個子光束,每個子光束再經(jīng)光闌復(fù)眼鏡32進行照射方向和視場形狀的調(diào)整,,并通過中繼鏡組33進行視場大小和 / 或形狀調(diào)整后,,投射到掩膜版4的照明區(qū)域。 

通過在相干光源1與照明系統(tǒng)3之間的光路上設(shè)置反射鏡2,,在此情況下,,相干光源1發(fā)出的光線經(jīng)旋轉(zhuǎn)的反射鏡2反射后相位不斷發(fā)生變化,這樣一來,,在經(jīng)反射鏡2反射后的光線通過照明系統(tǒng)3分割為多個子光束并投射至掩膜版4上時,,形成在掩膜版4的照明區(qū)域的干涉圖樣不斷變化,從而使得照明視場在曝光時間內(nèi)的累積光強均勻化,,從而達到勻光的目的,,進而也就解決了相關(guān)技術(shù)中因相干光形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題,。



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