5G將于2020年將邁入商用,，加上汽車走向智慧化,、聯(lián)網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展,。根據拓墣產業(yè)研究院估計,，2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元，而GaN基板產值僅約3百萬美元,。

　　拓墣產業(yè)研究院指出,，相較目前主流的硅晶圓(Si),，第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢,，不僅可使芯片面積可大幅減少,，并能簡化周邊電路的設計，達到減少模組,、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積,。除了輕化車輛設計之外，因第三代半導體的低導通電阻及低切換損失的特性,，也能大幅降低車輛運轉時的能源轉換損失,，兩者對于電動車續(xù)航力的提升有相當?shù)膸椭Ｒ虼?，SiC及GaN功率組件的技術與市場發(fā)展,，與電動車的發(fā)展密不可分。

　　然而,，SiC材料仍在驗證與導入階段,，在現(xiàn)階段車用領域僅應用于賽車上，因此,，全球現(xiàn)階段的車用功率組件,，采用SiC的解決方案的面積不到千分之一。另一方面,，目前市場上的GaN功率組件則以GaN-on-SiC及GaN-on-Si兩種晶圓進行制造,，其中GaN-on-SiC在散熱性能上最具優(yōu)勢，相當適合應用在高溫,、高頻的操作環(huán)境,，因此以5G基站的應用能見度最高，預期SiC基板未來五年在通過車廠驗證與2020年5G商用的帶動下,，將進入高速成長期,。

　　5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化,、聯(lián)網化與電動化的趨勢

　　盡管GaN基板在面積大型化的過程中,，成本居高不下，造成GaN基板的產值目前仍小于SiC基板,。但GaN能在高頻操作的優(yōu)勢,，仍是各大科技廠矚目的焦點。除了高規(guī)格產品使用GaN-on-SiC的技術外,，GaN-on-Si透過其成本優(yōu)勢,，成為目前GaN功率組件的市場主流，在車用,、智能手機所需的電源管理芯片及充電系統(tǒng)的應用最具成長性,。

　　拓墣產業(yè)研究院指出，觀察供應鏈的發(fā)展,，由于5G及汽車科技正處于產業(yè)成長趨勢的重心,，供應鏈已發(fā)展出晶圓代工模式，提供客戶SiC及GaN的代工業(yè)務服務,，改變過去僅由Cree,、Infineon、Qorvo等整合組件大廠供應的狀況,。GaN的部分,，有臺積電及世界先進提供GaN-on-Si的代工業(yè)務，穩(wěn)懋則專攻GaN-on-SiC領域瞄準5G基站的商機,。另外,，X-Fab、漢磊及環(huán)宇也提供SiC及GaN的代工業(yè)務,。隨著代工業(yè)務的帶動,，第三代半導體材料的市場規(guī)模也將進一步擴大。