引言：在中國(guó)半導(dǎo)體大基金計(jì)劃的壓力下，韓國(guó)政府委托智庫(kù)推演出中韓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)互動(dòng)的情境,，并將相關(guān)報(bào)告分享各界,。
無(wú)論從后發(fā)的中國(guó)，或者起步較早的日,、韓,、臺(tái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)觀察，中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的投資可謂動(dòng)見(jiàn)觀瞻,。DIGITIMES研究中心匯整韓國(guó)電子新聞與財(cái)經(jīng)界近期發(fā)布的產(chǎn)業(yè)資訊,，分從多個(gè)角度跟大家分享韓國(guó)人如何觀察中國(guó)與韓國(guó)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)合，以及全球市場(chǎng)的關(guān)鍵趨勢(shì),。
中國(guó)的半導(dǎo)體大計(jì)
2017年,，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)以超過(guò)20%的成長(zhǎng)率，首度突破了4,000億美元的關(guān)卡,。在4,000億美元的市場(chǎng)中,，記憶體約占30%，其余的70%則來(lái)自邏輯芯片,、類比IC等多樣的半導(dǎo)體產(chǎn)品,。其中，三星,、海力士這兩家韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的領(lǐng)頭羊,，都以記憶體為主力。三星在2017年估計(jì)共高達(dá)502億美元的獲利中，竟有64%來(lái)自記憶體的貢獻(xiàn),，而記憶體也是海力士賴以生存的命脈,。
韓國(guó)政府判斷，中國(guó)從中央到地方,，至少有10個(gè)以上的計(jì)劃具有興建記憶體工廠的計(jì)劃與實(shí)力,。但技術(shù)掌握困難，有心無(wú)力者不少,。新進(jìn)入市場(chǎng)的廠商,，很難突破專利屏障。其次是專業(yè)工程人才的短缺,。2017年時(shí),，三星半導(dǎo)體擁有的人力為5.2萬(wàn)人，海力士為2.7萬(wàn)人,，美光也有3萬(wàn)人,，而中國(guó)YMTC擁有的專業(yè)人力不過(guò)上千人的水平。
此外,，中國(guó)材料設(shè)備業(yè)的落差,，也是中國(guó)必須盡快克服的難題。然而這份報(bào)告指出,，盡管技術(shù)落后，中國(guó)仍可以30/40nm等級(jí)的技術(shù),，生產(chǎn)出非伺服器或Mobile DRAM,，如USB這種等級(jí)的記憶體，中國(guó)介入記憶體產(chǎn)業(yè),，對(duì)韓國(guó)的半導(dǎo)體業(yè)仍具有一定的威脅性,。
報(bào)告指出，如果中國(guó)大陸順利的在2018年生產(chǎn)出DRAM,、3D NAND Flash,，并逐步進(jìn)入市場(chǎng)，到2022年時(shí),，韓國(guó)記憶體產(chǎn)業(yè)受害的程度,，大約是78億美元，其中11億美元是Flash,， DRAM受影響的金額則是67億美元,，而無(wú)論是DRAM或Flash的全球價(jià)格，也將相應(yīng)下跌,。
中國(guó)投入記憶體產(chǎn)業(yè)
對(duì)市場(chǎng)價(jià)格的影響
如果沒(méi)有中國(guó)變數(shù),，全球4Gb DRAM的價(jià)格，從2018~2022僅會(huì)降低5.1%，但由于伺服器等商機(jī)持穩(wěn),，高功能的DRAM依舊看好,，價(jià)格跌幅不會(huì)太大。Flash則是因?yàn)樵O(shè)備投資,、技術(shù)更新的因素,，估計(jì)售價(jià)在2018~2022年間的CAGR為-23.6%。
韓國(guó)政府針對(duì)中國(guó)投入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的計(jì)劃推估,，四年后韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收會(huì)減少78億美元,。關(guān)鍵在于中國(guó)廠商將會(huì)采取與LED/LCD一樣的低價(jià)傾銷策略，價(jià)格下滑是必然的趨勢(shì),。韓國(guó)政府估計(jì),，在沒(méi)有中國(guó)因素影響時(shí)，2022年DRAM與Flash的預(yù)期價(jià)格下跌比例分別為5.15%與23.6%,，一旦中國(guó)介入之后,，跌幅將更為明顯，增加的跌幅分別為2.2%與0.5% ,。
此外,，韓國(guó)估計(jì)在沒(méi)有中國(guó)介入的情況下，2022年韓國(guó)DRAM雙雄的記憶體營(yíng)收將達(dá)695億美元,，但在中國(guó)介入之下,，將會(huì)是628億美元；在Flash方面,，則是從376億美元,，減少為365億美元，兩者合計(jì)78億美元,。
如果連同2019~2021的初期影響計(jì)算,，那么未來(lái)四年內(nèi)韓國(guó)記憶體產(chǎn)業(yè)受到中國(guó)記憶體新廠的影響將達(dá)10兆韓元以上。目前,，中國(guó)正在興建的DRAM廠2座,，F(xiàn)lash有一座。清華紫光旗下的YMTC在武漢生產(chǎn)3D Flash,，在合肥的長(zhǎng)鑫與福建晉江的晉華則投入DRAM的生產(chǎn),，而實(shí)際量產(chǎn)的時(shí)間都訂在2018年的下半年。
除此之外,，清華紫光也宣布將在南京設(shè)置DRAM與Flash共用工廠,，盡管韓國(guó)業(yè)者認(rèn)為自家技術(shù)的成熟度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于新投入的中國(guó)廠商，但如果游戲規(guī)則不變,，智財(cái)權(quán)的壓力不影響中國(guó)的出口競(jìng)爭(zhēng)力,，對(duì)于中國(guó)的積極投入,，韓國(guó)絕對(duì)不敢掉以輕心。
目前韓國(guó)制造業(yè)的稼動(dòng)率低到僅有2009年金融海嘯時(shí)的70.3%,，造船,、汽車(chē)、鋼鐵都深受中國(guó)的威脅,，如今可以獨(dú)步全球的產(chǎn)業(yè)也僅剩下記憶體,，對(duì)韓國(guó)而言，不是產(chǎn)業(yè)受創(chuàng),、獲利減少這種簡(jiǎn)單的議題,，而是可能讓韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入萬(wàn)劫不復(fù)的困境。
中韓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的相對(duì)關(guān)系
未來(lái)兩,、三年,，在人工智慧、車(chē)聯(lián)網(wǎng)等商機(jī)的驅(qū)動(dòng)下,，半導(dǎo)體的需求依舊看好,。因此，韓國(guó)兩家半導(dǎo)體大廠依舊保持投資高點(diǎn),，NAND Flash的投資雖比去年少一點(diǎn),，但相較于以往的經(jīng)驗(yàn)，仍屬于投資高峰的狀態(tài),。短期間,，記憶體仍為獲利的主流，但非記憶體的商機(jī)卻是中長(zhǎng)期的重要期待,。
DRAM制程轉(zhuǎn)換不易,，伺服器等需求依然暢旺，Mobile DRAM的裝載量持續(xù)擴(kuò)大,，都給DRAM的商機(jī)帶來(lái)足夠的保證。針對(duì)Flash的多層化,，既是產(chǎn)業(yè)的進(jìn)入障礙,，也是韓國(guó)掌握厚利商機(jī)的來(lái)源。非記憶體的商機(jī),，占了半導(dǎo)體市場(chǎng)的70%,。針對(duì)未來(lái)市場(chǎng)，CIS,、行動(dòng)通信AP與車(chē)聯(lián)網(wǎng)的三大需求依舊令人期待,。更重要的，三星與海力士都有分散業(yè)務(wù)過(guò)度集中于記憶體的需求,，因此擴(kuò)大晶圓代工業(yè)務(wù)乃是既定政策,，也不容質(zhì)疑。
2017年全球記憶體市場(chǎng)為1,303億美元，比2016年的713億美元暴增82.6%,，估計(jì)2018年仍可維持26.3%的成長(zhǎng)率,。在市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下，韓國(guó)兩大廠的資本支出仍會(huì)持續(xù)擴(kuò)大,。根據(jù)SEMI的資料,，全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)將從2017年的247億美元，增加到2018年的278億美元,，成長(zhǎng)率12.7%,，從前年開(kāi)始的半導(dǎo)體高峰期，有長(zhǎng)期化的趨勢(shì),，而半導(dǎo)體業(yè)者也順勢(shì)推舟,，在資本支出上更進(jìn)一步的提高。光是記憶體業(yè)者2016年的資本支出為243億美元,，2017年達(dá)到401億美元,，2018年預(yù)估為440億美元。
DRAM市場(chǎng)仍是寡頭結(jié)構(gòu)
全球DRAM市場(chǎng)95%以上掌握在前三大廠手中,，南亞等二線廠商只能在改善制程與提高獲利的前提下經(jīng)營(yíng),。對(duì)韓國(guó)業(yè)者而言，競(jìng)爭(zhēng)相對(duì)緩和,，2017年DRAM產(chǎn)業(yè)的資本支出,，竟然比2016年減少3.8%。但因伺服器需求高于預(yù)期,，新制程轉(zhuǎn)換的過(guò)程難度也高于預(yù)期,，而每臺(tái)設(shè)備所搭載的DRAM也相應(yīng)提高，因此2018年的企業(yè)投資企圖心將高于往年,。
2018年起,，三星將量產(chǎn)1ynm(10nm中段級(jí)技術(shù))，由于難度比1xnm（10nm級(jí)后段級(jí)技術(shù)）高出不少,，因此在制程轉(zhuǎn)換上可能比原先預(yù)計(jì)的要長(zhǎng),。但海力士也將從2017年下半開(kāi)始前進(jìn)1xnm的制程，預(yù)期2018年下半期起,，比重便會(huì)顯著增加,，順利的話，也將進(jìn)入1ynm的工程技術(shù),。在這種背景下,，三星在法說(shuō)會(huì)時(shí)便已明確表達(dá)擴(kuò)大投資的計(jì)劃購(gòu)想，而海力士原先計(jì)劃在2019年啟動(dòng)的增產(chǎn)計(jì)劃,，也提前到2018年的下半年,。
伺服器記憶體商機(jī)
一般而言,，超過(guò)5,000臺(tái)的伺服器，土地面積超過(guò)1萬(wàn)平米的才能稱為數(shù)據(jù)中心,。目前全球約有400個(gè)數(shù)據(jù)中心,，兩年內(nèi)將超過(guò)500座。在中美角逐科技領(lǐng)導(dǎo)地位的今日,，中美的科技大腕便是數(shù)據(jù)中心的主要投資者,。
2017年，Amazon的營(yíng)益率竟有超過(guò)100%來(lái)自云端服務(wù)部門(mén)(AWS)的獲利,，原因是其他的部門(mén)仍處于虧損狀態(tài),，也可見(jiàn)亞馬遜對(duì)于AWS的倚賴度高過(guò)于大家的認(rèn)知。過(guò)去兩年亞馬遜的資本支出分別為63.2億美元與97.4億美元,，較前一年分別成長(zhǎng)55.6%,、54.2%。
除了亞馬遜之外,，Google與臉書(shū)的情況也十分類似,。為了掌握更多的大數(shù)據(jù)，Google現(xiàn)在擁有15座數(shù)據(jù)中心,，擁有的伺服器多達(dá)250萬(wàn)臺(tái),，甚至宣稱最近三年針對(duì)數(shù)據(jù)中心管理與投資的費(fèi)用多達(dá)330億美元。
臉書(shū)亦然,，甚至投資的成長(zhǎng)率高于其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,。目前臉書(shū)有11座數(shù)據(jù)中心，過(guò)去兩年的資本支出成長(zhǎng)率分別為78%與55%,，2018年的資本支出也將超過(guò)2017年100%以上,，在140億美元上下。目前的數(shù)據(jù)中心投資,，雖然主要來(lái)自美系企業(yè),，但未來(lái)大家看好中國(guó)的BAT也將成為投資的主力。
阿里巴巴的資本支出成長(zhǎng)率,，與2016/2017年相比高達(dá)85%與130%,。盡管所有的資本支出并非完全針對(duì)數(shù)據(jù)中心，但數(shù)據(jù)中心絕對(duì)是關(guān)鍵,。
在手機(jī)市場(chǎng)上，Mobile DRAM受限于手機(jī)市場(chǎng)飽和之苦,，但即將來(lái)臨的5G商機(jī),、Mobile game、AR/VR,、4K影像,、智慧城市等,，都將帶來(lái)龐大的機(jī)會(huì)
手機(jī)搭載的DRAM平均容量從3GB，增加到4.3GB,，三星的機(jī)皇手機(jī)Galaxy S9+甚至是6GB,；預(yù)期2018年出貨的新款iPhone，將會(huì)使用OLED與每層4GB的雙層DRAM架構(gòu),。在大趨勢(shì)的驅(qū)動(dòng)下,，中國(guó)的手機(jī)大廠必然跟進(jìn)，2019年時(shí),，10GB有望成為市場(chǎng)主流,。
NAND Flash的競(jìng)合趨勢(shì)
相較于DRAM的積極投資，韓國(guó)雙廠在NAND的投資反而保守,。關(guān)鍵在于DRAM的需求比NAND緊俏,。但因NAND并非寡占狀態(tài)，三星必須積極投資,，而海力士也必須力爭(zhēng)上游,。所以，各廠的投資都很積極,，并往3D多層化的方向進(jìn)展
與DRAM產(chǎn)業(yè)同樣的必須以良率在市場(chǎng)上競(jìng)爭(zhēng),，加以十分耗電，因此小面積,、大容量便成為競(jìng)爭(zhēng)關(guān)鍵,。2D的NAND Flash，在10xnm階段便遭遇技術(shù)壓力,，因此三星,、東芝向3D發(fā)展。相較于2017年,，三星的資本支出會(huì)少一點(diǎn)點(diǎn),，但比起往年仍是大幅成長(zhǎng)，而海力士,、美光則是積極回應(yīng),。
另一方面，目前三星以64層3D NAND為主力,，下半年會(huì)推進(jìn)到96層,。英特爾/美光也將在2018年上半進(jìn)入96層的技術(shù)規(guī)格，2018年中,，也會(huì)將3D的比重提高到85%以上,。
非記憶體市場(chǎng)的商機(jī)
全球4,000億美元的半導(dǎo)體市場(chǎng)，其實(shí)有70%來(lái)自非記憶體市場(chǎng),，但韓國(guó)擅長(zhǎng)記憶體,，在非記憶體領(lǐng)域的市占率不到5%,，不僅不如英特爾的20.3%，也不如高通的6.8 %,。
此外,，全球晶圓代工市場(chǎng)，將由2015年的500億美元,，增加到2019年的700億美元,。毫無(wú)疑問(wèn)，晶圓代工事業(yè)不僅前景依舊看好,，也對(duì)三星,、海力士拓展多元業(yè)務(wù)、分散風(fēng)險(xiǎn)具有正面的意義,。在晶圓代工市場(chǎng),，臺(tái)系業(yè)者掌握60%以上，韓系業(yè)者近兩年才急起直追,，并將記憶體生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為非記憶體,。
目前三星在晶圓代工的市占率為8%，但技術(shù)能力不遜于領(lǐng)頭廠商,，韓國(guó)對(duì)此寄予高度的期待,。其次，目前三星的非記憶體營(yíng)收僅占7.1%,，如與臺(tái)積電對(duì)比的話,，三星半導(dǎo)體的獲利是臺(tái)積電的2.9倍，但臺(tái)積電在非記憶體的獲利,，是三星的8倍,。三星在主流技術(shù)上不斷的推進(jìn)，目前的主流技術(shù)為14/10nm,，正朝8/4nm的新目標(biāo)邁進(jìn),，預(yù)期貢獻(xiàn)值也將提高。
韓系業(yè)者關(guān)注CIS市場(chǎng),，而應(yīng)用處理器(AP)的商機(jī)在未來(lái)的市場(chǎng)上更被期待,。海力士即是將目標(biāo)放在CIS與DDI、PMIC等領(lǐng)域,。目前對(duì)營(yíng)收的貢獻(xiàn)很低,，但海力士寄望5G與物聯(lián)網(wǎng)整合記憶體的商機(jī)浮現(xiàn)。如果以CIS而言,，目前手機(jī)市場(chǎng)貢獻(xiàn)了73%,，有11.5%來(lái)自國(guó)防航太產(chǎn)業(yè)，而5.5%則是汽車(chē)。
2014年時(shí),，雙鏡頭的手機(jī)比重74.5%，估計(jì)到2018年時(shí),，將達(dá)88%,，甚至三鏡頭的會(huì)有4.8%。2014年時(shí),，車(chē)用CIS賣(mài)掉2.7億顆,，但到2020年時(shí)可達(dá)7.9億顆，年均成長(zhǎng)率可達(dá)20%以上,。在這個(gè)市場(chǎng)上,，SONY市占率45%，三星以16%居次,。行動(dòng)通信用的AP,，市占率以高通的42%最高，其次依序?yàn)樘O(píng)果20%,、聯(lián)發(fā)科14%,、三星11%與海思的8%。
三星預(yù)期在EUV設(shè)備的加持下,，市占率最有上揚(yáng)的空間,。過(guò)去客戶都擔(dān)心相關(guān)技術(shù)流失的問(wèn)題，因此不愿將訂單交給三星,，但三星已經(jīng)在2017年5月將System LSI部門(mén)中的晶圓代工事業(yè)部獨(dú)立,，希望降低客戶的疑慮。
近期三星與高通達(dá)成協(xié)議,，代工生產(chǎn)7nm的5G通信芯片,。展望未來(lái)，智慧城市,、智慧家庭,、車(chē)聯(lián)網(wǎng)等商機(jī)浮現(xiàn)之后，應(yīng)用處理器的商機(jī)也將水漲船高,。車(chē)用半導(dǎo)體商機(jī),，2017年時(shí)是357億美元，估計(jì)到2023年時(shí)是535億美元,，CAGR是18%,，其中ADAS的商機(jī)，將從2017年的35億美元,，增加到2023年的103億美元,，CAGR高達(dá)19%，更是大家關(guān)注的焦點(diǎn),，三星買(mǎi)下Harman,，近期也與Audi簽約代工生產(chǎn)半導(dǎo)體,，便是瞄準(zhǔn)了車(chē)用商機(jī)。目前一輛汽車(chē)約200~300顆IC,，自駕車(chē)則約需2000顆,，前景不言可喻。