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英特爾CEO閃辭 華爾街分析師:恐提前被臺(tái)積電超車

2018-06-24
關(guān)鍵詞: 英特爾 臺(tái)積電 制程 晶片

  英特爾執(zhí)行長(zhǎng)科再奇(Brian Krzanich)因?yàn)樵c旗下員工發(fā)生戀情,違反了公司的規(guī)定,,于昨日被迫辭職。華爾街券商Cowen公司分析師Matthew Ramsay表示,,此次人事異動(dòng),恐導(dǎo)致英特爾在10奈米制程發(fā)展進(jìn)度落后,,并在2019年到2020年和臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)加劇,。

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  綜合外媒報(bào)導(dǎo),Cowen分析師Matthew Ramsay分析指出,,科再奇請(qǐng)辭使英特爾提前面臨接班人選的問題,,加上科再奇擁有晶圓制造的經(jīng)驗(yàn),這次人事異動(dòng),,恐會(huì)使英特爾10奈米發(fā)展出現(xiàn)空窗期,,讓其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手有機(jī)可乘。

  Matthew Ramsay表示,,英特爾的晶片制造技術(shù)優(yōu)勢(shì)正在消失,,10奈米制程預(yù)料明年量產(chǎn),比預(yù)訂日程晚了2年,,使包括臺(tái)積電在內(nèi)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手有機(jī)會(huì)拉近差距,。

  《經(jīng)濟(jì)學(xué)人》曾報(bào)導(dǎo),英特爾10奈米制程遭遇瓶頸,,臺(tái)積電則超前至7奈米,,有望超越英特爾,成為全球最強(qiáng)的晶片廠,。


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