近日,，據IC Insights的數據預測,，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出（CAPEX）將比預期產量增加40%以上，從2017年的220億美元增至2018年的310億美元，屬于近8年來的最大增幅,。

　　其中,，3D NAND的市場需求,，成為驅動NAND閃存資本支出激增的主要因素之一。3D NAND閃存技術采用堆疊的方式處理設備層關系,，可以使得每顆芯片的儲存容量增加，從而實現更大的結構和單元間隔,，利于增加產品的耐用性,、降低生產成本。因此深受NAND閃存廠商的追捧,，目前已成為NAND閃存廠商的主攻方向,。

　　首先，我們需要先理解一個概念：資本性支出（CAPEX）,。大量的CAPEX通常預示著有新的項目即將開始,，生產和銷售上都會出現巨大增長。與運營投資相反,，CAPEX項目運行期間公司需要一直投錢,，以此孕育未來的長期收益。因此,，2018年NAND Flash行業(yè)的資本支出實現8年以來的最大增幅,，表面了全球存儲器廠商對閃存市場的持續(xù)看好與積極投入，NAND Flash市場有望被全面打開,。

　　到底是哪些芯片廠商全面看好NAND閃存,，正大刀闊斧地加碼3D NAND閃存產能？

　　一方面,，國際閃存大廠的3D NAND堆疊大戰(zhàn)正在如火如荼地進行中,。今年6月下旬，美光公布了2018財年第三季度的結果,，同時也公布未來的發(fā)展方向,，預告在2018年下半年96層3D NAND技術將會開始批量出貨,，可進一步增加每個芯片的儲存容量,，從而能夠打造出更小，更節(jié)能的設備,。兩周后,，三星也高調宣布已開始量產第五代3D NAND閃存顆粒，層疊層數為96層,，產能得到30%的提升,。同時，根據消息人士透露,，三星今年投資在NAND Flash閃存上的資本支出預計是64億美元,，2019年更是會提高到90億美元。

　　美光,、三星釋放信號僅是個開端,，SK海力士,、Intel、東芝,、西數/閃迪等都表態(tài)在幾年內將持續(xù)擴充閃存產能,，為跨入96層、甚至更高層數而加大投入力度,?？梢姡?D NAND閃存已經成為國際存儲器廠商間的“主戰(zhàn)場”,。

　　另一方面,，以長江存儲為代表的中國存儲器廠商，也加快了項目進展的步伐,。據公開資料顯示,，由長江存儲主導的國家存儲器基地已于2018年4月11日，正式進場安裝生產設備,。同時,，專注于行動式內存的合肥長鑫，以及晉華集成的試產時間也調快至2018年下半年,?？梢哉f，2018年或將成為中國存儲器的生產元年,。

　　當然,，全球的NAND閃存資本支出大增，只能印證NAND閃存行業(yè)投資景氣的上升,，今后存儲器的市場表現如何,，還需要時間來證明。畢竟在存儲器市場的歷史先例里,，過多的資本支出通常會導致產能過剩和定價疲軟,，投資風險還是存在的。

　　因此,，思考當前取得的競爭優(yōu)勢,，當前的技術還有哪些用武之地，以及今后的發(fā)展方向,，為下一次發(fā)展奠定基礎,。這對國產存儲器廠商來說，仍然具有深遠意義,。