昨日,,在位于武漢東湖高新區(qū)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(國(guó)家存儲(chǔ)器基地),,紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露,,中國(guó)首批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年第四季度在此實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),。
據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)于2017年成功研發(fā)中國(guó)首顆32層三維NAND閃存芯片,,并獲得中國(guó)電子信息博覽會(huì)(CITE2018)金獎(jiǎng),。
這顆芯片,,耗資10億美元,,由1000人團(tuán)隊(duì)歷時(shí)2年自主研發(fā),,是中國(guó)主流芯片中研發(fā)制造水平最接近世界一流的高端存儲(chǔ)芯片,實(shí)現(xiàn)了中國(guó)存儲(chǔ)芯片“零”的突破。
刁石京介紹,,目前,芯片生產(chǎn)設(shè)備正在進(jìn)行安裝調(diào)試,,今年第四季度,,32層三維閃存芯片將在一號(hào)芯片生產(chǎn)廠房進(jìn)行量產(chǎn)。此外,,64層三維閃存芯片研發(fā)也在緊鑼密鼓地進(jìn)行,,計(jì)劃2019年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
刁石京表示,,中國(guó)芯片技術(shù)落后于世界,,但自主研發(fā)的腳步始終沒有停止,兩代芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后將縮短與美國(guó),、日本,、韓國(guó)等國(guó)家在存儲(chǔ)芯片上的差距。
據(jù)悉,,長(zhǎng)江存儲(chǔ)由紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金,、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省科技投資集團(tuán)共同投資建設(shè),,負(fù)責(zé)國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目,。
根據(jù)規(guī)劃,至2023年,,基地產(chǎn)能將達(dá)到每月30萬片,,并形成設(shè)計(jì)、測(cè)試,、封裝,、制造、應(yīng)用等上下游集群,。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)首次公布突破性3D NAND架構(gòu)Xtacking
日前在美國(guó)舉辦的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上,。長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士將發(fā)布表主題演講并揭曉突破性技術(shù)Xtacking。官方稱,,Xtacking可以將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當(dāng)?shù)乃疁?zhǔn),,同時(shí)使存儲(chǔ)密度達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平,實(shí)現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時(shí)代躍進(jìn),。
據(jù)悉,,Xtacking可用于消費(fèi)級(jí)/企業(yè)級(jí)SSD還有UFS閃存,且實(shí)現(xiàn)了NAND矩陣與外圍電路的并行加工,。這種模塊化閃存開發(fā)和制造工藝將大幅縮短新一代3D NAND閃存的上市時(shí)間,,并使NAND閃存產(chǎn)品定制化成為可能。
那么DDR4的傳輸速度是什么級(jí)別?
以常見的DDR4-2400單通道為例,,數(shù)據(jù)速率2400Mbps,,理論峰值帶寬2400MHz x 64bit/8=18.75GB/s。
還不清楚紫光所謂速度級(jí)別的具體數(shù)字,,僅從紙面分析,,倒是很像Intel在做的傲騰存儲(chǔ),最終目標(biāo)是閃存,、內(nèi)存二合一,。