這幾天,，F(xiàn)lash Memory Summit正在美國舉行,。昨天,，關(guān)于此次峰會，行業(yè)主要關(guān)注的焦點(diǎn)就是我國的長江存儲在會上正式發(fā)布了全新的3D NAND架構(gòu)：Xtacking,。
今天,，SK海力士成為了另一家備受關(guān)注的企業(yè),，因?yàn)樵摴驹诜鍟闲纪瞥鋈蚴卓?D NAND閃存。
當(dāng)下,，3D NAND發(fā)展的如火如荼,，而且相應(yīng)技術(shù)仍處于前沿地帶，而SK海力士的宣傳更加吸引眼球,，直接推4D產(chǎn)品,。
4D閃存技術(shù)并不是SK海力士發(fā)明的。據(jù)悉,，該技術(shù)最早是由APlus Flash Technology公司提出的,，其技術(shù)原理是NAND+類DRAM的混合型存儲器，采用了“一時多工”的平行架構(gòu),，而3D-NAND只能執(zhí)行“一時一工”,。若一到十工同時在4D閃存系統(tǒng)執(zhí)行時，其速度會比3D-NAND快一到十倍,。
打個比方,，按照愛因斯坦的“相對論”， 時間已不是常數(shù),，因此,，可以認(rèn)為時間在4D閃存系統(tǒng)中變長了，從而能夠處理更多的事情,。反之,，時間在3D-NAND系統(tǒng)中可以認(rèn)為變短了，則處理的事情也就少了,。
總的來說,，4D閃存的設(shè)計(jì)理念是集前端高速易失性DRAM和后端低成本、非易失性的3D-NAND于一身,，巧妙地克服了3D-NAND的缺點(diǎn),。4D閃存是“統(tǒng)一型設(shè)計(jì)”架構(gòu)，在制程工藝不變的情況下,，可直接應(yīng)用到各種3D-NAND上,。
4D NAND究竟如何？
實(shí)際上,，SK海力士在今年5月25日就正式發(fā)布了4D NAND產(chǎn)品：96層堆疊的512Gb TLC,。本次峰會上，該公司更具體地介紹了該款產(chǎn)品,。
SK海力士稱其是業(yè)內(nèi)第一款4D閃存：V5 512Gb TLC,，采用96層堆疊、I/O接口速度1.2Gbps（ONFi 4.1標(biāo)準(zhǔn)）,、面積13平方毫米,，今年第四季度出樣,。
此外，BGA封裝的可以做到1Tb（128GB）,，模組最大2TB,，若放到2.5英寸的U.2中，則可以做到64TB,，2019年上半年出樣,。
性能方面，V5 4D閃存芯片的面積相較于V4 3D產(chǎn)品減小了20%,、讀速提升30%,、寫速提升25%。另外,，V5 4D閃存也規(guī)劃了QLC產(chǎn)品,，通過96層堆疊,，單Die最小1Tb,，明年下半年出樣。
據(jù)悉,，SK海力士內(nèi)部的4D閃存已經(jīng)推進(jìn)到了128層堆疊,，很快可以做到單芯片512GB。
該公司曾于2015年做到單芯片8TB,。目前,，SK海力士的3D NAND是72層堆疊，單芯片最大512Gb（64GB）,，首款企業(yè)級產(chǎn)品PE4010已于今年6月份出貨給微軟Azure服務(wù)器,。
峰會上，SK海力士還闡述了其3D NAND的技術(shù)路線選擇,，該公司稱,，CTF（Charge Trap Flash，電荷捕獲型）比Floating Gate（浮柵型）存儲單元面積更小,、速度更快,、更耐用（P/E次數(shù)多）。
而三星公司從2013年的第一代V-NAND 3D閃存就開始使用CTF了,，東芝/西數(shù)（閃迪）的BiCS亦是如此,。當(dāng)然，美光/Intel還是堅(jiān)持浮柵,，不過這倒無所謂,，畢竟他們有更厲害的3D Xpoint（基于相變內(nèi)存，還有一種說法是ReRAM磁阻式內(nèi)存）,。
另一家巨頭——美光在峰會上推出了“CuA”,，用于美光的第四代3D NAND中,。CuA是CMOS under Array的縮寫，即將外圍CMOS邏輯電路襯于存儲芯片下方,，它有三大好處,，提高了存儲密度、降低了成本,、縮短了制造周期,。號稱比第三代（96層堆疊）寫入帶寬提升30%、每存儲位的能耗降低40%,。
禁不住做個比較
在本次Flash Memory Summit峰會上,，SK海力士和我國的長江存儲先后都推出了前沿的閃存技術(shù)，不免要進(jìn)行一下比較,。
長江存儲推出了Xtacking架構(gòu),，其將外圍電路置于存儲單元之上，從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲密度,；其最大的特點(diǎn)是高速I/O,，高存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期,。特別是在I/O速度方面,，目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目標(biāo)值是1.4Gbps,，而大多數(shù)供應(yīng)商僅能供應(yīng)1.0 Gbps或更低的速度,。利用Xtacking技術(shù)有望大幅提升NAND的I/O速度至3.0Gbps，這與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng),。
據(jù)悉,，長江存儲已經(jīng)把這項(xiàng)技術(shù)運(yùn)用到相應(yīng)的存儲產(chǎn)品中（可能是64層堆疊的），預(yù)計(jì)明年開始量產(chǎn),，采用14nm制程工藝,。
而SK海力士的4D閃存的外圍電路和Xtacking正相反，在存儲單元下方,，據(jù)說這種設(shè)置的好處有三點(diǎn),，一是芯片面積更小、二是縮短了處理工時,、三是降低了成本,。
可見，長江存儲的Xtacking更強(qiáng)調(diào)存儲密度和高速的I/O,，而SK海力士的4D閃存更強(qiáng)調(diào)集成度和成本,。這也是和兩家企業(yè)的基本狀況相符的。
由于SK海力士是當(dāng)今全球三大存儲器廠商之一，其規(guī)模和技術(shù)功底肯定是明顯高于長江存儲的,。SK海力士4D閃存已經(jīng)做到了96層堆疊,，而長江存儲的第一代產(chǎn)品今年底才量產(chǎn)，采用的是32層堆疊,，其全線產(chǎn)品的總體存儲密度是低于SK海力士的,，因此，“缺什么補(bǔ)什么”,，Xtacking重點(diǎn)關(guān)注存儲密度也就順理成章了,。且Xtacking的最大特點(diǎn)是I/O速度，高達(dá)3.0Gbps,，明顯高于SK海力士的1.2Gbps,，如果Xtacking能夠順利量產(chǎn)的話，I/O指標(biāo)真能達(dá)到3.0Gbps,，那也是業(yè)界首創(chuàng)了,，再加上中國本土產(chǎn)品先天的成本優(yōu)勢，還是相當(dāng)有競爭力的,。
如前文所述,，4D閃存的技術(shù)原理是NAND+類DRAM的混合型存儲器，集前端高速易失性DRAM和后端低成本,、非易失性的3D-NAND于一身,。而Xtacking具有3.0Gbps的I/O吞吐量,，很可能是在類DRAM層面實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破,，我們知道，長江存儲是主攻NAND閃存的,，取得上述突破,，可見其在存儲器整體技術(shù)水平上已經(jīng)具有了比較強(qiáng)的實(shí)力（當(dāng)然，相對于幾家國際大廠,，還是有明顯差距的）,，在這方面，后續(xù)很可能會有新看點(diǎn)和驚喜,，值得期待,。
反觀SK海力士的4D閃存，由于其96層（128層估計(jì)也不遠(yuǎn)了）堆疊在存儲密度上已經(jīng)很有競爭力了,，所以該公司將關(guān)注的焦點(diǎn)放在了集成度和成本上,。集成度方面自不必說，所有數(shù)字和邏輯電路的大勢,。
看點(diǎn)在成本上,，由于中國相當(dāng)重視存儲器產(chǎn)業(yè)，國家大力支持,，無論是DRAM,，還是NAND Flash,，都有大項(xiàng)目先后上馬，且今明兩年陸續(xù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),，這給一直壟斷全球存儲器市場的那幾家大廠施加了不小的壓力,。中國一旦在技術(shù)和量產(chǎn)層面突破，其先天的成本優(yōu)勢很可能對幾家大廠的中低端產(chǎn)品形成摧枯拉朽的態(tài)勢,。因此,，SK海力士將前沿產(chǎn)品的成本放在重要考量位置，也可以算是未雨綢繆了,。
結(jié)語
回顧NAND發(fā)展史,，從1991年推出8Mb的2D-NAND，到2017年推出512Gb的3D-NAND為止,，共花了26年,。若以“摩爾定律”每兩年容量翻倍計(jì)算，應(yīng)只能增加213倍,。但實(shí)際上,，NAND容量卻增加了21?倍。
3D-NAND延續(xù)了2D-NAND高容量,、低成本等優(yōu)點(diǎn),，但也遺傳了其讀寫速度慢、資料品質(zhì)差等缺點(diǎn),。這些說明3D-NAND仍有很大的成長空間,，除了那幾家傳統(tǒng)巨頭外，新玩家紫光（長江存儲）,、旺宏,、Cypress等，也在陸續(xù)推出新型3D-NAND,，加入戰(zhàn)局,。
至于命名方面，是4D閃存,，還是在3D基礎(chǔ)上取個吸引眼球的名字,，就顯得不那么重要了。