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三星2018年第三季度盈利滿滿,,內(nèi)存芯片的貢獻(xiàn)超大

2018-10-11
關(guān)鍵詞: 三星 芯片 內(nèi)存

7月至9月的這個(gè)季度,三星電子營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為17.5萬億韓元(154億美元),,高于去年同期的14.53萬億韓元,。營(yíng)收同比增長(zhǎng)4.75%,,至65萬億韓元(572億美元),。

三星第三季度的高利潤(rùn)來源于其內(nèi)存芯片的銷量和三星顯示器的較高盈利率。今年三星的季度收益再創(chuàng)歷史新高,,還得感謝蘋果公司的支持,。目前來說,蘋果公司和三星電子之間的競(jìng)爭(zhēng)還是處于相愛相殺階段非常復(fù)雜,,一方面是全球手機(jī)市場(chǎng)的第一和第二的出貨量競(jìng)爭(zhēng),,另一方面蘋果公司的部分配件仍然由三星公司供給。

三星為何在內(nèi)存芯片市場(chǎng)稱霸,?

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目前全球內(nèi)存芯片市場(chǎng)是三星,、海力士、美光,、東芝,、西部數(shù)據(jù)等巨頭稱霸,三星市場(chǎng)份額最大,。因?yàn)槿菗碛腥蜃钕冗M(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,,在工藝方面它與全球最大的芯片代工廠臺(tái)積電處于同一水平,同時(shí),,三星在該領(lǐng)域起步早,、研發(fā)實(shí)力強(qiáng)、重視度高,,造就了如今的霸主地位,。

三星在內(nèi)存芯片的代表事件一覽:

1986 年7 月 成功開發(fā)出1M DRAM

1990 年11 月 成功開發(fā)出16M DRAM

1992 年9 月 世界上首次成功開發(fā)出64M DRAM

1994 年8 月 世界上首次成功開發(fā)出256M DRAM

1996 年10 月 成功開發(fā)出1G DRAM

1998 年2 月 世界上首次成功開發(fā)出128M SDRAM

1998 年4 月 世界上首次成功開發(fā)出256M SDRAM

1998 年7 月 成功開發(fā)出64M Rambus DRAM

1998 年9 月 界上首次成功開發(fā)出1G SDRAM

1999 年6 月 世界率先進(jìn)行256-MB SDRAM 芯片量產(chǎn)

1999 年6 月 世界上首次成功開發(fā)出1Gb DDR SDRAM

2000 年2 月 開發(fā)出圖形卡用高速SDRAM,3 月開發(fā)出世界最小的SRAM 封裝

2000 年4 月 世界上首次成功開發(fā)出512M DRAM

2001 年2 月 開發(fā)出4Gb DRAM 安全技術(shù)

2001 年5 月 開發(fā)出300MHz DDR SDRAM

2001 年7 月 開始512MB 閃存設(shè)備的大規(guī)模生產(chǎn)

2002 年1 月 世界上首次成功開發(fā)出4GB DDR 模塊,,Rambus DRAM 的總銷售額突破1 億人民幣

2002 年2 月 首次量產(chǎn)12"晶片制作的256M DRAM

2002 年3 月 世界上首次成功開發(fā)出512M DDR DRAM,,業(yè)內(nèi)首次獲得英特爾公司認(rèn)證

2002 年9 月 在世界上率先進(jìn)行90 納米內(nèi)存商業(yè)化

2002 年11 月 1GHz Rambus DRAM 業(yè)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)

2002 年1 月 率先推出4 GB DDR 模塊

2003 年7 月 開發(fā)出用于下一代內(nèi)存的PRAM 技術(shù),成為業(yè)界第一個(gè)開始300 mm 晶片1GB DDR DRAM 量產(chǎn)的公司

2003 年9 月 推出應(yīng)用芯片疊層CCP 技術(shù)制備的最小1GB DRAM 芯片

2004 年4 月 業(yè)內(nèi)首先開始圖形DDR3 DRAM 大規(guī)模生產(chǎn)

2004 年8 月 開發(fā)出世界第一款64MB PRAM

2004 年9 月 在世界上首次開始以90 納米DRAM 量產(chǎn)

2005 年6 月 90納米處理1 GB DDR2 DRAM 開始大規(guī)模生產(chǎn)

2005 年10 月 世界首次開發(fā)成功70nm DRAM,,開發(fā)出世界上速度最快的圖形DRAM(GDDR4)

2006 年 研發(fā)出50 納米DDR,2008 年4 月量產(chǎn)

2009 年2 月 研發(fā)出世界首款40 納米1GB DDR2 內(nèi)存

2010 年7 月 成功研發(fā)出世界首款30 納米級(jí)2GB DDR3 DRAM

雖然國(guó)內(nèi)對(duì)內(nèi)存芯片越來越重視,,也出現(xiàn)了長(zhǎng)江存儲(chǔ)、紫光國(guó)微等企業(yè),,但國(guó)內(nèi)廠商仍處于起步階段,,存儲(chǔ)器的研發(fā)能否成功,未來幾年將是關(guān)鍵期,;研發(fā)成功后,,良率能否提升到較高水平,成本控制是否能夠達(dá)到預(yù)期,,知識(shí)產(chǎn)權(quán)能否做到有效保護(hù)等,,仍然有一定的不確定性,。


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