2018年7月18日,，英特爾（Intel）公司成立50周年。

從1968年至2018年，從4004到8080到奔騰系列，從單核到雙核再到多核，從10微米到1微米到0.1微米再到10納米,，英特爾對于微處理器的探索一直孜孜不倦，50年來從沒停止過,。

1968 年 7 月 18 日,，因為不滿仙童半導(dǎo)體（Fairchild Semiconductor）的現(xiàn)狀，羅伯特·諾伊斯（Robert Noyce）和戈登·摩爾（Gordon Moore）選擇了離職,，并創(chuàng)辦諾伊斯-摩爾電子公司（NM Electronic）,，隨后公司支付了15000美元從Intelco公司買下“Intel”名字的使用權(quán)，并更名為英特爾公司,。

50年來,，有過歡樂，也有過淚水,， 有過曾經(jīng)的彷徨,，更有過信心滿懷。從1985年的斷臂轉(zhuǎn)型到錯失智能手機市場再到今天對智能駕駛的豪賭,，英特爾始終一“芯”,。

可是就在2018年，就在50周年大喜日子前夕。英特爾迎來了多事之秋,，讓人嘆息,。

2017年全球最大半導(dǎo)體公司的王冠，被三星電子搶走了,，要知道,，這王冠從1992年開始就一直帶在英特爾頭上。

屋漏偏逢連夜雨,，不順心的事是一樁連一樁,。年初的CPU設(shè)計缺陷，導(dǎo)致安全漏洞,；6月的首席執(zhí)行官性丑聞事件,，導(dǎo)致群龍無首；10納米工藝遲遲無法突破,，工藝制程延宕,。

公司50周年紀念日，估計是啥味道都有,，酸甜苦辣咸,！

沒人主持英特爾50歲大慶

2018年6月21日，英特爾宣布,，首席執(zhí)行官布萊恩·科贊奇（Brian Krzanich）與公司前雇員有“consensual relationship”，違反了公司相關(guān)準則,，董事會已經(jīng)接受其辭職,。

按說少了一個首席執(zhí)行官，沒啥大不了,；可是現(xiàn)在英特爾是首席執(zhí)行官和總裁都空缺,。

2016年1月，時任總裁詹睿妮（Renée J. James）宣布辭職,。公司一直沒有宣布新總裁的人選,。

MY GOD！50歲的英特爾,，盡然出現(xiàn)這種事情,！沒有一個掌舵人了！

50周年大慶誰來主持,？

董事會這下急眼了,！逮個人頂著再說。

于是進入公司不到兩年的執(zhí)行副總裁兼首席財務(wù)官Robert (Bob) H. Swan被趕鴨子上架,，擔任臨時首席執(zhí)行官（Interim CEO ）,。不過這個仁兄說了，無意正式接任CEO一職,，不愿意被列入候選名單之中,。

新首席執(zhí)行官源自內(nèi)部

按照英特爾的慣例,，首席執(zhí)行官退位，直接任命總裁為首席執(zhí)行官就好了,。50年,，英特爾都是這么干的。

50年來,，英特爾歷史上有過6位正式首席執(zhí)行官,，他們分別是羅伯特·諾伊斯、戈登·摩爾,、安迪·葛洛夫（Andrew Grove）,、克瑞格·貝瑞特（Craig R. Barrett）、保羅·歐德寧（Paul S. Otellinii）和布萊恩·科贊奇,。

除了羅伯特·諾伊斯外,，包括聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾、安迪·葛洛夫,、克瑞格·貝瑞特,、保羅·歐德寧四位都是從總裁位置上被任命為首席執(zhí)行官的，而且安迪·葛洛夫,、克瑞格·貝瑞特,、保羅·歐德寧在擔任總裁前都擔任過首席運營官。而布萊恩·科贊奇在被任命為首席執(zhí)行官前是執(zhí)行副總裁兼首席運營官,。

從這6位首席執(zhí)行官的履歷中可以看出,，羅伯特·諾伊斯和戈登·摩爾是公司的聯(lián)合創(chuàng)始人，安迪·葛洛夫是公司第3號員工,，而克瑞格·貝瑞特,、保羅·歐德寧和布萊恩·科贊奇都是從畢業(yè)后就在英特爾工作的，一直沒有換過公司,。

也就是說,，英特爾的首席執(zhí)行官都是從內(nèi)部挑選提拔的。

前5任首席執(zhí)行官都會兼任一段時間的總裁,，然后在退休前將總裁的位置交給公司董事會要著力培養(yǎng)的人,，一般兩年左右，總裁就會繼任首席執(zhí)行官,。

45年來沒有變化,。

布萊恩·科贊奇是個例外，在2013年5月2日,，他當選了首席執(zhí)行官,。可總裁位置卻交給了詹睿妮（Renée J. James）。

我們來看看英特爾6位首席執(zhí)行官當選時的年齡,，羅伯特·諾伊斯46歲,、戈登·摩爾51歲、安迪·葛洛夫56歲,、克瑞格·貝瑞特59歲,、保羅·歐德寧55歲和布萊恩·科贊奇53歲。除了羅伯特·諾伊斯外,，其他都是50多歲當選,。

也許董事會認為詹睿妮當時還年輕，畢竟2013年時小詹才49位,，畢竟在當年三選一或二選一情況下,，也許董事會認為讓小詹多熬幾年資歷更好。

可誰知,，小詹不干了,，在當了2年總裁后，于2015年7月提出辭職,，想出去當個首席執(zhí)行官,。于是在2016年1月正式離職，英特爾的總裁位置也一直空缺至今,。

第七任首席執(zhí)行官來自何方

好了,，首席執(zhí)行官位置空缺，原本提拔總裁就好,，現(xiàn)在總裁位置也是空缺,，無法提拔。

于是董事會緊急行動,，組成了首席執(zhí)行官遴選委員會。外界也為遴選委員會開出了一長串的候選人名單：

蕾妮·詹姆斯（Renee James）55歲,，前英特爾總裁,，現(xiàn)在負責(zé)芯片初創(chuàng)公司Ampere Computing；

斯塔西·史密斯（Stacy Smith）,，前英特爾首席財務(wù)官,；

柏安娜（Diane Bryant），前英特爾高級副總裁,；

施浩德（Kirk Skaugen）,，前英特爾公司全球副總裁兼PC客戶端事業(yè)部總經(jīng)理；

阿南德·錢德拉塞卡爾（Anand Chandrasekher）,，前英特爾高級副總裁兼便攜集團總經(jīng)理,；現(xiàn)就職高通

孫納頤（(Navin Shenoy），1995年加入，45歲,，現(xiàn)英特爾執(zhí)行副總裁兼數(shù)據(jù)中心事業(yè)部總經(jīng)理,；

文卡塔·倫杜琴塔拉（Venkata Murthy Renduchintala），現(xiàn)英特爾技術(shù),、系統(tǒng)架構(gòu)與客戶集團總裁兼首席工程官,，2016年從高通引進

拉賈·克杜里（Raja Koduri），核心和可視計算集團高級副總裁,，2017年從AMD引進,；

桑杰·賈（Sanjay Jha），前格芯首席執(zhí)行官,；

當然,，還有很多。

究竟選誰當首席執(zhí)行官,，遴選委員會自有其考量,。

不過9月初，據(jù)彭博社援引知情人士消息稱,，英特爾已經(jīng)開始縮小CEO候選范圍,，有可能會首次引進一位公司外的人才。

新任首席執(zhí)行官會讓窘境之中英特爾找到新路還是繼續(xù)沉淪,，將很快見到結(jié)果,。

期待新任首席執(zhí)行官揭曉吧！

10納米工藝遲遲無法突破

2017年9月,，英特爾北京“精尖制造日”活動云集了英特爾制程,、制造方面最權(quán)威的專家團，閉關(guān)修煉的英特爾終于秀出了它的10納米工藝,。并笑稱：“老虎不發(fā)威,，你當我是病貓？”

在“精尖制造日”中,，英特爾高級院士,、技術(shù)與制造事業(yè)部制程架構(gòu)與集成總監(jiān)Mark Bohr展示了英特爾的制程工藝時間圖。他說,，英特爾是首家做到22納米FinFET的公司,，比競爭友商至少領(lǐng)先三年。

可中國古話說得好：好漢不提當年勇,，智者莫念昔日功,。22納米之后的半導(dǎo)體江湖可謂是腥風(fēng)血雨。 

2014年英特爾推出了14納米工藝,，隨后臺積電量產(chǎn)16納米工藝,，三星量產(chǎn)14納米工藝,，2015年下半年發(fā)布的蘋果A9處理器就分別采用了三星的14納米工藝和臺積電的16納米工藝。2016年,，臺積電和三星又相繼推出了自己的10納米工藝,，比英特爾的10納米工藝早了將近一年的時間。

如果按照之前的Tick-Tock戰(zhàn)略進行,，英特爾應(yīng)該在2015年底就量產(chǎn)10納米工藝了,，只不過這些都是奢望了。

英特爾的10納米工藝是“只聞樓梯響,，不見人下來”,。工藝一再延期，目前官方說法是2019年底開始量產(chǎn),，不過真正大規(guī)模量產(chǎn)桌面及服務(wù)器處理器要到2020年了,。

臺積電不光10納米量產(chǎn)，就連7納米工藝在2018年已經(jīng)開始量產(chǎn)移動芯片,，包括蘋果A12及華為海思麒麟980處理器,，當然AMD的CPU及GPU芯片使用的是臺積電的7納米HPC高性能工藝，2019年應(yīng)該才大規(guī)模量產(chǎn),。

Rosenblatt Securities的分析師Hans Mosesmann在8月份的報告中表示,，英特爾在半導(dǎo)體工藝上的瓶頸不只是10納米延期，而且需要許多時間來解決這個問題,，因此造成英特爾的工藝劣勢將持續(xù)5年,、6年甚至7年。對英特爾工藝落后持悲觀看法的不止他一個,，Raymond James的分析師Chris Caso的報告稱,，英特爾最大的戰(zhàn)略問題就是他們的10納米工藝延期，我們預(yù)計未來兩年內(nèi)英特爾都不會推出10納米服務(wù)器芯片,。10納米制程延后的問題,，也為競爭對手打開了一扇窗，而且這扇窗可能永遠都不會關(guān)上 ,。

盡管英特爾在制程工藝上落后對手是近十年來罕見的,，10納米工藝的延期確實給英特爾制造了很多麻煩，也讓很多分析師不看好,。因為AMD已經(jīng)憑借臺積電的尖端工藝開始摧城拔寨了。

英特爾何時再發(fā)虎威

而在更新一代半導(dǎo)體工藝上,，臺積電及三星已經(jīng)規(guī)劃了5納米以及3納米工藝,，其中臺積電的5納米工藝投資計劃超過250億美元，預(yù)計2019年試產(chǎn),，2020年量產(chǎn),；3納米工藝計劃投資約為200億美元,，2020年開始建廠，2021年完成設(shè)備安裝,，預(yù)計2022年底到2023年初量產(chǎn),。

三星在2018Samsung Foundry Forum會議上宣布，已經(jīng)準備好了7nm LPP 工藝,，2018年下半年生產(chǎn),，并稱7納米工藝是全球首次使用先進的 EUV光刻解決方案。并公布了5納米,、4納米和3納米制程的計劃,。其中，5納米/4納米工藝仍會使用現(xiàn)有的FinFET制造技術(shù),，3納米工藝采用GAA納米技術(shù),，對于投產(chǎn)時間，三星表示,，2019年5納米,，2020年4納米，2021 年3納米,。

在2017“精尖制造日”中,，英特爾高級院士、技術(shù)與制造事業(yè)部制程架構(gòu)與集成總監(jiān)Mark Bohr介紹了英特爾10納米制程工藝的最新細節(jié),，展現(xiàn)了英特爾的技術(shù)領(lǐng)先性,。提升密度、提高性能,、降低能耗,、降低成本，是英特爾致力的目標,。

Mark Bohr介紹了14納米超微縮相對于22納米超微縮的領(lǐng)先性,，同時也介紹了10納米相對于14nm超微縮的技術(shù)差異。他說,，從22納米到14納米再到10納米,，第三代FinFET晶體管有了極大的突破。從14納米到10納米,，晶體管密度提升非?？捎^，14納米工藝中每平方毫米晶體管數(shù)量不到4000萬個,，而10納米工藝中每平方毫米晶體管數(shù)量超過1億個,。10納米鰭片的高度較14納米提高25%，間距縮小25%,，超強的微縮能力和全新特性將晶體管密度提升了2.7倍,。

Mark Bohr還表示,，7納米技術(shù)在全速開發(fā)過程中，英特爾將繼續(xù)打造高密度晶體管技術(shù),，并進一步提高每瓦的性能,。在5納米，正在共同探索不同的晶體管技術(shù)的可選方案,，包括產(chǎn)品的方案,，最近我們也得出了一些初步結(jié)論。究竟在5納米技術(shù)上我們希望涵概哪些核心功能,。我堅信摩爾定律將繼續(xù)推進晶體管技術(shù)的發(fā)展,，將繼續(xù)降低單位成本，而且可以提高每瓦性能,。

鈷替代銅,、鎢，英特爾致用秘籍

畢竟英特爾每年研發(fā)投入100多億美元,，絕對不是隨便玩的,。肯定是要拿出一些新技術(shù)玩意的,。

隨著半導(dǎo)體制造朝著10納米以下發(fā)展,，原本以銅作為導(dǎo)線材料已經(jīng)暴露導(dǎo)電速率不足的問題，讓制程在10納米,、7 納米蘠上遇到瓶頸,。因此新材料的應(yīng)用將是突破半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵。

而用鈷替代銅,，絕對是英特爾10納米的賣點,。

2017年12月份在舊金山舉辦的IEEE IEDM會議上，英特爾公司闡述了將鈷金屬應(yīng)用于10納米芯片最細連接線的設(shè)想,，英特爾詳細介紹了用鈷代替鎢制成的電接觸材料設(shè)備的性能,。

應(yīng)用材料公司的Kevin Moraes表示，雖然金銅的電阻率比鋁,、鎢甚至是鈷都要低,。但是銅在更小尺度上很容易受到電遷移的影響。當電子加速穿過超薄線路時,，它們會將原子驅(qū)趕到金屬中,，就像是一位急匆匆的行人將另外一個人推到人行道外面一樣。為了保護銅互連,，需要在纖細的線路中鑲嵌其他材料,，如氮化鉭甚至是鈷。

作為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備龍頭,，應(yīng)用材料每年投入的研發(fā)費用也十分可觀,，其2017財年的研發(fā)經(jīng)費接近18億美元，占總營收的12%強,。應(yīng)用材料也是最早投入以鈷代替銅,、鎢做為導(dǎo)線材料的設(shè)備廠商之一。據(jù)悉,，應(yīng)用材料已經(jīng)有一系列設(shè)備可以對應(yīng)鈷材料,，包括ENDURA平臺上物理氣相沉積PVD、原子層沉積ALD,、化學(xué)氣相沉積CVD,。ENDURA平臺推出20年來，已經(jīng)有超過100個客戶使用超過4500臺ENDURA平臺,。當然應(yīng)用材料不只ENDURA平臺,，在PHRODUCER平臺上的退火設(shè)備、PROVISION平臺上的電子束檢測,、以及REFLEXION LK PRIME CMP平臺的上的平坦化設(shè)備翥可以滿足鈷互連工藝,。這一整套整合鈷金屬解決是針對10納米/7納米以下制程的，可以滿足加速芯片效能,，縮短芯片上市時間的需求,。

相比于銅來說，鈷的電阻率很高,，是其3倍,，但電遷移的可能性要小得多。為了保證晶體管之間以及晶體管內(nèi)部的短程連接,，晶圓制造商開始利用鈷作為金屬層材料,。在2017年的IEDM大會上，英特爾的報告中指出,，在10納米加工技術(shù)的兩層超薄布線層中使用鈷互聯(lián),，電遷移減少了1/10至1/5，電阻率是原來的一半,。改善后的互連線路將有助于半導(dǎo)體行業(yè)克服線路問題,，進一步縮小晶體管尺寸。

英特爾公司是第一個將芯片中的銅換成鈷的公司,。在工藝改進過程中,，英特爾公司曾經(jīng)將與晶體管柵極接觸的鎢金屬層替換成鈷金屬層。之前選擇用鎢是因為鎢有彈性且不會有電遷移問題,。但是鎢的電阻率很高,。

VLSI Research的首席執(zhí)行官Dan Hutcheson說：“最大的問題是在哪里植入新技術(shù)。如果你過早應(yīng)用,，就會產(chǎn)生很多成本,。英特爾愿意為此付出高價,，并且他們有能力調(diào)試新的材料?！?/p>

做為第一個吃螃蟹的人,，英特爾在用鈷替代銅、鎢做導(dǎo)線時,，已經(jīng)做好了準備,。一旦在互連材料的替代上取得先機，將銳不可擋,。

畢竟臺積電和三星在未來也會碰到英特爾一樣的難題,。

就算鈷替代銅和鎢可以避免，也還會碰到其他難題,。畢竟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展到今天,，面臨了近20年來的最重要的材料變革，技術(shù)推動已經(jīng)假手換人,，摩爾定律推進的難度大增,。

畢竟半導(dǎo)體技術(shù)的進步來不得半點虛假。在后摩爾時代,，晶體管架構(gòu)的改變,、EUV光刻機的出現(xiàn)、封裝技術(shù)越來越受重視,、新材料的出現(xiàn),，都將延續(xù)該定律的經(jīng)濟效應(yīng)。

未來鹿死誰手,，讓我們拭目以待吧,！