在10月22日召開的北京微電子國際研討會暨IC World大會上，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司（簡稱“大基金”）總裁丁文武表示,，發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)是建設創(chuàng)新國家的必然選擇,，不管國際形勢多么復雜和嚴峻,，中國發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的信心和決心不會改變,。發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)要在“補短板、強長板”方面下功夫,。

　　IC產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展

　　據(jù)丁文武介紹,，今年上半年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為2726.5億元，同比增長23.9%,。其中,，設計銷售額為1019億元，同比增長22.8%,；制造銷售額為737.4億元,，同比增長29.3%，繼續(xù)保持高速增長態(tài)勢,；封測銷售額為970億元,，同比增長21.2%。

　　中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計的數(shù)據(jù)顯示,，自2012年以來,，國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額連續(xù)保持每年兩位數(shù)高速增長態(tài)勢。2012年的銷售額為2158.5億元,，同比增長11.6%,；2013年銷售額為2508.51億元，同比增長16.2%,；2014年銷售額為3015.4億元,，同比增長20.2%；2015年銷售額為3609.8億元,，同比增長19.7%；2016年為4335.5億元，同比增長20.1%,；2017年為5411.3億元,，同比增長24.8%。

　　國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)?？焖侔l(fā)展的同時,，技術水平不斷提升。丁文武指出,，在芯片設計領域,，14納米和16納米的設計占比進一步增加，設計水平接近國際先進水平,；在制造領域,，28納米工藝實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，14納米和16納米工藝研發(fā)與生產(chǎn)線建設取得階段性進展,；在封測領域,，中高端封裝比例占30%以上；在裝備材料領域,，部分關鍵材料和裝備已經(jīng)進入國內(nèi)外生產(chǎn)線,。

　　值得一提的是，近期國內(nèi)集成電路制造領域捷報頻傳,。10月18日,，華力二期12英寸先進生產(chǎn)線正式建成投片；8月9日,，中芯國際宣布在14納米FinFET技術開發(fā)上取得重大進展,；8月9日，長江存儲在美國召開的閃存峰會詳細介紹了X-tacking技術,。丁文武表示,，在存儲制造領域，“3D NAND flash和DRAM生產(chǎn)線正在建設過程中,，有望很快建成投片,。”

　　大力補短板,、強長板

　　丁文武指出,，要清醒認識到，與國際水平相比國內(nèi)還有很大差距,。一是對外依存度高,，技術水平差距大；二是高端核心芯片基本依賴進口,；三是產(chǎn)業(yè)規(guī)模差距大,；四是企業(yè)研發(fā)投入與國際大企業(yè)相比差距大,；五是人才還有大量缺口。

　　“盡管目前面臨復雜嚴峻的國際形勢和挑戰(zhàn),，但要看到,，國內(nèi)發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)還是有機遇的，包括政策的大力支持,、巨大的市場需求,、新技術和新興產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新驅(qū)動帶來的活力，以及對外開放,、國際合作等,。”丁文武表示,，今后集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展要在“補短板,、強長板”方面下功夫。要理性發(fā)展集成電路制造業(yè)?，F(xiàn)在很多地方發(fā)展集成電路的積極性很高,，但要避免低水平重復、無序化,、同質(zhì)化以及分散化的現(xiàn)象,。

　　具體到實踐層面，丁文武認為,，在設計領域,，要大力發(fā)展高端芯片，比如CPU,、MCU等,；在制造領域，要大力發(fā)展先進工藝生產(chǎn)線,、存儲生產(chǎn)線以及化合物半導體生產(chǎn)線等,；在封測領域，要擴大高端封測的能力,；在裝備領域,，要大力發(fā)展光刻機、刻蝕機,、離子注入機等高端設備,；在材料領域，要推動大硅片,、光刻膠,、靶材、高純化學品等關鍵核心材料的產(chǎn)業(yè)化,。