Q3臨近,，各家公司的財報也是悲喜兩重天，而全球最大的光刻機公司荷蘭ASML公司保持開掛態(tài)勢,，當(dāng)季營收27.8億歐元，凈利潤6.8億歐元,，同比增長13.4%,，出貨了5臺EUV光刻機。據(jù)悉,，ASML預(yù)計全年出貨18臺,，明年將增長到30臺，為何光刻機的生意如此“紅火”,？

　　工藝升級帶來利好

　　從大勢來看,，這是工藝升級需求所致。

　　臺積電前不久試產(chǎn)了7nm EUV工藝,，采用ASML的新式光刻機Twinscan NXE,，完成了客戶芯片的流片工作，同時宣布5nm工藝將在2019年4月開始試產(chǎn),，量產(chǎn)則有望在2020年第二季度,。

　　在7nm EUV工藝上成功完成流片，證明了新工藝新技術(shù)的可靠和成熟,，為后續(xù)量產(chǎn)打下了堅實基礎(chǔ),。相比臺積電第一代7nm深紫外光刻(DUV)技術(shù)，臺積電宣稱可將晶體管密度提升20%,，同等頻率下功耗可降低6-12%,。而7nm之后，臺積電下一站將是5nm(CLN5FF/N5),，將在多達(dá)14個層上應(yīng)用EUV,，號稱其可比初代7nm工藝的晶體管密度提升80%，芯片面積縮小45%,，頻率提升15%,，功耗降低20%。

　　而三星也宣布開始進(jìn)行7nm LPP（Low Power Plus）工藝芯片的量產(chǎn)工作,。三星的7nm LPP采用ASML的EUV光刻機,，型號為雙工件臺NXE:3400B（光源功率280W）,，日產(chǎn)能1500片。在技術(shù)指標(biāo)上,，對比10nm FinFET,，三星7nm LPP可實現(xiàn)面積能效提升40%、性能增加20%,、功耗降低最多50%,。目前已知，高通新一代的5G基帶會采用三星的7nm LPP工藝,。

　　這些代工巨頭們在先進(jìn)制程持續(xù)競賽,，意味著EUV工藝就要正式產(chǎn)業(yè)化，這為打拼20多年的ASML帶來了全新的曙光,，迎來了開掛態(tài)勢。

　　產(chǎn)能進(jìn)一步提升

　　值得一提的是,，ASML明年下半年會推出新一代的NXE:3400C型光刻機,，WPH（每小時處理的晶圓數(shù)量）產(chǎn)能從現(xiàn)在的每小時125片晶圓提升到155片晶圓以上，意味著產(chǎn)能提升24%,。

　　現(xiàn)在的NXE:3400B型EUV光刻機的產(chǎn)能為125 WPH,，而NXE:3400C的產(chǎn)能預(yù)計再提升24%，這對改善EUV工藝的產(chǎn)能很有幫助,。

　　不過有專家分析,，EUV光刻工藝今年正式量產(chǎn)只是一個開始，因為沉浸式光刻機的產(chǎn)能可達(dá)250 WPH,，可以250W的光源長時間穩(wěn)定運行,，因此，EUV光刻155 WPH的產(chǎn)能雖然可喜可賀,，但還需要持續(xù)精進(jìn),。

　　ASML公司CEO Peter Wennink也曾指出，“ASML 也將著力加速提升EUV系統(tǒng)的妥善率和生產(chǎn)力,，以實現(xiàn)2019年至少出貨30臺EUV系統(tǒng)的計劃,。”

　　開發(fā)成本躥升

　　而在ASML公司Q3的光刻機銷售中,，韓國公司占比33%,，我國臺灣公司占比30%，大陸公司占比18%,，前一個季度中大陸公司占比是19%,，不過Q3季度中臺灣公司占比從18%增長到了30%，韓國公司占比從35%降至33%,。

　　在單機過億歐元的EUV光刻機方面,，Q3季度ASML出貨了5臺EUV光刻機,，上個季度出貨7臺EUV光刻機，預(yù)計Q4季度出貨6臺EUV光刻機,，全年出貨的數(shù)量將達(dá)到18臺,，而2019年EUV光刻機預(yù)計出貨數(shù)量達(dá)到30臺。

　　而這也表明,，隨著半導(dǎo)體工藝的急劇復(fù)雜化,，不僅開發(fā)量產(chǎn)新工藝的成本大幅增加，開發(fā)相應(yīng)芯片也越來越花費巨大,，目前估計平均得花費1.5億美元,，5nm時代可能要2-2.5億美元。中國大陸無論是代工廠商還是芯片廠商,，都需要為這股“前進(jìn)”勢力付出更多的投入,。