隨著64層堆棧3D NAND閃存的大規(guī)模量產(chǎn),，全球6大NAND閃存廠商今年都開始轉(zhuǎn)向96層堆棧的新一代3D NAND,，幾家廠商的技術(shù)方案也不太一樣，SK Hynix給他們的新閃存起了個(gè)4D NAND閃存的名字,，在今年的FMS國(guó)際閃存會(huì)議上正式宣告了業(yè)界首個(gè)基于CTF技術(shù)的4D NAND閃存,，日前他們又宣布4D NAND閃存正式量產(chǎn)，目前主要是TLC類型,，96層堆棧,，512Gb核心容量，使用該技術(shù)可以減少30%的核心面積，讀取,、寫入速度分別提升30%,、25%。

　　根據(jù)SK Hynix之前公布的信息,，所謂的4D NAND閃存其實(shí)也是3D NAND,，它是把NAND閃存Cell單元的PUC（Peri Under Cell）電路從之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND閃存,，本質(zhì)上其實(shí)還是3D NAND,，4D NAND閃存有很強(qiáng)的商業(yè)營(yíng)銷味道。

　　SK Hynix的4D NAND閃存首先會(huì)量產(chǎn)TLC類型的,，核心容量分別是512Gbt,、1Tb，都是96層堆棧,，IO接口速度1.2Gbps,，不過兩者的BGA封裝面積是不一樣的，1Tb版顯然更大一些,。

　　至于QLC類型的,，這個(gè)未來會(huì)是SK Hynix量產(chǎn)的重點(diǎn)，核心容量1Tb,，但量產(chǎn)時(shí)間會(huì)在明年下半年,，還需要一些時(shí)間。

　　韓聯(lián)社報(bào)道稱,，SK Hynix公司4日宣布正式宣布96層堆棧的4D NAND閃存,，TLC類型，核心容量512Gb,，與現(xiàn)有的72層堆棧3D NAND閃存相比,，4D NAND閃存的核心面積減少了30%，單片晶圓的生產(chǎn)輸出增加了50%,，而且性能也更強(qiáng)——讀取速度提升30%,，寫入速度提升25%。

　　根據(jù)官方所說,，4D NAND閃存今年內(nèi)會(huì)量產(chǎn),，而主要生產(chǎn)基地就是剛剛落成的M15工廠，總投資高達(dá)15萬億韓元,，約合135億美元,。