SK海力士宣布成功開發(fā)1ynm 16Gb DDR5 DRAM,，支持5200Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率,，比上一代的3200Mbps快約60％,，每秒可處理41.6GB數(shù)據(jù)或11個全高清視頻文件（每個3.7GB）,。

　　SK海力士1ynm 16Gb DDR5 DRAM是滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的DDR5產(chǎn)品,，并將于2020年大規(guī)模量產(chǎn)。

　　之前SK海力士推出的8Gb DDR4 DRAM也是采用的1ynm工藝技術(shù),。隨著1ynm技術(shù)的擴(kuò)大應(yīng)用,，將有助于提高SK海力士在業(yè)界的領(lǐng)先競爭優(yōu)勢。

　　與DDR4相比,，DDR5具有超高速,、高密度、低功耗等優(yōu)勢,，適用于大數(shù)據(jù),、人工智能和機器學(xué)習(xí)等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。SK海力士成功將DDR5工作電壓從1.2V降至1.1V,，與上一代DDR4 DRAM相比,，功耗降低30%。

　　DDR5整體效能都比前一代提升不少,，電力方面是將DDR4的運轉(zhuǎn)電壓從1.2V降低到1.1V,，讓耗電量與前一代相比減少30%。數(shù)據(jù)傳輸速度也提高了1.6倍,，從前一代的3200Mbps提高至5200Mbps,。若實際舉例，DDR5只用1秒就能處理11部3.7GB大的Full HD電影,，相當(dāng)于41.6GB的數(shù)據(jù),。

　　同時存儲數(shù)據(jù)的存儲單元（Cell）領(lǐng)域的單位管理區(qū)域（bank），也從16個擴(kuò)大到32個,，意味著能夠一次性處理的數(shù)據(jù)量,，從8個增加到了16個。另外,，SK海力士也期待透過芯片內(nèi)置的糾錯回路（Error Correcting Code）,，能大幅提升高用量系統(tǒng)的信賴度。

　　值得注意的是,，為了確保DDR5的高效能,，運用了許多新技術(shù)，其中包含能把D-RAM的讀取,、寫入的回路,，調(diào)節(jié)為最佳狀態(tài)的高速訓(xùn)練技術(shù)（high speed training scheme）、去除傳送時出現(xiàn)雜音的DFE,、并列處理命令或數(shù)據(jù)的4Page Clocking ,、最小化讀取數(shù)據(jù)時的扭曲或雜音情況,，以及能夠創(chuàng)造低雜音、高性能的新款DDL與DCC等,。

　　早在今年5月,，Cadence就展示了首款DDR5內(nèi)存驗證模組，DRAM來自美光,，接口層自研,，采用臺積電7nm工藝，數(shù)據(jù)率可達(dá)4400MT/s,，也就是頻率高達(dá)4400MHz,。

　　按照進(jìn)度，JEDEC有望年底公布DDR5最終規(guī)范,，預(yù)計起步頻率4800MHz,，最高可達(dá)6400MHz。此外,，還將對電壓,、總線效率等進(jìn)行改善。

　　除了SK海力士,，三星在7月份宣布成功開發(fā)出10nm級8Gb LPDDR5 DRAM，主要應(yīng)用于移動設(shè)備,、如手機平板,、二合一電腦等。美光也規(guī)劃其16Gb DDR5芯片將在2019年底量產(chǎn),，并基于18nm以下工藝,。隨著人工智能等技術(shù)的發(fā)展，業(yè)界預(yù)計從2020年開始,，市場對DDR5芯片的需求將不斷的增加,，2023年將主導(dǎo)市場。