在很多應(yīng)用中，尤其是測試和測量領(lǐng)域,，您都需要借助外部裝置或數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器設(shè)置反相降壓/升壓穩(wěn)壓器的輸出電壓,。在常規(guī)的降壓拓?fù)渲?，這種操作很簡單：只需要借助一個(gè)帶有串聯(lián)電阻器的電壓電源,、一個(gè)電流源或者一個(gè)DAC將電流導(dǎo)入反饋節(jié)點(diǎn),，如圖1所示,。
1.采用降壓拓?fù)涞目删幊屉妷?/p>
但是,，如果您需要改變降壓-升壓拓?fù)渲械碾娮杵鞯碾妷?，就有一點(diǎn)麻煩了,。
您可以通過反相接地和VOUT電位并使集成電路的參考位于-VOUT電位而配置降壓-升壓拓?fù)渲械慕祲悍€(wěn)壓器。也就是說穩(wěn)壓器集成電路的接地腳位于-VOUT,。由于穩(wěn)壓器的FB引腳位于-VOUT電位而非接地電位上,，將電流導(dǎo)入FB引腳便有一點(diǎn)棘手,。為將電流導(dǎo)入反相降壓-升壓拓?fù)渲械腇B引腳，您需要電平移動(dòng)電壓源/DAC的信號(hào),。在本文中,，我將向大家介紹一些不同的方法。
以德州儀器的LMZM33606為例,。LMZM33606是一個(gè)額定輸入電壓為36V的降壓電源模塊,，最大負(fù)載為6A。 圖2說明了如何將LMZM33606設(shè)置為反相降壓-升壓穩(wěn)壓器,。
2.利用LMZM33606反相降壓-升壓,。
方法1：使用一個(gè)PNP的電平位移器
在這些降壓-升壓應(yīng)用中使用LMZM33606時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)-15V至-5V的可編程輸出電壓范圍,。通過電流源方法,，您能夠以絕對(duì)量級(jí)調(diào)低穩(wěn)壓器的輸出。這樣,，在設(shè)置反饋分頻器電阻器時(shí),，便可以將設(shè)計(jì)的默認(rèn)輸出設(shè)為-15V。添加外部電流源時(shí),，您可以將穩(wěn)壓器輸出設(shè)置為-5V,。默認(rèn)輸出為-15V時(shí)，計(jì)算的高反饋值和低反饋值分別為：
·RFBT = 100k?.
·RFBB = 7.42k?.
電平位移接地參考信號(hào)以將電流導(dǎo)入FB引腳的最簡單的方法是,，使用單PNP型雙極性晶體管(BJT),。圖三說明了如何將一個(gè)單PNP作為電平位移器使用。
3.使用單PNP的部署,。
PNP Q1的基極接地,，反射極通過電阻器連接DAC/電壓源。電壓源高于PNP基地發(fā)射下拉(VBE)時(shí),，會(huì)產(chǎn)生等式1所述的電流：
Rext設(shè)定為50kΩ,。FB節(jié)點(diǎn)可以應(yīng)用基爾霍夫電流定律，您可以使用等式2計(jì)算電流IX：
在等式2中代入等式1,，得出等式3,，由此可以計(jì)算出調(diào)整輸出電壓VOUT所需的編程電壓VX：
將等式3變成等式4，可以得出根據(jù)VX值進(jìn)行變成的VOUT:
等式4說明了VOUT對(duì)晶體管VBE的從屬關(guān)系,。晶體管VBE本身取決于集電極電流,，隨溫度變化時(shí)，會(huì)影響編程VOUT的精確度,。
下一個(gè)方法說明了如何從等式中移除VBE,。圖4所示是一個(gè)有兩個(gè)PNP晶體管的電路，所采用的連接方式可以抵消VBE的影響,。
方法2：使用兩個(gè)PNP的電平位移器
4.使用兩個(gè)PNP抵消VBE的部署,。
本方法需要使用兩個(gè)PNP,，最好是使用兩個(gè)組合包裝的PNP BJT，以確保兩個(gè)晶體管之間匹配良好,。本方法還可以減少輸出電壓編程中的錯(cuò)誤,。
Q1晶體管的基極連接至程控電壓源。發(fā)射極經(jīng)由一個(gè)串聯(lián)電阻器RS連接至另一個(gè)正電軌,，并且集電極接地,。這樣便可以在晶體管的發(fā)射極形成一個(gè)VX + VBE電壓。Q2晶體管的發(fā)射極通過電阻器RX連接至Q1的發(fā)射極,。RX設(shè)置導(dǎo)入FB節(jié)點(diǎn)的電流,。基極接地后,，Q2發(fā)射極節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生一個(gè)+VBE,。等式5計(jì)算了流至發(fā)射極的電流（理想情況）：
之前曾解釋過，晶體管的VBE取決于集電極電流,，如等式6所述：
其中IC為集電極電流,，IS為飽和電流，VT為熱電壓,。
如果兩個(gè)晶體管的集電極電流差異較大,，則VBE不會(huì)完全彼此抵消。等式7闡述了晶體管兩個(gè)VBE之間的差異：
簡化為等式8：
其中X為兩個(gè)集電極電流的比率,。
如您所見,，如果兩個(gè)集電極電流相同,，則VBE將完全抵消,。在圖4所示的配置中，設(shè)定RS的值時(shí),，需要確保集電極電流之間的差異不是太大,。在本例中，我選擇的RS為10k?,，RX為50k?,。VBE的增量也會(huì)隨著VT而變化，它會(huì)隨著溫度變化而發(fā)生,。
方法3：改良版威爾遜電流鏡
使用電流鏡匹配集電極電流是一個(gè)非常有效的方法,。對(duì)此，相比常規(guī)的電流鏡,，威爾遜電流鏡是一個(gè)更好的選擇,。圖5是威爾遜電流鏡中使用的原理圖。
5.使用威爾遜電流鏡部署
本方法中,，有另外一個(gè)BJT,，基極連接至Q1的集電極,。Q3的發(fā)射極連接至電流鏡的VBE結(jié)點(diǎn)。程控電流經(jīng)Q3晶體管的集電極流至FB引腳,。
現(xiàn)在可暫時(shí)忽略電阻器RB,，等式9按照以下方式計(jì)算導(dǎo)入本設(shè)置中的參考電流：
等式10得出了導(dǎo)入電流與參考電流的比率。
在晶體管的增量() 為較大的值時(shí),，可以看到威爾遜電流鏡的精度遠(yuǎn)高于標(biāo)準(zhǔn)電流鏡,。
威爾遜電流鏡不會(huì)完全消除對(duì)VBE的依賴性。但可以通過一個(gè)簡單的方法避開,。將電阻器RB從源VX連接至電流鏡基極,，如圖5所示，形成一個(gè)添加至參考電流IX的電流,。將等式9改寫為等式11：
等式12選擇RB：
等式13：
等式13中的VBE組件完全抵消,，得出等式14：
等式14說明，導(dǎo)入FB節(jié)點(diǎn)的電流僅基于程控電壓,，不受VBE影響,。
無論使用哪一種方法，都可以借助少數(shù)幾個(gè)組件為反相電軌創(chuàng)建一個(gè)程控輸出電壓,。電路的復(fù)雜性依具體的系統(tǒng)要求而異,。對(duì)于要求極高保真度的應(yīng)用，威爾遜電流鏡是最佳的解決方案,，因?yàn)樗梢缘贸雠c程控電壓最接近的響應(yīng),。
參考文獻(xiàn)
LMZM33606數(shù)據(jù)表
了解有關(guān)TI Power的更多信息:
1.參閱《電源設(shè)計(jì)基礎(chǔ)》
全書內(nèi)容豐富、完整,，囊括了從電路元器件,，電源基本電路拓?fù)洌鞣N控制策略,，磁元件設(shè)計(jì),，輔助電源電路，電磁噪聲處理,，電源故障管理,，實(shí)現(xiàn)高效率設(shè)計(jì)，數(shù)字功率控制以及電源結(jié)構(gòu)這些涉及電源幾乎所有方方面面的完整內(nèi)容,。
作者簡介：羅伯特A曼馬諾( Robert A. Mammano) 是電力電子領(lǐng)域的先驅(qū),在模擬電源控制領(lǐng)域,擁有超過50年的經(jīng)驗(yàn),。他還被稱為"PWM控制器行業(yè)之父",于1974年設(shè)計(jì)了第一個(gè)完全集成的PWM控制器IC SG1524。曼馬諾于1957年在科羅拉多大學(xué)獲得物理學(xué)學(xué)位,從此開始了他的職業(yè)生涯,。