2018年12月12日,橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)在IEDM2018國際電子器件展會(huì)上,,公布了內(nèi)置嵌入式相變存儲(chǔ)器(ePCM)的28nm FD-SOI汽車微控制器(MCU)技術(shù)的架構(gòu)和性能基準(zhǔn),并從現(xiàn)在開始向主要客戶提供基于ePCM的微控制器樣片,,預(yù)計(jì)2020年按照汽車應(yīng)用要求完成現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn),取得全部技術(shù)認(rèn)證,。這些微控制器是世界上首批使用ePCM的微控制器,,將被用于汽車傳動(dòng)系統(tǒng)、先進(jìn)安全網(wǎng)關(guān),、安全/ADAS系統(tǒng)以及車輛電動(dòng)化,。
隨著汽車系統(tǒng)的要求越來越高,提升處理能力,、節(jié)能降耗,、更大存儲(chǔ)容量等需求迫使微控制器廠商開發(fā)新的車用MCU架構(gòu),。隨著固件復(fù)雜性和代碼量驟然大幅提高,,對(duì)容量更大的嵌入式存儲(chǔ)器的需求是當(dāng)前汽車工業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)之一。ePCM解決方案可以克服這些芯片級(jí)和系統(tǒng)級(jí)的挑戰(zhàn),,滿足AEC-Q100 0級(jí)汽車標(biāo)準(zhǔn)的要求,,最高工作溫度達(dá)到+165℃。此外,,意法半導(dǎo)體的ePCM技術(shù)保證在高溫回流焊工序后固件/數(shù)據(jù)保存完好,,并且抗輻射,為數(shù)據(jù)提供更多的安全保護(hù),。
在12月4日舊金山2018年IEDM(國際電子器件)展會(huì)上,,意法半導(dǎo)體以一個(gè)28納米FD-SOI汽車微控制器的16MB EPCM陣列為例,介紹了其嵌入式相變存儲(chǔ)器在架構(gòu)和性能方面取得的最新進(jìn)展,。
意法半導(dǎo)體汽車與分立器件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示:“通過應(yīng)用ST的制造工藝,、設(shè)計(jì)、技術(shù)和專長,我們開發(fā)出一個(gè)創(chuàng)新的ePCM解決方案,,成為首家有能力整合這種非易失性存儲(chǔ)器與28nmFD-SOI工藝,,研制高性能的低功耗汽車微控制器的廠商。現(xiàn)在樣片已經(jīng)送到部分主要客戶手中,,我們正在與客戶確認(rèn)ePCM優(yōu)異的溫度性能和滿足所有汽車標(biāo)準(zhǔn)的能力,,積極的反饋意見進(jìn)一步加強(qiáng)了我們對(duì)其應(yīng)用普及和市場(chǎng)成功的信心。
技術(shù)細(xì)節(jié)
相變存儲(chǔ)器(PCM)是采用鍺銻碲(GST)合金制成,,利用材料的物理性質(zhì)在非晶態(tài)和晶態(tài)之間的快速熱控變化來存儲(chǔ)數(shù)據(jù),。非晶態(tài)對(duì)應(yīng)邏輯0,晶態(tài)對(duì)應(yīng)邏輯1,,這兩種狀態(tài)在導(dǎo)電性質(zhì)上存在差異,,非晶態(tài)電阻高(邏輯0),晶態(tài)電阻低(邏輯1),。另外,,閃存重寫數(shù)據(jù)需要至少一次字節(jié)或扇區(qū)擦寫操作,而PCM技術(shù)支持單個(gè)數(shù)據(jù)位修改,,從而簡化了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)過程中的軟件處理環(huán)節(jié),。意法半導(dǎo)體的相變存儲(chǔ)器得益于其與存儲(chǔ)單元和支持高溫?cái)?shù)據(jù)保存的GST合金相關(guān)的專利技術(shù)。