《電子技術(shù)應(yīng)用》
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群雄逐鹿硅光子芯片市場

2018-12-27

日前,,思科宣布,,公司將斥資6.6億美元的現(xiàn)金和股權(quán)獎(jiǎng)勵(lì)收購加州半導(dǎo)體公司Luxtera。思科表示,,思科表示,Luxtera先進(jìn)的硅光子芯片技術(shù),,能幫助思科滿足商業(yè)客戶對(duì)快速和高性能網(wǎng)絡(luò)服務(wù)的需求,。


無獨(dú)有偶,在幾個(gè)月前,,中國信息通信科技集團(tuán)宣布,,我國首款商用“100G硅光收發(fā)芯片”正式研制投產(chǎn);上海市政府將硅光子列為首批市級(jí)科技重大專項(xiàng),,予以全力支持,;國內(nèi)上市公司亨通光電宣布在硅光芯片上獲得突破。

 

國內(nèi)外供應(yīng)鏈的廣泛關(guān)注證明,,硅光子芯片競爭進(jìn)入了一個(gè)新階段,。


為什么關(guān)注硅光子,?


近年來,全球數(shù)據(jù)流量與正在高速發(fā)展,。尤其是正在到來的5G引爆的各種引用,,將會(huì)進(jìn)一步推動(dòng)數(shù)據(jù)中心流量的增長,這就對(duì)其內(nèi)部的傳輸提出了新的需求,,硅光子就是為了解決這個(gè)問題而產(chǎn)生的,。


目前,傳統(tǒng)光模塊主要采用III-V族半導(dǎo)體芯片,、高速電路硅芯片,、光學(xué)組件等器件封裝而成,本質(zhì)上屬于“電互聯(lián)”,。而隨著晶體管加工尺寸的逐漸縮小,,電互聯(lián)將逐漸面臨傳輸瓶頸,在此背景下,,硅光子技術(shù)運(yùn)用而生,。

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硅光子市場規(guī)模預(yù)測(source:Intel)


所謂硅光子集成技術(shù),是以硅和硅基襯底材料(如 SiGe/Si,、SOI 等)作為光學(xué)介質(zhì),,通過互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)兼容的集成電路工藝制造相應(yīng)的光子器件和光電器件(包括硅基發(fā)光器件、調(diào)制器,、探測器,、光波導(dǎo)器件等),并利用這些器件對(duì)光子進(jìn)行發(fā)射,、傳輸,、檢測和處理,以實(shí)現(xiàn)其在光通信,、光互連,、光計(jì)算等領(lǐng)域中的實(shí)際應(yīng)用。硅光技術(shù)的核心理念是“以光代電”,,即采用激光束代替電子信號(hào)傳輸數(shù)據(jù),,將光學(xué)器件與電子元件整合至一個(gè)獨(dú)立的微芯片中。在硅片上用光取代傳統(tǒng)銅線作為信息傳導(dǎo)介質(zhì),,大大提升芯片之間的連接速度,。

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硅光子芯片示意圖(source:IBM)


因?yàn)檫@種技術(shù)的產(chǎn)品結(jié)合了以微電子為代表的集成電路技術(shù)的超大規(guī)模、超高精度的特性和光子技術(shù)超高速率,、超低功耗的優(yōu)勢,。硅光子技術(shù)能夠解決400G通信時(shí)代需要面對(duì)的PAM4電調(diào)制方案帶來的巨大損耗和8*50G的QSFP-DD方案引發(fā)的器件數(shù)量增加與工作帶來溫度提升帶來的溫漂等挑戰(zhàn)性問題。


這項(xiàng)技術(shù)自1969年由貝爾實(shí)驗(yàn)室提出以來,就一直受到廠商的廣泛關(guān)注,。本世紀(jì)初,, IBM、Intel,、Sun Microsystems( 后 并 入 Oracle),、NTT/NEC 等公司便設(shè)立獨(dú)立硅光子部門并投入大量資源,和學(xué)術(shù)界一起對(duì)硅光子產(chǎn)業(yè)進(jìn)行深入研究,,IBM和Intel也都推出了相應(yīng)的硅光子芯片,。而在產(chǎn)學(xué)研三方的努力下,近十年更是催生了Luxtera,、Kotura、Lightwire ,、Aurrion和Acacia等一波聚焦在硅光子通信的公司,,硅光子產(chǎn)業(yè)一觸即發(fā)。


巨頭環(huán)伺的市場


因?yàn)楣韫庾訐碛腥绱舜蟮镊攘?,這就吸引了上述眾多廠商投入其中,,并取得了不錯(cuò)的成果。


以IBM為例,,在2015年,,該公司對(duì)外展示了一款號(hào)稱完全整合的分波多任務(wù)CMOS硅光子(silicon photonics)芯片。時(shí)任IBM Research硅光子部門(Silicon Photonics Group)經(jīng)理Will Green表示,,該芯片的4個(gè)laser信道──分別以25Gbps的速度在芯片上運(yùn)作──是以鍺(germanium)光學(xué)探測器以及光學(xué)解多任務(wù)器(demultiplexers),,將之融合為單一100Gbps電子信號(hào),在需要時(shí)進(jìn)行處理,;該電子信號(hào)能以干涉儀(interferometers)調(diào)變四道芯片外的laser,,成為在芯片邊緣外行進(jìn)的光脈沖。

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IBM的全整合式分波多任務(wù)CMOS光子芯片


“我們所展示的是該單芯片以分波多任務(wù)所達(dá)成的 數(shù)據(jù)速率,,光學(xué)濾波器結(jié)合與分離多任務(wù)色彩,,就能完成硅光學(xué)組件的解多任務(wù)程序;這一切只要使用任何一座CMOS晶圓廠的硅與電介質(zhì)制造的單一芯片,,搭配以次100納米(sub-100nm)絕緣上覆硅(silicon-on-insulator)生產(chǎn)的鍺薄膜光探測器”,, Green強(qiáng)調(diào)。


另一個(gè)硅光子先行者Intel在硅光子方面也有了很深的研究,。


早在上世紀(jì)90年代末,,英特爾就開了一個(gè)平面光電路公司,這引起業(yè)界的頗多關(guān)注,,但他們?cè)?2004 年卻又將這個(gè)業(yè)務(wù)悄然關(guān)閉,。數(shù)年前,Intel宣布他們的 Light Peak技術(shù)能夠讓高速光鏈接降到平價(jià),這讓光互連領(lǐng)域?yàn)橹d奮(Light Peak 后來演變成蘋果的 Thunderbolt),。用于電傳輸,。對(duì)硅光子的投入則是英特爾對(duì)之前探索的延續(xù),他們還在2015年推出了一款全新硅光子產(chǎn)品,,這個(gè)采用內(nèi)置混合集成激光器+硅調(diào)制器的方案可以在數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)傳輸過程中提供極大速率,。據(jù)了解,這款產(chǎn)品不僅價(jià)格較低,,生產(chǎn)過程也比較容易,,該技術(shù)有望改善數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)交換瓶頸問題。


按照英特爾數(shù)據(jù)中心集團(tuán)執(zhí)行副總裁黛安·布萊恩特的說法,,網(wǎng)線中的電子不會(huì)對(duì)硅光子產(chǎn)品造成影響,,“我們研發(fā)硅光子技術(shù)已經(jīng)超過16年,是首家‘用光點(diǎn)亮硅芯片’的公司,?!保龔?qiáng)調(diào),。

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Intel的硅光子產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃(source:Intel)


今年八月在羅馬召開的歐洲光通信會(huì)議(ECOC)上,,英特爾公布了其新型硅光子接收器的規(guī)格。據(jù)介紹,,其100G CWDM4(粗波分復(fù)用 4 通道)QSFP28 光收發(fā)器的工作溫度范圍比較廣,,具有雙速率 40Gbps / 100Gbps 通用公共射頻接口(CPRI)和 eCPRI,雙工單模光纖下的使用距離可達(dá) 10 公里,,旨在為通信和云服務(wù)商提供支持 5G 無線網(wǎng)絡(luò)擴(kuò)展的硬件,。他們還將將從2018年 4 季度起向客戶交付 400 Gbps DR4 硅光子模塊樣品,并在 2019 下半年開始量產(chǎn),。


其實(shí)在2015年英特爾推出其產(chǎn)品之前,,文章開頭的主角,被思科收購的lextura已經(jīng)推出了外置激光器+硅調(diào)制器方案,。這家成立于2001年的公司是全球第一家提供光子器件解決方案的公司,。Luxtera的CMOS光子器件都是由CMOS電子學(xué)工藝集成,體積比傳統(tǒng)的光子器件更小,。


Luxtera表示,,他們和臺(tái)積電合作開發(fā)的技術(shù)可以相比其他硅光方案提供翻倍的性能和四倍的傳輸能力,支持光互聯(lián)能力與CMOS電芯片的全面集成,,并可以進(jìn)一步降低功耗和成本,。按照計(jì)劃,他們會(huì)從2018年開始利用臺(tái)積電的7nm CMOS工藝把這些新技術(shù)用在100GBase-DR和400GBase-DR4模塊中,。Luxtera 和 Intel在之前一直在用激進(jìn)的定價(jià),,試圖在光模塊市場打開一個(gè)缺口,。


通過對(duì)Photonic Controls、BinOptics,、FiBest等企業(yè)的收購,,美國大廠MACOM也進(jìn)入了硅光芯片市場。按照他們介紹,,,。MACOM在硅光平臺(tái)種引入了具有專利的端面刻蝕技術(shù)(EFT)和自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)(SAEFT)使其硅光產(chǎn)品獨(dú)具優(yōu)勢。這也讓MACOM的激光器芯片無需氣密封裝,,可顯著降低最終元器件的尺寸和成本,,并且允許硅光子集成電路直接位于模塊電路板上,從而增大了硅光子可實(shí)現(xiàn)的互連密度,。他們將包括激光器,、調(diào)制器和多路復(fù)用器在內(nèi)的光學(xué)器件封裝到單個(gè)硅芯片上的硅光PIC系列產(chǎn)品也將于2018年第二季度開始批量供貨。


成立于2009年的Acacia也是硅光子芯片的另一個(gè)重要玩家,,他們?cè)?014年就發(fā)布了首款具有完整100G相干收發(fā)器功能的單芯片硅光子集成電路(PIC),。同時(shí),公司也是第一個(gè)在市場上發(fā)布 400G 轉(zhuǎn)發(fā)器的供應(yīng)商,,在硅光領(lǐng)域具有全球領(lǐng)先實(shí)力。


其他如Finisar,、Oclaro,、博通、SiFotonics,、Leti,、、Infinera,、Rockley Photonics,、Skorpios、Ciena,、Molex和IMEC,、ST、臺(tái)積電,、格芯,、Fabrinet等也都是這個(gè)領(lǐng)域不可或缺的參與者。除了這些獨(dú)立的廠商外,,思科和華為,,甚至谷歌和Facebook這些原本客戶的加入,讓硅光芯片這個(gè)市場競爭更為激烈:除了近期收購的Luxtera,,思科在2012年就已經(jīng)斥資2.7億美元收購了硅光子公司Lightwire,;華為也在2013年前后收購了比利時(shí)硅光子公司Caliopa和英國光子集成公司CIP,,加碼這個(gè)領(lǐng)域。


挑戰(zhàn)依然存在


雖然硅光子市場前景看好,,但在工藝和設(shè)計(jì)上依然面臨一系列的挑戰(zhàn),。


中國電子科技集團(tuán)公司第三十八研究所的郭進(jìn)、馮俊波和曹國威在其題為《硅光子芯片工藝與設(shè)計(jì)的發(fā)展與挑戰(zhàn)》的論文中指出,,與微電子工藝相比,,硅光子在總體路徑、版圖,、工藝和材料方面都有其特殊性,,那么在工藝的開發(fā)過程中就必須考慮到溫度預(yù)算、污染控制和關(guān)鍵工藝等問題,。他們指出,,硅光子集成的工藝開發(fā)路線和目標(biāo)比較明確,困難之處在于如何做到與 CMOS 工藝的最大限度的兼容,,從而充分利用先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備和工藝,,同時(shí)需要關(guān)注個(gè)別工藝的特殊控制。硅光子芯片的設(shè)計(jì)目前還未形成有效的系統(tǒng)性的方法,,設(shè)計(jì)流程沒有固化,,輔助設(shè)計(jì)工具不完善,但基于 PDK 標(biāo)準(zhǔn)器件庫的設(shè)計(jì)方法正在逐步形成,。如何進(jìn)行多層次光電聯(lián)合仿真,,如何與集成電路設(shè)計(jì)一樣基于可重復(fù) IP 進(jìn)行復(fù)雜芯片的快速設(shè)計(jì)等問題是硅光子芯片從小規(guī)模設(shè)計(jì)走向大規(guī)模集成應(yīng)用的關(guān)鍵。

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基于標(biāo)準(zhǔn) CMOS 工藝的硅光子工藝流程開發(fā)


Inphi的首席技術(shù)官Radha Nagarajan在接受semiengineering采訪時(shí)表示:“光子的波長比電子的要大得多,。這也是為什么電子產(chǎn)品可以進(jìn)入7nm節(jié)點(diǎn),,而標(biāo)準(zhǔn)硅光子器件是130nm或180nm節(jié)點(diǎn),而且通常使用245nm光刻線,。光學(xué)器件不同于電子器件,,它們的相位較為敏感,側(cè)壁粗糙度和損耗很重要,。當(dāng)這些成為重要因素時(shí),,重要的將不是節(jié)點(diǎn),而是更大尺寸但更精準(zhǔn)的節(jié)點(diǎn)下,,光刻和蝕刻的質(zhì)量,。”


西門子公司Mentor定制IC設(shè)計(jì)組的產(chǎn)品營銷經(jīng)理Chris Cone則強(qiáng)調(diào),,當(dāng)你驅(qū)動(dòng)一個(gè)光子接口時(shí),,你遇到了很多關(guān)于噪聲和大量熱量的問題,這必須考慮在內(nèi),。沒有東西可以提供這種能力,,這一切都?xì)w結(jié)為接口,,它速度非常快,,以每秒幾十千兆位的速度運(yùn)行,,開關(guān)驅(qū)動(dòng)調(diào)制器上的結(jié)點(diǎn)或移相器,并產(chǎn)生一個(gè)你必須考慮的EMI簽名,。同樣,,從光電探測器出發(fā),你需要一個(gè)非常敏感的輸入進(jìn)入跨阻放大器,。你必須屏蔽來自電路其它部分的噪聲,。


雖然開發(fā)困難比較大,且競爭環(huán)境激烈,。但對(duì)于國內(nèi)廠商來說,,去投入這個(gè)產(chǎn)業(yè)是必須的。尤其是在中興制裁時(shí)間之后,,我們看到了國內(nèi)在光通信方面的短板,,尤其是在硅光子方面,國內(nèi)更是幾近于無,。這就迫使國內(nèi)將這個(gè)研發(fā)提上日程,。


但按照中興光電子技術(shù)有限公司的孫笑晨和張琦在其名為《硅光子通信產(chǎn)品技術(shù)和商業(yè)化進(jìn)程》的文章中的說法,由于這個(gè)產(chǎn)業(yè)的專業(yè)細(xì)分化和各層次的高度成熟性,,使得在未形成有 效的 Fabless- Foundry 模 式前 ,,進(jìn)入的門檻和初始的投入非常大。無論對(duì)于初創(chuàng)公司還是大公司的部門,,都需要準(zhǔn)備大量的研發(fā)資源并仔細(xì)考慮其應(yīng)用場景。


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