近日,，基本半導(dǎo)體正式發(fā)布國(guó)內(nèi)首款擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET,，該產(chǎn)品各項(xiàng)性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平,，其中短路耐受時(shí)間更是長(zhǎng)達(dá)6μs,。碳化硅MOSFET的發(fā)布,，標(biāo)志著基本半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體研發(fā)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展,，自主研發(fā)的碳化硅功率器件繼續(xù)領(lǐng)跑全國(guó),。

　　近年來(lái),，基于硅（Si）,、砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體材料的功率器件受材料性能所限,，正接近物理極限，產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入瓶頸期,。而以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料,，具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高,、熱導(dǎo)率高,、電子飽和速率高等特點(diǎn)，更適合制作高溫,、高頻,、抗輻射及大功率器件，在新能源汽車,、新能源發(fā)電,、軌道交通、航天航空、國(guó)防軍工等極端環(huán)境應(yīng)用有著不可替代的優(yōu)勢(shì),，當(dāng)前第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入爆發(fā)增長(zhǎng)期,。

　　碳化硅MOSFET是具有代表性的碳化硅功率器件，其高頻,、高效,、高溫的特性特別適合對(duì)效率或溫度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用。相比于傳統(tǒng)的硅基IGBT,，碳化硅MOSFET可帶來(lái)一系列系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化,，包括提高效率、提升功率密度,、降低冷卻要求以及降低系統(tǒng)級(jí)成本,，可廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器、車載電源,、新能源汽車電機(jī)控制器,、UPS、充電樁,、功率電源等領(lǐng)域,。

　　基本半導(dǎo)體掌握了國(guó)際一流的碳化硅研發(fā)技術(shù)，致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,。1200V碳化硅MOSFET是基本半導(dǎo)體發(fā)布的第二款重量級(jí)產(chǎn)品,，首款產(chǎn)品3D SiC?系列碳化硅肖特基二極管已于2018年3月上市，產(chǎn)品推出后獲得眾多客戶認(rèn)可,。此次發(fā)布的碳化硅MOSFET是第一款由中國(guó)企業(yè)自主設(shè)計(jì)并通過可靠性測(cè)試的工業(yè)級(jí)產(chǎn)品,。

　　基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵工藝和元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì)，具有導(dǎo)通電阻低,、溫度特性優(yōu)良和開啟電壓較高等特點(diǎn),，產(chǎn)品性能優(yōu)越。其中短路耐受時(shí)間長(zhǎng)達(dá)6μs,，閾值電壓Vth≥2.9V（25℃）,，目前產(chǎn)品已通過多家客戶的測(cè)試認(rèn)證，進(jìn)入批量供應(yīng)階段,。

　　高可靠性是基本半導(dǎo)體1200V碳化硅MOSFET的另一大特點(diǎn),。其中MOSFET柵氧溝道電子遷移率14cm/Vs，擊穿場(chǎng)強(qiáng)接近8.8MV/cm,，在TDDB測(cè)試中,，根據(jù)門極偏壓30-36V數(shù)據(jù)推算柵極電壓20V應(yīng)用條件下柵氧壽命在200年以上。Tj=150℃條件下,，Vth＞2V,，可降低器件在使用中受干擾因素影響出現(xiàn)誤開通的風(fēng)險(xiǎn)，提升系統(tǒng)可靠性。

　　根據(jù)知名研究機(jī)構(gòu)Yole預(yù)測(cè),，到2023年,，包括碳化硅MOSFET在內(nèi)的碳化硅器件市場(chǎng)將超過15億美元，2017年到2023年的復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到31%,。目前碳化硅MOSFET應(yīng)用已經(jīng)在全球多個(gè)行業(yè)落地開花,。Tesla電驅(qū)控制器搭載了碳化硅 MOSFET，歐洲的350kW超級(jí)充電站也采用了碳化硅功率器件,。目前中國(guó)市場(chǎng)對(duì)碳化硅器件的需求絕大部分依賴進(jìn)口,，國(guó)產(chǎn)化率不足 1%，國(guó)產(chǎn)替代的潛力巨大,。

　　基本半導(dǎo)體是一家由海歸博士團(tuán)隊(duì)創(chuàng)立的第三代半導(dǎo)體研發(fā)企業(yè),，總部位于深圳，并在瑞典設(shè)立研發(fā)中心,，研究方向覆蓋了碳化硅器件的材料制備,、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝,、封裝測(cè)試,、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié),。公司擁有一支實(shí)力雄厚,、經(jīng)驗(yàn)豐富的高水平研發(fā)團(tuán)隊(duì)，核心成員包括來(lái)自清華大學(xué),、劍橋大學(xué),、瑞典皇家理工學(xué)院等世界一流院校的海歸博士，以及長(zhǎng)期深耕第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的多位資深外籍專家,?；景雽?dǎo)體憑借深厚的研發(fā)功底，在短時(shí)間內(nèi)突破技術(shù)難點(diǎn),，陸續(xù)推出擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的碳化硅肖特基二極管和碳化硅MOSFET,。

　　目前新能源汽車、5G和人工智能等行業(yè)的市場(chǎng)需求迅速增長(zhǎng),，國(guó)家也陸續(xù)推出了針對(duì)第三代半導(dǎo)體的各項(xiàng)扶持政策,。在市場(chǎng)和政策的雙輪驅(qū)動(dòng)下，以基本半導(dǎo)體為代表的第三代半導(dǎo)體企業(yè)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展機(jī)遇,，掌握核心關(guān)鍵技術(shù),，充分迎合市場(chǎng)需求，中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展未來(lái)可期,。