近十年來,，第三代半導體技術已趨于成熟,。碳化硅作為第三代半導體器件的重要代表,，已在工業(yè),、汽車以及國防軍工等領域有著廣泛應用。基本半導體緊跟時代步伐,，采用國際領先的碳化硅設計生產(chǎn)工藝,，推出國內(nèi)首款通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET,，助推國內(nèi)第三代半導體技術發(fā)展,。
基本半導體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結合元胞鎮(zhèn)流電阻設計,，開發(fā)出了短路耐受時間長,，導通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET,。
基本半導體1200V 碳化硅MOSFET結構圖
技術優(yōu)勢及特點：
25℃ Vth閾值電壓≥2.9V：
25℃條件下,，器件的GS開啟電壓Vth最小值不低于2.9V，此參數(shù)與國際大廠競品處在同一水平線,；
導通電阻RDS(on)典型值160mΩ：
25℃條件下,，導通電阻RDS(on）典型值160mΩ；
短路耐受時間6μs：
25℃條件下VGS=20V,，VDS=800V,，器件在6μs短路狀態(tài)下未發(fā)生失效；
125℃穩(wěn)定輸出電流10A：
125℃條件下,，器件的額定輸出有效電流值為10A,。
高可靠性：
-高柵氧壽命：
對于MOSFET器件而言，柵氧的壽命對器件的壽命有直接影響,?；景雽w1200V系列碳化硅MOSFET擊穿場強接近10MV/cm，根據(jù)TDDB測試門極偏壓30-36V數(shù)據(jù)推算,，在VGS=20V應用條件下,，柵氧壽命在200年以上,，柵氧壽命達到業(yè)內(nèi)領先水平。
-高且穩(wěn)定的擊穿電壓：
DS擊穿電壓是MOSFET器件的一個關鍵參數(shù),，應用中應確保加在器件DS兩極的電壓VDS不超過器件的額定標稱值,；而在實際應用過程中，器件在高壓大電流條件下進行關斷動作時,，由于雜散電感的作用,，會在器件DS兩端產(chǎn)生尖峰電壓，尤其是對于碳化硅這類開關速度更快的器件,，在系統(tǒng)雜散電感一定的條件下,，關斷時產(chǎn)生的尖峰電壓過高，基本半導體1200V系列碳化硅MOSFET實際擊穿電壓值的平均值高達1528V,，可以應對系統(tǒng)中出現(xiàn)的偶發(fā)性短時過壓尖峰,，降低系統(tǒng)故障率。
-高溫下穩(wěn)定的Vth：
在高溫應用方面碳化硅器件比硅基器件具有明顯優(yōu)勢,，但目前碳化硅MOSFET的柵極開啟電壓普遍較低,，尤其在高溫條件下，柵極開啟電壓相比室溫會明顯下降,，而柵極開啟電壓的高低對系統(tǒng)應用至關重要,，過低的開啟電壓會使器件在使用過程中出現(xiàn)誤開通，繼而發(fā)生短路,，造成器件損傷或損壞,。
基本半導體1200V系列碳化硅MOSFET在Tj=150℃條件下，Vth＞2V,；
高溫條件下Vth＞2V,，可降低器件在使用中受干擾因素影響出現(xiàn)誤開通的風險，提升系統(tǒng)可靠性,。
-導通電阻呈正溫度特性變化：
為了達到提升系統(tǒng)功率,，同時不大幅增加成本的目的，工程師通常選擇多個小電流器件并聯(lián)使用而非使用單個電流更大的器件,，對于器件并聯(lián)應用,，均流是一個難點，基本半導體1200V系列碳化硅MOSFET在VGS≥16V時,，導通電阻跟溫度呈正相關性,，溫度越高，導通電阻越大,，適合于并聯(lián)應用,。
-可靠性測試（樣品數(shù)量128）
器件的可靠性是其核心競爭力，在系統(tǒng)中使用通過嚴格可靠性測試的產(chǎn)品對于系統(tǒng)而言非常重要?；景雽w1200V系列碳化硅MOSFET,，在可靠性測試各個環(huán)節(jié)表現(xiàn)優(yōu)異。
HTGB：Tj=150℃,，VGS=20V, 通過1000h測試,； Tj=150℃，VGS=-5V,，通過1000h測試,；
HTGB測試后測試Vth參數(shù)，所有被測試對象Vth變化小于0.4V,；
HTGB測試后測試RDS(on)參數(shù),，所有被測對象RDS(on)變化小于10%。
-HTRB：Tj=150℃, VDS=960V,，通過1000h測試,；
HTRB測試后測試BV參數(shù)，128pcs 測試樣品平均值為1528V,。
短路耐受（樣品數(shù)量22）：
系統(tǒng)運行過程中受各種不可控因素影響,，會有較低概率發(fā)生器件短路故障，提升器件的短路耐受時間可以給驅(qū)動器的短路保護電路帶來更多選擇,，同時可以降低驅(qū)動器成本,。基本半導體1200V系列碳化硅MOSFET,，具有業(yè)內(nèi)領先的短路耐受能力,。
測試條件：Tj=25℃, RG-ext=2.7ohm, VGS=0/20V, VDC=800V
測試結果：6.2μs短路測試通過。在25℃條件下,，器件的短路耐受時間不低于6.2μs
結論：基本半導體采用業(yè)內(nèi)最成熟可靠的平面柵工藝，結合自身技術優(yōu)勢和特點,，開發(fā)出了高可靠性,，各項技術指標優(yōu)異的1200V系列碳化硅MOSFET，特別是在器件短路耐受能力方面,，基本半導體運用其獨有的技術優(yōu)勢,，將器件的短路耐受時間提升到6μs級別，給工程師應用帶來更多選擇的同時,，大大降低了驅(qū)動保護電路的設計成本和要求,。