Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的30 V和40 V P溝道MOSFET,,有效提高板級可靠性
2019-03-07
日前,,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款30 V和40 V汽車級p溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP,,采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)PowerPAK? SO-8L封裝,,有效提升板級可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通過AEC-Q101認(rèn)證,,占位面積比DPAK封裝器件減小50%以上,,節(jié)省PCB空間并降低成本,同時(shí)導(dǎo)通電阻低于任何鷗翼引線結(jié)構(gòu)5 mm x 6 mm封裝MOSFET,。
由于需要很高功率,,12 V汽車系統(tǒng)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)和主電源要求MOSFET在各種應(yīng)用中具有極低的導(dǎo)通電阻,如電池反向極性保護(hù)和高邊開關(guān),。Vishay Siliconix -30 V SQJ407EP和-40 V SQJ409EP在10 V條件下,,導(dǎo)通電阻分別為4.4 mW和7.0 mW,完全可以滿足這種要求,。此外,,作為p溝道MOSFET,兩款器件是理想的負(fù)載開關(guān),,不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓,。
日前發(fā)布的MOSFET工作溫度可達(dá)+175 °C,同時(shí)鷗翼引線結(jié)構(gòu)可緩解溫度循環(huán)過程中,、主板彎曲,、振動(dòng)和意外跌落產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力,,與剛性QFN封裝相比,具有更加優(yōu)異的板級可靠性,。鷗翼引線結(jié)構(gòu)還有助于自動(dòng)光學(xué)檢測 (AOI) 過程獲得更加一致可靠的結(jié)果,。
器件采用無鉛 (Pb) 封裝、無鹵素,、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),,經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。
SQJ407EP和SQJ409EP現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”,,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器,、電感器,、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè),、計(jì)算,、汽車、消費(fèi),、通信,、國防、航空航天,、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備,。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者,。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息,敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com,。