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AMD公布3D封裝技術:處理器與內存、緩存通過硅穿孔堆疊在一起

2019-03-20

目前的智能手機普遍實現(xiàn)了處理器SoC和內存(DRAM)的堆疊式封裝(PoP),,從AMD日前公布的信息來看,,PC產品也有望實現(xiàn)類似的技術。

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在Rice Oil&Gas高性能計算會議上,,AMD高級副總裁Forrest Norrod介紹,,他們正跟進3D封裝技術,目標是將DRAM/SRAM(即緩存等)和處理器(CPU/GPU)通過TSV(硅穿孔)的方式整合在一顆芯片中,。

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其實此前,,AMD就率先推出了HBM顯存產品,實現(xiàn)了GPU芯片和顯存芯片整合封裝,,但那僅僅屬于2.5D方案,。

3D堆疊的好處在于縮短了電流傳遞路徑,也就是會降低功耗,。不過,,3D封裝的挑戰(zhàn)在于如何控制發(fā)熱。

遺憾的是,,AMD并未公布更多技術細節(jié),。

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AMD稱,雖然光刻工藝在精進,,但是頻率甚至要開始走下坡路,,需要一些新的設計助力。

其實Intel今年也公布了名為Foveros的3D芯片封裝技術,,將22nm I/O基板,、10nm Sunny Core和四核Atom整合在一起,功耗僅7瓦,。


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