據(jù)美國集成電路研究公司最新的調(diào)查報(bào)告顯示,，自2010年來，美國企業(yè)仍主導(dǎo)半導(dǎo)體市場(chǎng)營收,，比重為68%,，但大陸企業(yè)在全球無晶圓廠半導(dǎo)體營收比重成長率最高，來到了13%,。值得注意的是,，自2010年來，中國大陸在整體集成電路市場(chǎng)表現(xiàn)最為亮眼,，占去年全球營收比重13%,，而在2010年僅占5%。從這些數(shù)據(jù)也可以看出中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度是驚人的,，可回顧中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的歷程,，卻步步是血淚。
1956-1965年 分立器件發(fā)展階段
1956年是中國科學(xué)技術(shù)發(fā)展史上的關(guān)鍵一年,。中央提出“向科學(xué)進(jìn)軍”的口號(hào),。在周恩來總理親自主持制定的1956-1967年十二年科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃中,，把半導(dǎo)體，計(jì)算機(jī),，自動(dòng)化和電子學(xué)這四個(gè)在國際上發(fā)展迅速而國內(nèi)急需發(fā)展的高新技術(shù)列為四大緊急措施,。在“重點(diǎn)發(fā)展、迎頭趕上”和“以任務(wù)帶學(xué)科”的方針指引下,，我國半導(dǎo)體事業(yè)從無到有，有了長足的進(jìn)展,。
向科學(xué)技術(shù)現(xiàn)代化進(jìn)軍
中科院半導(dǎo)體研究室依據(jù)遠(yuǎn)景規(guī)劃精神,，開始進(jìn)行鍺(Ge）的研究，于1957年11月成功拉制成第一根鍺單晶,，并與1958年成功研制第一只鍺晶體管,。半導(dǎo)體晶體管的成功研制，促成了我國晶體管計(jì)算機(jī)和晶體管收音機(jī)的誕生,，在國內(nèi)產(chǎn)生了很大的影響,。研究室科研人員借助研制鍺單晶的經(jīng)驗(yàn)，自行研制了硅單晶并進(jìn)行了設(shè)備調(diào)試,，經(jīng)過反復(fù)試驗(yàn),，1958年7月，成功拉制成我國第一根硅單晶,，并在此基礎(chǔ)上,，提高材料質(zhì)量和改進(jìn)技術(shù)工藝，于1959年實(shí)現(xiàn)了硅單晶的實(shí)用化,。隨著研究的深入,，我國逐步在外延工藝，光刻技術(shù)等領(lǐng)域取得了進(jìn)展,，并于1963年制造出國產(chǎn)硅平面型晶體管,。這些技術(shù)的成功，打好了硅集成電路研究的基礎(chǔ),。
1965-1978年 國產(chǎn)芯片的初級(jí)階段
1966年,，十年風(fēng)波開始，但我國的半導(dǎo)體工業(yè)建設(shè)并未止步,。1968年,，北京組建國營東光電工廠（878廠），上海組建無線電十九廠,，至1970年建成投產(chǎn),。這是當(dāng)時(shí)中國集成電路產(chǎn)業(yè)中的南北兩強(qiáng)。1968年,，國防科委在四川永川縣,，成立固體電路研究所（即永川半導(dǎo)體研究所,，現(xiàn)中電24所），是中國唯一的模擬集成電路研究所,。同年,，上海無線電十四廠首次制成PMOS電路。1970年代永川半導(dǎo)體研究所,、上無十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路,，之后又研制成CMOS電路。
1972年,，美國總統(tǒng)尼克松訪華后,，中國從歐美大量引進(jìn)技術(shù)，全國有四十多家集成電路廠建成投產(chǎn),。也是在1972年,，我國自主研制的PMOS大規(guī)模集成電路在永川半導(dǎo)體研究所誕生，實(shí)現(xiàn)了從中小集成電路發(fā)展到大規(guī)模集成電路的跨越,。實(shí)現(xiàn)這一過程,，中國人比美國人晚了4年。1975年,，王陽元在北京大學(xué)設(shè)計(jì)出第一批1K DRAM,，比英特爾生產(chǎn)的C1103晚5年。
1978年,，王守武帶領(lǐng)徐秋霞等人在中科院半導(dǎo)體所成功研制4K DRAM,，次年在109廠量產(chǎn)成功。這時(shí),，比美國人晚了6年,。1979年，中國成功反向英特爾的8080八位微處理器,，比德國和日本早一年,。1980年，王守武兼任109廠廠長,，將老廠房升級(jí)改造為1000到10000級(jí)的高標(biāo)準(zhǔn)潔凈室,，并在這里組裝了我國第一條中、大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線,。
1975年王守武（中）和參觀半導(dǎo)體所的美籍華人科學(xué)家
此時(shí),，日本在美國的技術(shù)支持下，半導(dǎo)體研發(fā)官產(chǎn)學(xué)模式大獲成功,。1971年,，研制成功1K DRAM，僅比美國晚1年,，并全面超越中國,。而韓國,、臺(tái)灣省這一時(shí)期憑借代工美國落后的半導(dǎo)體器件，并通過頒布產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃,、引進(jìn)技術(shù),、派遣留學(xué)人員學(xué)習(xí)培訓(xùn)等方式，投入大量資金,，積累半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ),，但整體技術(shù)仍未超越我國。
改革開放之前,，中國舉全國之力,，主攻半導(dǎo)體科技。在一大批舍身忘我的半導(dǎo)體人的努力下,，從無到有，建立了相對(duì)完整的半導(dǎo)體工業(yè)體系,。雖然建設(shè)沒有停歇,，但十年沉睡，很多人還在夢(mèng)里,，一切都沒有做好準(zhǔn)備,。
1978-1990年 改革開放 產(chǎn)業(yè)全面復(fù)蘇時(shí)期
80年代初期，國家縮減對(duì)電子工業(yè)的直接投入,，希望廣大電子廠能夠到市場(chǎng)自己找出路,。為了在短期獲得效益，大量工廠出國購買技術(shù),、生產(chǎn)線,。自主研發(fā)的電子工業(yè)思路逐漸被購買引進(jìn)所替代。然而,，由于巴黎統(tǒng)籌委員會(huì)（簡稱“巴統(tǒng)”）的技術(shù)限制,，我們只能引進(jìn)落后的二手淘汰設(shè)備。各地,、各廠各自為戰(zhàn),，缺乏統(tǒng)一規(guī)劃，前沿技術(shù)研究被拋在腦后,。于是整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)越引進(jìn),，越落后。
同期,，日本在80年代通過前期的技術(shù)積累,，加上大規(guī)模人、財(cái),、物力投入,，在DRAM技術(shù)上完成了對(duì)美國人的逆襲,，同時(shí)帶動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展。到了1990年,，全球前十大半導(dǎo)體公司有6家都是日本公司,。而緊隨日本的學(xué)生--韓國，也由政府牽頭,，四大財(cái)閥大力投入,，并在美國爸爸“扶韓抗日”的政策幫助下，迅速追趕日本,。此時(shí)的我們,，已經(jīng)全面落后日本，開始被韓國超越,，并很快被甩在了身后,。
1878年十一屆三中全會(huì)，開啟全國全面改革開放的進(jìn)程,，全國百廢待興,，在一片春風(fēng)吹拂下，開始綻放嫩芽,，開花結(jié)果,。在這個(gè)階段，中國集成電路的發(fā)展主要有如下特點(diǎn)：生產(chǎn)工廠復(fù)蘇生產(chǎn),，不管是八七八廠的凈化車間投入使用,，還是七四二廠從東芝引進(jìn)的電視機(jī)芯片生產(chǎn)線，我國已經(jīng)正式開始集成電路生產(chǎn)加工的歷程,。在這個(gè)階段,，中國開始引進(jìn)外資技術(shù)，和中國的工廠合作建設(shè),。上海貝嶺,，上海先進(jìn)半導(dǎo)體以及華晶電子集團(tuán)都是在這個(gè)階段通過中外合資的方式建立起來的。由于外資的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)和設(shè)備的引入,，在這個(gè)階段,，雖然技術(shù)實(shí)力還是非常薄弱，但中國的集成電路產(chǎn)業(yè)得到全面的復(fù)蘇,。
1990-2000年 “908工程”“909工程”階段
“908工程“是指國家發(fā)展微電子產(chǎn)業(yè)20世紀(jì)90年代的第八個(gè)五年計(jì)劃,，“909工程”是指第九個(gè)五年計(jì)劃。兩大工程的主體企業(yè)分別是無錫華晶和上海華虹,。1989年8月,，華晶電子集團(tuán)成立。1990年8月,，“908工程”啟動(dòng),。這個(gè)工程投資額為20億元,，目標(biāo)是建立一條月產(chǎn)1.2萬片的6英寸芯片生產(chǎn)線。生產(chǎn)線花費(fèi)7年的時(shí)間才建成投產(chǎn),，但是由于經(jīng)營不善,，連年虧損，1999年,，工廠和上華公司合并,，轉(zhuǎn)制成為公司。1997年7月,，由上海華虹集團(tuán)與日本NEC公司合資組建的上海華虹NEC電子有限公司成立,，總投資為12億元。華虹NEC主要承擔(dān)“909”的主體工程超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)項(xiàng)目建設(shè),。
在這個(gè)階段,，中國的集成電路產(chǎn)業(yè)加速了和外資企業(yè)的合作，國家強(qiáng)勢(shì)扶持,，主要的發(fā)展成績是晶圓廠的建設(shè)和發(fā)展,，今天中國的幾大晶圓廠--無錫華潤上華、上海華虹,、中芯國際都是在這個(gè)階段先后建設(shè)起來的。
2000年-至今 產(chǎn)業(yè)大發(fā)展時(shí)期
2000年6月24日,，國務(wù)院18號(hào)文件《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》公布,，無疑是一陣春風(fēng)，吹開了中國集成電路產(chǎn)業(yè)的萬紫千紅,。在這個(gè)階段,，一些著名的集成電路制造公司，紛紛落戶中國大陸,，包括臺(tái)積電,，臺(tái)聯(lián)電，英特爾和海力士等廠商,，著名廠商的入住,，或合資，或開設(shè)辦事處,，都帶來了優(yōu)秀的技術(shù)和管理經(jīng)驗(yàn),。集成電路設(shè)計(jì)得到極大地發(fā)展，很多在海外有技術(shù)經(jīng)驗(yàn)的華人回國創(chuàng)辦IC設(shè)計(jì)公司,，帶來了直接的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn),，在短短的幾年內(nèi)，國內(nèi)集成電路的設(shè)計(jì)公司就有幾百家之多,。這些公司開始依靠自己的產(chǎn)品獲得市場(chǎng)的認(rèn)可,，有的還做出很好的成績,，我國的集成電路優(yōu)秀設(shè)計(jì)企業(yè)，幾乎都在這個(gè)階段誕生,，也涌現(xiàn)出如中星微,、珠海炬力、展訊,、瑞星微等國內(nèi)著名公司,。中國本土的集成電路產(chǎn)業(yè)，至此才剛開始進(jìn)入正軌道路,。
2013年,，我國集成電路進(jìn)口額達(dá)2313億美元，超過石油,，成為第一大進(jìn)口商品,。國家也更加意識(shí)到整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略重要性。繼2011年國務(wù)院發(fā)布《進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》（4號(hào)文）之后,，2014年6月,，國務(wù)院印發(fā)《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，將集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展上升為國家戰(zhàn)略,；9月,，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金設(shè)立，一期幕資1387億元,，用于集成電路產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的股權(quán)投資,。
大基金一改以往項(xiàng)目為主的資助形式，通過股權(quán)投資的方式,，扶植產(chǎn)業(yè)鏈上的龍頭企業(yè),。曾任工信部信息產(chǎn)業(yè)司司長的大基金總裁丁文武明確表示“大基金只投行業(yè)前三”，加大對(duì)芯片制造業(yè)的投資力度,，兼顧設(shè)計(jì)和封測(cè),，投資布局從“面覆蓋”向“點(diǎn)突破”轉(zhuǎn)變，投資工作重心從“注重投資前”向“投前投后并重”轉(zhuǎn)變,。自此,，國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入快車道。
中國集成電路大基金（一期）不同投資領(lǐng)域項(xiàng)目分布情況及代表企業(yè)（單位：%）
目前大基金一期投資資金已經(jīng)全部投資完畢,，大基金正在進(jìn)行二期募資,。據(jù)統(tǒng)計(jì)，截至2018年5月,，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金一期經(jīng)投資完畢,，總投資額為1387億元，公開投資公司為23家，未公開投資公司為29家,，累計(jì)有效投資項(xiàng)目達(dá)到70個(gè)左右,，投資范圍涵蓋集成電路產(chǎn)業(yè)上、下游各個(gè)環(huán)節(jié),。大基金一期投資項(xiàng)目中,，集成電路制造占67%，設(shè)計(jì)占17%,，封測(cè)占10%,，裝備材料類占6%。