第31屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際會(huì)議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,，ISPSD)將于2019年5月19-23日在上海寶華萬(wàn)豪酒店舉辦，這是ISPSD會(huì)議舉辦30多年以來(lái)第一次在中國(guó)內(nèi)地召開(kāi)。
ISPSD 2019由浙江大學(xué)主辦，浙江大學(xué)盛況教授擔(dān)任大會(huì)主席（General Chair），電子科技大學(xué)張波教授擔(dān)任大會(huì)副主席（Vice General Chair）,；香港科技大學(xué)陳敬（Kevin J. Chen）教授擔(dān)任技術(shù)程序委員會(huì)（Technical Program Committee，TPC）主席。
ISPSD會(huì)議是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域在國(guó)際上最重要,、影響力最強(qiáng)的頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議,，它被認(rèn)為是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域的奧林匹克會(huì)議，一直以來(lái)都是國(guó)內(nèi)外產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界爭(zhēng)相發(fā)表重要成果的舞臺(tái),。
為了讓大家對(duì)ISPSD有更全面的了解,，筆者特別對(duì)前30年的ISPSD會(huì)議情況進(jìn)行一個(gè)簡(jiǎn)單回顧。如有不當(dāng)之處,，敬請(qǐng)指正,。
本文分三大部分：
一、ISPSD的發(fā)展和成就
1,、ISPSD的起源
2,、全球輪流舉辦讓ISPSD更具全球化
3、ISPSD關(guān)注的重點(diǎn)領(lǐng)域
4,、ISPSD技術(shù)委員會(huì)
5,、ISPSD的成就
二、ISPSD三十年的亮點(diǎn)
1,、IGBT
2,、BCDMOS技術(shù)
3、超結(jié)器件（Super Junction devices）
4,、寬禁帶（Wide Bandgap）：碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）
三,、中國(guó)內(nèi)地在ISPSD的表現(xiàn)
1、中國(guó)內(nèi)地論文發(fā)表情況
2,、中國(guó)內(nèi)地專(zhuān)家在ISPSD TPC的影響
3,、中國(guó)內(nèi)地在ISPSD的特邀報(bào)告情況
一、ISPSD的發(fā)展和成就
1,、ISPSD的起源
為了滿(mǎn)足日益發(fā)展的功率半導(dǎo)體器件和技術(shù)的需求,，IEEE旗下多個(gè)技術(shù)學(xué)會(huì)在20世紀(jì)80年代中后期舉辦了多個(gè)專(zhuān)題討論會(huì)。
1987年5月,，國(guó)際電子電氣工程師學(xué)會(huì)電化學(xué)學(xué)會(huì)（IEEE ECS,，IEEE Electro Chemical Society）的電子分會(huì)（Electronics division）發(fā)起舉辦了“高壓和智能功率器件論壇（Symposium on High Voltage and Smart Power Devices）”，論壇在賓夕法尼亞州費(fèi)城（Philadelphia）舉行,。
1988年8月,，日本電氣工程師學(xué)會(huì)（IEE Japan）在日本東京舉辦了“國(guó)際功率半導(dǎo)體器件研討會(huì)（International Symposium on Power Semiconductor Devices）”。這次會(huì)議通常被業(yè)界認(rèn)為是ISPSD的首屆會(huì)議,。
1989年5月,，國(guó)際電子電氣工程師學(xué)會(huì)電化學(xué)學(xué)會(huì)（IEEE ECS）在賓夕法尼亞州雷丁（Reading）發(fā)起舉辦了“高壓器件和智能功率集成電路（High Voltage & Smart Power ICs）”,，會(huì)議得到國(guó)際電子電氣工程師學(xué)會(huì)電子器件學(xué)會(huì)（IEEE EDS,，IEEE Electron Devices Society）的支持。
1990年4月,，國(guó)際電子電氣工程師學(xué)會(huì)電子器件學(xué)會(huì)（IEEE EDS）與日本電氣工程師學(xué)會(huì)（IEE Japan）在日本東京共同舉辦第二屆ISPSD,。本屆ISPSD會(huì)議在標(biāo)題中加入了“IC”,，會(huì)議名稱(chēng)改為“國(guó)際功率半導(dǎo)體器件和集成電路研討會(huì)（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）”。但是英文縮寫(xiě)沒(méi)有改變,，還是縮寫(xiě)為“ISPSD”,。
這也表明功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的挑戰(zhàn)：將高壓大功率器件與集成功率器件和IC相結(jié)合。
2,、全球輪流舉辦讓ISPSD更具全球化
1991年,，第三屆ISPSD在美國(guó)巴爾的摩舉行，會(huì)議得到國(guó)際電子電氣工程師學(xué)會(huì)電子器件學(xué)會(huì)（IEEE EDS）全力支持,。
1994年,，第六屆ISPSD在瑞士達(dá)沃斯舉行，這是ISPSD會(huì)議首次在歐洲舉辦,。會(huì)議得到蘇黎世聯(lián)邦理工大學(xué)（ETH）,、國(guó)際電子電氣工程師學(xué)會(huì)電子器件學(xué)會(huì)（IEEE EDS）、日本電氣工程師學(xué)會(huì)（IEE Japan）和歐洲電力電子學(xué)會(huì)（European Conf. on Power Electronics,，EPE）的支持,。
從1994年開(kāi)始，ISPED在日本（亞洲地區(qū)）,、美國(guó)（北美地區(qū)）和歐洲三地輪流主辦,，ISPSD成為全球最重要的功率半導(dǎo)體器件研討會(huì)。
要注意的是,，1999年ISPSD會(huì)議在加拿大多倫多舉行,；2007年ISPSD會(huì)議在韓國(guó)濟(jì)州島舉行。
隨著2010年以后“其他地區(qū)”提交的論文數(shù)量增加,，ISPSD咨詢(xún)委員會(huì)決定,，2012年開(kāi)始從美國(guó)、日本和歐洲以外的其他地區(qū)進(jìn)行遴選,，進(jìn)行四年輪換制,。于是2015年ISPSD會(huì)議在中國(guó)香港舉行。
2019年ISPSD會(huì)議將在中國(guó)上海舉辦,。這是30多年以來(lái),，ISPSD會(huì)議第一次在中國(guó)內(nèi)地舉辦，標(biāo)志著中國(guó)內(nèi)地的功率半導(dǎo)體器件和集成電路的研究和產(chǎn)業(yè)化在國(guó)際上產(chǎn)生著越來(lái)越重要的影響,。
3,、ISPSD關(guān)注的重點(diǎn)領(lǐng)域
ISPSD關(guān)注的重點(diǎn)領(lǐng)域包括高壓大功率分立器件、低壓功率器件,、集成功率器件（LV和HV）和IC,、雙極和MOS控制器件和技術(shù)、射頻功率器件、非硅基器件,、具有寬安全工作區(qū)的新型器件,。
4、ISPSD技術(shù)委員會(huì)
從1988年至2004年,，大會(huì)的程序委員會(huì)不分組審查所有提交的論文。
從2005年起設(shè)立了技術(shù)程序委員會(huì)（TPC）,，并分成“低壓和射頻（Low Voltage and RF）,、高壓（High Voltage）、集成功率（Integrated Power）”三個(gè)小組,，分組審查論文,。
2008年增加了寬禁帶（Wide Bandgap）小組；2010年增加了模塊和封裝（Module & Package）小組,；2016年寬禁帶（Wide Bandgap）小組一分為二,，分別是：氮化鎵和其他氮化物（GaN and Other Nitrides）、碳化硅和其他（SiC and Other）,。
經(jīng)過(guò)多次調(diào)整,，目前技術(shù)程序委員會(huì)（TPC）設(shè)有六個(gè)小組：
高壓功率器件High Voltage Power Devices (HV)；
低壓功率器件Low Voltage Devices and Power IC Device Technology (LVT),；
功率集成電路Power IC Design (ICD),；
氮化鎵與氮化物器件GaN and Nitride Base Compound Materials (GaN)；
碳化硅和其他材料SiC and Other Materials (SiC),；
模塊和封裝工藝Module and Package Technologies (PK),。
本屆技術(shù)程序委員會(huì)（TPC）共有61人，其中中國(guó)共有14位,，占23%,。香港科技大學(xué)陳敬（Kevin J. Chen）教授擔(dān)任TPC主席。
其他13人分布在六個(gè)小組：羅小蓉（電子科技大學(xué)）,、湯藝（Yi Tang,，嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體副總經(jīng)理）、張帥（Shuai (Simon) Zhang,，臺(tái)積電TSMC,，原華虹宏力）；David Tsung-Yi Huang（瑞昱Richtek）,；游步東（矽力杰首席技術(shù)官及首席運(yùn)營(yíng)官）,、祝靖（東南大學(xué)）；蔡志強(qiáng)（Tom Tsai,，臺(tái)積電,，氮化鎵與氮化物器件小組主席）、劉揚(yáng)（中山大學(xué)）,、楊樹(shù)（浙江大學(xué)）,；黃智方（Chih-Fang Huang,，臺(tái)灣清華大學(xué)）、李傳英（Chwan Ying Lee,，瀚薪科技總經(jīng)理）,、李坤彥（Kung-Yen Lee，臺(tái)灣大學(xué)）,；趙振清（Zhenqing Zhao,，臺(tái)達(dá)電子上海）。
5,、ISPSD的成就
第一是在一個(gè)會(huì)議中結(jié)合高壓大功率器件和集成功率器件和IC,。
第二是ISPSD作為國(guó)際功率半導(dǎo)體器件和IC首要會(huì)議的地位不可撼動(dòng)。
第三是建立了一個(gè)國(guó)際功率半導(dǎo)體器件和IC相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜疑鐓^(qū),，每年舉行一次會(huì)議,，交流該領(lǐng)域的理論、研究,、應(yīng)用和發(fā)展,。
第四是通過(guò)提供最新研究、課程,、研討會(huì)和評(píng)論文章,，提供定期論壇，促進(jìn)國(guó)際功率半導(dǎo)體器件和IC的發(fā)展,。
二,、ISPSD三十年的亮點(diǎn)
從1988年至今，ISPSD已經(jīng)有30多年的歷史,。30多年來(lái),，ISPSD極大的推動(dòng)了全球功率半導(dǎo)體器件和功率集成電路的發(fā)展。
筆者雖然無(wú)緣參加ISPSD,，但是對(duì)ISPSD自1988年舉辦以來(lái)的情況非常關(guān)注,，查閱了有關(guān)30年來(lái)ISPSD的文章。以下是筆者對(duì)ISPSD的一點(diǎn)心得,，歡迎拍磚,。
1、IGBT
絕緣柵晶體管（IGBT）是在MOSFET和Bipolar基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的新型復(fù)合功率器件,。具有MOS輸入,、雙極輸出功能，集Bipolar通態(tài)壓降小,、載流密度大,、耐壓高和功率MOSFET驅(qū)動(dòng)功率小、開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高,、熱穩(wěn)定性好的優(yōu)點(diǎn)于一身,。
IGBT概念形成是在1978 年。1983年世界首款I(lǐng)GBT芯片由美國(guó)通用公司和RCA公司研制成功的,，當(dāng)時(shí)容量為500V/20A,。1984年第一代IGBT產(chǎn)品正式形成，是穿通型平面柵(PT-Planar,，Punch Through）,，采用DMOS工藝制造，1986年正式商業(yè)化,。
之后，IGBT經(jīng)過(guò)改進(jìn)的穿通型平面柵（PT-Planar）,、非穿通型平面柵（NPT,，Non-Punch Through）、穿通型溝槽（PT-Trench）,、場(chǎng)截止型（Field Stop,，F(xiàn)S）、溝槽型場(chǎng)截止型（FS-Trench）等技術(shù)升級(jí),，以及新材料的出現(xiàn)（如氮化鎵GaN,、碳化硅SiC等）。
在ISPSD三十年中,，幾乎每年都有IGBT相關(guān)的論文入選,。
1988年舉辦的第一屆ISPSD中，東芝,、三菱,、三洋、日立,、AT&T等公司都提及了IGBT,。
1992年在日本東京舉辦的第四屆ISPSD上，入選的有關(guān)IGBT論文超過(guò)10篇,，并專(zhuān)門(mén)設(shè)立“Session 2：IGBT”,。此后，每年ISPSD會(huì)議上至少有一個(gè)IGBT的Session,。
1994年在瑞士達(dá)沃斯舉辦的第六屆ISPSD上,，為IGBT設(shè)立了三個(gè)Session，分別是“Session 2: IGBT 1,、Session 4: IGBT 2,、Session 9: IGBT 3”。當(dāng)年入選的有關(guān)IGBT的文章近30篇。
未來(lái),，IGBT的發(fā)展目標(biāo)是：大電流,、高電壓、低功耗,、高頻率,、功能集成化、高可靠性,。
而IGBT的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)將表現(xiàn)為：1,、薄片工藝，為減少熱阻,，晶圓厚度將越來(lái)越薄,，英飛凌已經(jīng)可以減薄至50μm；2,、小管芯,，管芯越小，越能提高電流密度,，據(jù)稱(chēng),，目前管芯面積不足20年前的1/3；3,、大硅片,，以英飛凌為代表的已經(jīng)在12英寸晶圓上生產(chǎn)IGBT；4,、新材料,，主要是以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶材料。
2,、BCDMOS技術(shù)
BCDMOS是一種單芯片功率集成電路技術(shù),。1986年由意法半導(dǎo)體（STM）率先研制成功，使得能夠在同一芯片上制作雙極（Bipolar）,、CMOS和DMOS器件,。
筆者發(fā)現(xiàn)，從1988年到2019年,，每年都有BCD工藝相關(guān)的論文入選,。
1988年在日本舉行的第一次ISPSD會(huì)議上，特別邀請(qǐng)意法半導(dǎo)體到場(chǎng)演講有關(guān)BCD技術(shù)的報(bào)告,。
BCD工藝向小尺寸發(fā)展,，并采用多層金屬結(jié)構(gòu)，使導(dǎo)通電阻大幅降低,，提高電流密度和效率,，同時(shí)增加CMOS電路的集成度,。
BCD工藝是電源管理芯片、顯示驅(qū)動(dòng)芯片,、汽車(chē)電子芯片等的上佳選擇,，有廣闊市場(chǎng)。
BCD工藝今后將朝高壓,、高功率,、高密度等方向發(fā)展。
有專(zhuān)家表示,，未來(lái)BCD與SOI相結(jié)合是大勢(shì)所趨,。事實(shí)上，早在1991年就有討論BCD與SOI相結(jié)合的論文入選,。
3,、超結(jié)器件（Super Junction devices）
超結(jié)結(jié)構(gòu)突破了傳統(tǒng)功率MOS器件的理論極限,被譽(yù)為功率MOS器件的里程碑器件。
1988年飛利浦（Philips）的D.J. Coe在其專(zhuān)利中首次提出在橫向高壓MOSFET中采用交替的PN結(jié)構(gòu)提高漂移層耐壓的方法,。1993年中國(guó)內(nèi)地的陳星弼教授提出的“復(fù)合緩沖層Composite Buffer Layer,，CB-Layer）”結(jié)構(gòu)，在縱向功率器件中采用多個(gè)PN結(jié)作為耐壓層,。1995年西門(mén)子（Siemens）的J.Tihany在其美國(guó)專(zhuān)利中也提出類(lèi)似思路。1997年富士電機(jī)（Fuji Electric）的Tatsuhiko Fujihira等在前人的研究基礎(chǔ)上,，正式提出超結(jié)（Super Junction）理論,。之后 ，陳星弼教授對(duì)導(dǎo)通電阻和擊穿電壓之間的關(guān)系進(jìn)行了嚴(yán)格的理論推導(dǎo),，并提出公式：
超結(jié)主要是將傳統(tǒng)的VDMOS的N型漂移區(qū)替換為N區(qū)和P區(qū)交替形成的漂移區(qū),。D.J.Coe和陳星弼教授分別申請(qǐng)了美國(guó)專(zhuān)利。早期的研究工作奠定了超結(jié)理論的基石,，為后來(lái)一系列基于此理論而設(shè)計(jì)的新型器件器件提供了基礎(chǔ),。
1998年西門(mén)子推出第一款商用600V超結(jié)VDMOS器件“CoolMOSTM”，1999年西門(mén)子半導(dǎo)體部門(mén)分拆成立英飛凌,，現(xiàn)在,，英飛凌已經(jīng)將CoolMOSTM發(fā)展到了第七代。東芝,、安森美,、意法半導(dǎo)體等公司都采用基于超結(jié)理念的新技術(shù)生產(chǎn)低功耗VDMOS器件。
2001年在日本大阪舉行的第13屆ISPSD會(huì)議上,，特別設(shè)立“Session 10：Super Junction”,。
由于在超結(jié)功率半導(dǎo)體器件的卓越貢獻(xiàn)，陳星弼教授于2015年5月獲得ISPSD大會(huì)頒發(fā)的最高榮譽(yù)“國(guó)際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎(jiǎng)”,，是亞太地區(qū)首位獲此殊榮的科學(xué)家,；2018年5月他又成為中國(guó)首位入選ISPSD首屆全球名人堂的科學(xué)家,，全球一共32位；并當(dāng)選2019年度IEEE Fellow,。
4,、寬禁帶（Wide Bandgap）：碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）
寬禁帶（Wide Bandgap）材料包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。寬禁帶材料在ISPSD受到了廣泛的重視,。
1990在日本東京舉行的第2屆ISPSD會(huì)議上,，特別邀請(qǐng)日本京都大學(xué)H. Matsunami教授做了題為《碳化硅半導(dǎo)體：功率器件的未來(lái)Semiconductor Silicon Carbide -Expectation for Power Devices》的報(bào)告。
之后,，隨著SiC領(lǐng)域的文章增多,，1995年在日本橫浜舉行的第7屆ISPSD會(huì)議上，首次設(shè)立了“Session 5: SiCs”,。
從開(kāi)始發(fā)表的年份上比較,，氮化鎵（GaN）研究領(lǐng)域的文章要比碳化硅（SiC）晚上不少。
2003年在英國(guó)劍橋舉行的第15屆ISPSD會(huì)議上,，才首次收到有關(guān)GaN領(lǐng)域研究的文章,，并有兩篇文章入選大會(huì)做口頭報(bào)告。
2004年在日本北九州市舉行的第16屆ISPSD會(huì)議上,，在原有的碳化硅（SiC）專(zhuān)場(chǎng)加上了氮化鎵（GaN）,，變成“Session 5：SiC and GaN（WBG）”。
2005年在美國(guó)圣巴巴拉市舉行的第17屆ISPSD會(huì)議上,，設(shè)立“Session 11（HV6）：GaN and Diamond Devices”,。
2006年在意大利那不勒斯舉行的第18屆ISPSD會(huì)議上，設(shè)立“Session 10：GaN Devices”,。
一系列的情況都表明,，寬禁帶半導(dǎo)體是功率半導(dǎo)體器件的未來(lái)。
三,、中國(guó)內(nèi)地在ISPSD的表現(xiàn)
1,、中國(guó)內(nèi)地論文發(fā)表情況
1990在日本東京舉行的第2屆ISPSD會(huì)議上，西安交通大學(xué)的徐傳驤,、張少云,、馮玉柱、劉迪的論文《The Study of Deterioration Mechanism and Stability Technique of Surface Sustained Voltage of Power Electronic Devices 》入選,，并在“Session 6-1: Modeling & Simulation of Devices”進(jìn)行口頭報(bào)告,。
這是中國(guó)內(nèi)地學(xué)者首次在ISPSD以第一作者單位發(fā)表論文。之后,，沉寂了好長(zhǎng)時(shí)間,。
1999年在加拿大多倫多舉行的第11屆ISPSD會(huì)議上，北京工業(yè)大學(xué)亢寶衛(wèi)教授團(tuán)隊(duì)提交的論文《Monolithically Integrated Power Device Consisting of a GAT and a MPS Diode with Increased Switching Speed》入選,，并在“SESSION 11:HV - Controlled Switches”進(jìn)行口頭報(bào)告,。
2000年在法國(guó)圖盧茲舉行的第12屆ISPSD會(huì)議上,，電子科技大學(xué)的李平教授團(tuán)隊(duì)提交的論文《Novel Power MOS Devices with SiGe/Si Heterojunctions》入選，并在“Session: SiC”進(jìn)行報(bào)告,。
2003年在英國(guó)劍橋舉行的第15屆ISPSD會(huì)議上,，北京工業(yè)大學(xué)的亢寶衛(wèi)教授團(tuán)隊(duì)提交的論文《Improving the CoolMOS Body-Diode Switching Performance with Integrated Schottky Contacts》入選，列入“Poster Session Group 6: Charge Compensation - 'superjunction' MOSFETs”,。
2005年在美國(guó)圣巴巴拉舉行的第17屆ISPSD會(huì)議上,，東南大學(xué)時(shí)龍興教授團(tuán)隊(duì)提交的論文《PDP scan driver with NVDMOS and RESURF PLDMOS》入選。
2006年在意大利那不勒斯舉行的第18屆ISPSD會(huì)議上,，電子科技大學(xué)張波教授團(tuán)隊(duì)提交的論文《Design and Optimization of a Versatile 700 V SPIC Process Using a Fully Implanted Triple-well Technology》入選,。
從2008年開(kāi)始，中國(guó)內(nèi)地每年都有論文入選ISPSD,，且每年的入選論文數(shù)量都有所提升,。
據(jù)芯思想研究院（ChipInsights）統(tǒng)計(jì)，從1990年中國(guó)內(nèi)地第一篇文章入選,，至2018年已經(jīng)有120篇文章入選,。其中高校116篇，產(chǎn)業(yè)界4篇,。其中電子科技大學(xué)以53篇雄霸第一（其中張波教授團(tuán)隊(duì)45篇,，陳星弼院士團(tuán)隊(duì)7篇，李平教授團(tuán)隊(duì)1篇）,，東南大學(xué)以26篇排第二,，浙江大學(xué)以15篇排第三，其他分別是北京大學(xué)6篇,，中科院5篇，北京工業(yè)大學(xué)4篇,，華虹宏力,、華中科技大學(xué)，西安電子科技大學(xué),、中山大學(xué)各為2篇,，西安交通大學(xué)、株洲中車(chē)時(shí)代電氣,、英諾賽科各有一篇,。
目前，中國(guó)內(nèi)地高校有三大高產(chǎn)團(tuán)隊(duì),，分別是電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（PITEL）,、東南大學(xué)功率集成電路研發(fā)部（PIC）、浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院電力子器件團(tuán)隊(duì)（PEDL）,，三大團(tuán)隊(duì)共有86篇文章入選,，占中國(guó)大陸總?cè)脒x數(shù)的71.7%,。
不過(guò)三大高產(chǎn)團(tuán)隊(duì)各有特色，各有側(cè)重,。
電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（PITEL）專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體科學(xué)和技術(shù)研究,，進(jìn)行功率半導(dǎo)體器件和功率集成電路設(shè)計(jì)研發(fā)，包括分立器件（從高性能功率二極管,、雙極型功率晶體管,、功率MOSFET、IGBT,、MCT到RF LDMOS,，從硅基到SiC和GaN）、可集成功率半導(dǎo)體器件（包括含硅基,、SOI基和GaN基）和功率高壓集成電路（含,、高低壓工藝集成、電源管理集成電路,、功率集成電路,、數(shù)字輔助功率集成以及面向系統(tǒng)芯片的低功耗集成電路等）設(shè)計(jì)研發(fā)工作。
東南大學(xué)功率集成電路（PIC）研發(fā)部是國(guó)家專(zhuān)用集成電路系統(tǒng)工程技術(shù)研究中心的重要組成部分,，在南京,、無(wú)錫和蘇州設(shè)有三個(gè)實(shí)驗(yàn)室。功率集成電路研發(fā)部專(zhuān)注于功率器件與功率集成技術(shù)研究,，開(kāi)展了功率半導(dǎo)體器件與可靠性（包括超結(jié)DMOS,、IGBT、SiC功率器件和GaN功率器件等）,、高低壓集成工藝（包括硅基BCD和SOI BCD等）,、功率集成電路（包括數(shù)字電源芯片、柵驅(qū)動(dòng)芯片等）和高功率密度電源模塊等方向的研發(fā)工作,。
浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院電力子器件團(tuán)隊(duì)（PEDL）一直以來(lái)致力于開(kāi)展碳化硅和氮化鎵等寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的研究,，已經(jīng)成功自主研制出了碳化硅超級(jí)結(jié)肖特基二極管、結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管,、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,、常關(guān)型氮化鎵晶體管和垂直型氮化鎵二極管，開(kāi)發(fā)出了容量領(lǐng)先的碳化硅肖特基二極管模塊,、碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)開(kāi)關(guān)管模塊以及碳化硅MOSFET功率模塊,，同時(shí)還基于寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的電力電子變壓器、DC-DC變換器,、PFC,、充電樁等應(yīng)用方向開(kāi)展了一系列研究工作。
據(jù)最新消息,，中國(guó)內(nèi)地在ISPSD 2019會(huì)議上一共入選了36篇論文,。三大高產(chǎn)團(tuán)隊(duì)總計(jì)入選24篇,，其中電子科技大學(xué)入選13篇，數(shù)量居全球第一,，文章主要集中在功率集成電路（4篇）,，高壓器件（3篇）和低壓器件（3篇）領(lǐng)域，在GaN器件和SiC器件領(lǐng)域則分別有2篇和1篇,。浙江大學(xué)今年一共有6篇文章入選,，文章全部集中在碳化硅和氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。在寬禁帶半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,，浙江大學(xué)的論文數(shù)量排名全球第一,。東南大學(xué)今年則有5篇文章入選，包括低壓器件2篇,，高壓器件1篇,，功率集成電路1篇和GaN器件1篇。
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2,、中國(guó)內(nèi)地專(zhuān)家在ISPSD TPC的影響
ISPSD2019技術(shù)程序委員會(huì)（Technical Program Committee，TPC）共有61人,，其中中國(guó)共有14位,，占23%。其中中國(guó)內(nèi)地8人（劉揚(yáng),、羅小蓉,、湯藝、楊樹(shù),、游步東,、張帥、趙振清,、祝靖）,，中國(guó)香港1人（陳敬），中國(guó)臺(tái)灣5人（瑞昱Tsung-Yi Huang,、臺(tái)積電蔡志強(qiáng)Tom Tsai,、臺(tái)灣清華大學(xué)黃智方Chih-Fang Huang,、瀚薪科技李傳英Chwan Ying Lee,、臺(tái)灣大學(xué)李坤彥Kung-Yen Lee）。
中國(guó)內(nèi)地8人中來(lái)自高校的有4 人,，分別是中山大學(xué)劉揚(yáng)教授,、電子科技大學(xué)羅小蓉教授、浙江大學(xué)楊樹(shù)教授,、東南大學(xué)祝靖副教授,；來(lái)自產(chǎn)業(yè)界的4人分別是斯達(dá)半導(dǎo)體副總湯藝,、臺(tái)積電上海研發(fā)副總監(jiān)張帥、臺(tái)達(dá)電子趙振清,、矽力杰首席技術(shù)官游步東,。
下面我們看看中國(guó)內(nèi)地專(zhuān)家在歷年TPC的情況。
2010年,，中國(guó)內(nèi)地學(xué)者正式進(jìn)入ISPSD2011的技術(shù)程序委員會(huì),。當(dāng)年電子科技大學(xué)（微電子與固體電子學(xué)院）的張波教授進(jìn)入高壓（High Voltage）小組委員會(huì)，浙江大學(xué)（電氣工程學(xué)院）的盛況教授進(jìn)入寬禁帶（Wide Bandgap）小組委員會(huì),。
2013年公布的ISPSD2014技術(shù)程序委員會(huì)名單中,，來(lái)自東南大學(xué)（電子科學(xué)與工程學(xué)院、微電子學(xué)院）的孫偉鋒教授進(jìn)入集成功率（Integrated Power）小組委員會(huì),，來(lái)自西安交通大學(xué)（電信學(xué)院）的張安平教授進(jìn)入寬禁帶（Wide Bandgap）小組委員會(huì),。
2015年ISPSD在中國(guó)香港舉行，浙江大學(xué)盛況教授擔(dān)任TPC主席,，電子科技大學(xué)張波教授擔(dān)任TPC共同主席,。在TPC名單中，我們看到作為新生力量,，來(lái)自臺(tái)積電的張帥（Shuai Zhang,，原華虹宏力）進(jìn)入高壓（High Voltage）小組委員會(huì)。
2015年,，來(lái)自電子科技大學(xué)（微電子與固體電子學(xué)院）的羅小蓉教授進(jìn)入ISPSD2016技術(shù)程序委員會(huì)高壓（High Voltage）小組委員會(huì),。張波教授和盛況教授由于任期時(shí)間限制，不再擔(dān)任TPC委員,。
2016年公布的ISPSD2017技術(shù)程序委員會(huì)名單中,，中國(guó)內(nèi)地專(zhuān)家名單沒(méi)有變化。
2017年公布的ISPSD2018技術(shù)程序委員會(huì)名單中,，來(lái)自中山大學(xué)（物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院）的劉揚(yáng)教授進(jìn)入氮化鎵與氮化物器件（GaN and Nitride Base Compound Materials）小組委員會(huì),。
2018年公布的ISPSD2019技術(shù)程序委員會(huì)名單中，來(lái)自東南大學(xué)（電子科學(xué)與工程學(xué)院,、微電子學(xué)院）的祝靖副教授進(jìn)入集成功率（Integrated Power）小組委員會(huì),，孫偉鋒教授由于任期時(shí)間限制，不再擔(dān)任TPC委員,；來(lái)自浙江大學(xué)（電氣工程學(xué)院）的楊樹(shù)教授進(jìn)入氮化鎵與氮化物器件（GaN and Nitride Base Compound Materials）小組委員會(huì),。
3、中國(guó)內(nèi)地在ISPSD的特邀報(bào)告情況
近幾年來(lái),，隨著政府支持和社會(huì)投入力度的不斷加大,，我國(guó)在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得可喜的進(jìn)步，并得到國(guó)際同行的認(rèn)可。從2015年到2017年連續(xù)三年有中國(guó)內(nèi)地公司作為特邀報(bào)告單位,，表明中國(guó)內(nèi)地在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要性,。
2015年，中車(chē)株洲電力機(jī)車(chē)研究所有限公司（原南車(chē)株洲研究所）作為特邀報(bào)告單位,，在ISPSD2015上作了題了《電力電子器件在鐵路運(yùn)輸牽引系統(tǒng)中的應(yīng)用Application of Power Electronic Devices in Rail Transportation Traction System》的報(bào)告,，其他三個(gè)特邀報(bào)告分別來(lái)自美國(guó)Efficient Power、 日本松下（Panasonic）和法國(guó)Yole Développement,。
2016年,，國(guó)家電網(wǎng)公司旗下全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院作為特邀報(bào)告單位，在ISPSD2016上作了題了《功率器件發(fā)展對(duì)電網(wǎng)的影響Impact of Power Electronic Device Development on Power Grids》的報(bào)告,，其他三個(gè)特邀報(bào)告分別來(lái)自美國(guó)KKR,、日本日產(chǎn)汽車(chē)（Nissan Motor）、瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院（ETH Zürich）,。
2017年,，臺(tái)達(dá)電子（上海）作為特邀報(bào)告單位，在ISPSD2017上作了題了《寬禁帶功率器件在電源中的應(yīng)用機(jī)遇與展望Application Opporunities and Expectation for Wide Bandgap Power Device In Power Supply》,，其他三個(gè)特邀報(bào)告分別來(lái)自比利時(shí)魯汶大學(xué)（Katholieke Universiteit Leuven）,、日本安川電機(jī)（Yaskawa Electric）、美國(guó)納微（Navitas）,。