《電子技術(shù)應(yīng)用》
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ISPSD推進(jìn)功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展之旅

2019-04-12

 

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第31屆功率半導(dǎo)體器件集成電路國際會議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs,,ISPSD)將于2019年5月19-23日在上海寶華萬豪酒店舉辦,,這是ISPSD會議舉辦30多年以來第一次在中國內(nèi)地召開,。

 

ISPSD 2019由浙江大學(xué)主辦,浙江大學(xué)盛況教授擔(dān)任大會主席(General Chair),,電子科技大學(xué)張波教授擔(dān)任大會副主席(Vice General Chair),;香港科技大學(xué)陳敬(Kevin J. Chen)教授擔(dān)任技術(shù)程序委員會(Technical Program Committee,TPC)主席,。


ISPSD會議是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域在國際上最重要,、影響力最強(qiáng)的頂級學(xué)術(shù)會議,,它被認(rèn)為是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域的奧林匹克會議,,一直以來都是國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界爭相發(fā)表重要成果的舞臺。

 

為了讓大家對ISPSD有更全面的了解,,筆者特別對前30年的ISPSD會議情況進(jìn)行一個簡單回顧,。如有不當(dāng)之處,敬請指正,。


本文分三大部分:


一,、ISPSD的發(fā)展和成就

1、ISPSD的起源

2,、全球輪流舉辦讓ISPSD更具全球化

3,、ISPSD關(guān)注的重點領(lǐng)域

4、ISPSD技術(shù)委員會

5,、ISPSD的成就


二,、ISPSD三十年的亮點

1、IGBT

2,、BCDMOS技術(shù)

3,、超結(jié)器件(Super Junction devices)

4、寬禁帶(Wide Bandgap):碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)


三,、中國內(nèi)地在ISPSD的表現(xiàn)

1,、中國內(nèi)地論文發(fā)表情況

2、中國內(nèi)地專家在ISPSD TPC的影響

3,、中國內(nèi)地在ISPSD的特邀報告情況



一,、ISPSD的發(fā)展和成就

 

1、ISPSD的起源

 

為了滿足日益發(fā)展的功率半導(dǎo)體器件和技術(shù)的需求,,IEEE旗下多個技術(shù)學(xué)會在20世紀(jì)80年代中后期舉辦了多個專題討論會,。

 

1987年5月,國際電子電氣工程師學(xué)會電化學(xué)學(xué)會(IEEE ECS,IEEE Electro Chemical Society)的電子分會(Electronics division)發(fā)起舉辦了“高壓和智能功率器件論壇(Symposium on High Voltage and Smart Power Devices)”,,論壇在賓夕法尼亞州費城(Philadelphia)舉行,。

 

1988年8月,日本電氣工程師學(xué)會(IEE Japan)在日本東京舉辦了“國際功率半導(dǎo)體器件研討會(International Symposium on Power Semiconductor Devices)”,。這次會議通常被業(yè)界認(rèn)為是ISPSD的首屆會議,。

 

1989年5月,國際電子電氣工程師學(xué)會電化學(xué)學(xué)會(IEEE ECS)在賓夕法尼亞州雷?。≧eading)發(fā)起舉辦了“高壓器件和智能功率集成電路(High Voltage & Smart Power ICs)”,,會議得到國際電子電氣工程師學(xué)會電子器件學(xué)會(IEEE EDS,IEEE Electron Devices Society)的支持,。

 

1990年4月,,國際電子電氣工程師學(xué)會電子器件學(xué)會(IEEE EDS)與日本電氣工程師學(xué)會(IEE Japan)在日本東京共同舉辦第二屆ISPSD。本屆ISPSD會議在標(biāo)題中加入了“IC”,,會議名稱改為“國際功率半導(dǎo)體器件和集成電路研討會(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)”,。但是英文縮寫沒有改變,還是縮寫為“ISPSD”,。

 

這也表明功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的挑戰(zhàn):將高壓大功率器件與集成功率器件和IC相結(jié)合,。

 

2、全球輪流舉辦讓ISPSD更具全球化

 

1991年,,第三屆ISPSD在美國巴爾的摩舉行,,會議得到國際電子電氣工程師學(xué)會電子器件學(xué)會(IEEE EDS)全力支持。

 

1994年,,第六屆ISPSD在瑞士達(dá)沃斯舉行,,這是ISPSD會議首次在歐洲舉辦。會議得到蘇黎世聯(lián)邦理工大學(xué)(ETH),、國際電子電氣工程師學(xué)會電子器件學(xué)會(IEEE EDS),、日本電氣工程師學(xué)會(IEE Japan)和歐洲電力電子學(xué)會(European Conf. on Power Electronics,EPE)的支持,。

 

從1994年開始,,ISPED在日本(亞洲地區(qū))、美國(北美地區(qū))和歐洲三地輪流主辦,,ISPSD成為全球最重要的功率半導(dǎo)體器件研討會,。

 

要注意的是,1999年ISPSD會議在加拿大多倫多舉行,;2007年ISPSD會議在韓國濟(jì)州島舉行,。

 

隨著2010年以后“其他地區(qū)”提交的論文數(shù)量增加,ISPSD咨詢委員會決定,,2012年開始從美國,、日本和歐洲以外的其他地區(qū)進(jìn)行遴選,,進(jìn)行四年輪換制。于是2015年ISPSD會議在中國香港舉行,。

 

2019年ISPSD會議將在中國上海舉辦,。這是30多年以來,ISPSD會議第一次在中國內(nèi)地舉辦,,標(biāo)志著中國內(nèi)地的功率半導(dǎo)體器件和集成電路的研究和產(chǎn)業(yè)化在國際上產(chǎn)生著越來越重要的影響,。

 

3、ISPSD關(guān)注的重點領(lǐng)域

 

ISPSD關(guān)注的重點領(lǐng)域包括高壓大功率分立器件,、低壓功率器件,、集成功率器件(LV和HV)和IC、雙極和MOS控制器件和技術(shù),、射頻功率器件,、非硅基器件、具有寬安全工作區(qū)的新型器件,。

 

4,、ISPSD技術(shù)委員會

 

從1988年至2004年,大會的程序委員會不分組審查所有提交的論文,。

 

從2005年起設(shè)立了技術(shù)程序委員會(TPC),,并分成“低壓和射頻(Low Voltage and RF),、高壓(High Voltage),、集成功率(Integrated Power)”三個小組,分組審查論文,。

 

2008年增加了寬禁帶(Wide Bandgap)小組,;2010年增加了模塊和封裝(Module & Package)小組;2016年寬禁帶(Wide Bandgap)小組一分為二,,分別是:氮化鎵和其他氮化物(GaN and Other Nitrides),、碳化硅和其他(SiC and Other)。

 

經(jīng)過多次調(diào)整,,目前技術(shù)程序委員會(TPC)設(shè)有六個小組:

高壓功率器件High Voltage Power Devices (HV),;

低壓功率器件Low Voltage Devices and Power IC Device Technology (LVT);

功率集成電路Power IC Design (ICD),;

氮化鎵與氮化物器件GaN and Nitride Base Compound Materials (GaN),;

碳化硅和其他材料SiC and Other Materials (SiC);

模塊和封裝工藝Module and Package Technologies (PK),。

 

本屆技術(shù)程序委員會(TPC)共有61人,,其中中國共有14位,占23%,。香港科技大學(xué)陳敬(Kevin J. Chen)教授擔(dān)任TPC主席,。

 

其他13人分布在六個小組:羅小蓉(電子科技大學(xué)),、湯藝(Yi Tang,嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體副總經(jīng)理),、張帥(Shuai (Simon) Zhang,,臺積電TSMC,原華虹宏力),;David Tsung-Yi Huang(瑞昱Richtek),;游步東(矽力杰首席技術(shù)官及首席運營官)、祝靖(東南大學(xué)),;蔡志強(qiáng)(Tom Tsai,,臺積電,氮化鎵與氮化物器件小組主席),、劉揚(中山大學(xué)),、楊樹(浙江大學(xué));黃智方(Chih-Fang Huang,,臺灣清華大學(xué)),、李傳英(Chwan Ying Lee,瀚薪科技總經(jīng)理),、李坤彥(Kung-Yen Lee,,臺灣大學(xué));趙振清(Zhenqing Zhao,,臺達(dá)電子上海),。

 

5、ISPSD的成就

 

第一是在一個會議中結(jié)合高壓大功率器件和集成功率器件和IC,。

 

第二是ISPSD作為國際功率半導(dǎo)體器件和IC首要會議的地位不可撼動,。

 

第三是建立了一個國際功率半導(dǎo)體器件和IC相關(guān)領(lǐng)域?qū)<疑鐓^(qū),每年舉行一次會議,,交流該領(lǐng)域的理論,、研究、應(yīng)用和發(fā)展,。

 

第四是通過提供最新研究,、課程、研討會和評論文章,,提供定期論壇,,促進(jìn)國際功率半導(dǎo)體器件和IC的發(fā)展。

 

二,、ISPSD三十年的亮點

 

從1988年至今,,ISPSD已經(jīng)有30多年的歷史。30多年來,,ISPSD極大的推動了全球功率半導(dǎo)體器件和功率集成電路的發(fā)展,。

 

筆者雖然無緣參加ISPSD,,但是對ISPSD自1988年舉辦以來的情況非常關(guān)注,查閱了有關(guān)30年來ISPSD的文章,。以下是筆者對ISPSD的一點心得,,歡迎拍磚。


1,、IGBT

 

絕緣柵晶體管(IGBT)是在MOSFET和Bipolar基礎(chǔ)上發(fā)展起來的新型復(fù)合功率器件,。具有MOS輸入、雙極輸出功能,,集Bipolar通態(tài)壓降小,、載流密度大、耐壓高和功率MOSFET驅(qū)動功率小,、開關(guān)速度快,、輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性好的優(yōu)點于一身,。

 

IGBT概念形成是在1978 年,。1983年世界首款I(lǐng)GBT芯片由美國通用公司和RCA公司研制成功的,當(dāng)時容量為500V/20A,。1984年第一代IGBT產(chǎn)品正式形成,,是穿通型平面柵(PT-Planar,Punch Through),,采用DMOS工藝制造,,1986年正式商業(yè)化。

 

之后,,IGBT經(jīng)過改進(jìn)的穿通型平面柵(PT-Planar),、非穿通型平面柵(NPT,Non-Punch Through),、穿通型溝槽(PT-Trench)、場截止型(Field Stop,,F(xiàn)S),、溝槽型場截止型(FS-Trench)等技術(shù)升級,以及新材料的出現(xiàn)(如氮化鎵GaN,、碳化硅SiC等),。

 

在ISPSD三十年中,幾乎每年都有IGBT相關(guān)的論文入選,。

 

1988年舉辦的第一屆ISPSD中,,東芝、三菱,、三洋,、日立,、AT&T等公司都提及了IGBT。

 

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1992年在日本東京舉辦的第四屆ISPSD上,,入選的有關(guān)IGBT論文超過10篇,,并專門設(shè)立“Session 2:IGBT”。此后,,每年ISPSD會議上至少有一個IGBT的Session,。

 

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1994年在瑞士達(dá)沃斯舉辦的第六屆ISPSD上,為IGBT設(shè)立了三個Session,,分別是“Session 2: IGBT 1,、Session 4: IGBT 2、Session 9: IGBT 3”,。當(dāng)年入選的有關(guān)IGBT的文章近30篇,。

 

未來,IGBT的發(fā)展目標(biāo)是:大電流,、高電壓,、低功耗、高頻率,、功能集成化,、高可靠性。

 

而IGBT的未來發(fā)展趨勢將表現(xiàn)為:1,、薄片工藝,,為減少熱阻,晶圓厚度將越來越薄,,英飛凌已經(jīng)可以減薄至50μm,;2、小管芯,,管芯越小,,越能提高電流密度,據(jù)稱,,目前管芯面積不足20年前的1/3,;3、大硅片,,以英飛凌為代表的已經(jīng)在12英寸晶圓上生產(chǎn)IGBT,;4、新材料,,主要是以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的寬禁帶材料,。


2、BCDMOS技術(shù)

 

BCDMOS是一種單芯片功率集成電路技術(shù),。1986年由意法半導(dǎo)體(STM)率先研制成功,,使得能夠在同一芯片上制作雙極(Bipolar),、CMOS和DMOS器件。

 

筆者發(fā)現(xiàn),,從1988年到2019年,,每年都有BCD工藝相關(guān)的論文入選。

 

1988年在日本舉行的第一次ISPSD會議上,,特別邀請意法半導(dǎo)體到場演講有關(guān)BCD技術(shù)的報告,。 

 

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BCD工藝向小尺寸發(fā)展,并采用多層金屬結(jié)構(gòu),,使導(dǎo)通電阻大幅降低,,提高電流密度和效率,同時增加CMOS電路的集成度,。

 

BCD工藝是電源管理芯片,、顯示驅(qū)動芯片、汽車電子芯片等的上佳選擇,,有廣闊市場,。

 

BCD工藝今后將朝高壓、高功率,、高密度等方向發(fā)展,。

有專家表示,未來BCD與SOI相結(jié)合是大勢所趨,。事實上,,早在1991年就有討論BCD與SOI相結(jié)合的論文入選。

 

3,、超結(jié)器件(Super Junction devices)

 

超結(jié)結(jié)構(gòu)突破了傳統(tǒng)功率MOS器件的理論極限,被譽(yù)為功率MOS器件的里程碑器件,。



1988年飛利浦(Philips)的D.J. Coe在其專利中首次提出在橫向高壓MOSFET中采用交替的PN結(jié)構(gòu)提高漂移層耐壓的方法。1993年中國內(nèi)地的陳星弼教授提出的“復(fù)合緩沖層Composite Buffer Layer,,CB-Layer)”結(jié)構(gòu),,在縱向功率器件中采用多個PN結(jié)作為耐壓層。1995年西門子(Siemens)的J.Tihany在其美國專利中也提出類似思路,。1997年富士電機(jī)(Fuji Electric)的Tatsuhiko Fujihira等在前人的研究基礎(chǔ)上,,正式提出超結(jié)(Super Junction)理論。之后 ,,陳星弼教授對導(dǎo)通電阻和擊穿電壓之間的關(guān)系進(jìn)行了嚴(yán)格的理論推導(dǎo),并提出公式:

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超結(jié)主要是將傳統(tǒng)的VDMOS的N型漂移區(qū)替換為N區(qū)和P區(qū)交替形成的漂移區(qū),。D.J.Coe和陳星弼教授分別申請了美國專利,。早期的研究工作奠定了超結(jié)理論的基石,為后來一系列基于此理論而設(shè)計的新型器件器件提供了基礎(chǔ),。

 

1998年西門子推出第一款商用600V超結(jié)VDMOS器件“CoolMOSTM”,,1999年西門子半導(dǎo)體部門分拆成立英飛凌,,現(xiàn)在,英飛凌已經(jīng)將CoolMOSTM發(fā)展到了第七代,。東芝,、安森美、意法半導(dǎo)體等公司都采用基于超結(jié)理念的新技術(shù)生產(chǎn)低功耗VDMOS器件,。

 

2001年在日本大阪舉行的第13屆ISPSD會議上,,特別設(shè)立“Session 10:Super Junction”。


由于在超結(jié)功率半導(dǎo)體器件的卓越貢獻(xiàn),,陳星弼教授于2015年5月獲得ISPSD大會頒發(fā)的最高榮譽(yù)“國際功率半導(dǎo)體先驅(qū)獎”,,是亞太地區(qū)首位獲此殊榮的科學(xué)家;2018年5月他又成為中國首位入選ISPSD首屆全球名人堂的科學(xué)家,,全球一共32位,;并當(dāng)選2019年度IEEE Fellow。

 

4,、寬禁帶(Wide Bandgap):碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)

 

寬禁帶(Wide Bandgap)材料包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等,。寬禁帶材料在ISPSD受到了廣泛的重視。

 

1990在日本東京舉行的第2屆ISPSD會議上,,特別邀請日本京都大學(xué)H. Matsunami教授做了題為《碳化硅半導(dǎo)體:功率器件的未來Semiconductor Silicon Carbide -Expectation for Power Devices》的報告,。

 

之后,隨著SiC領(lǐng)域的文章增多,,1995年在日本橫浜舉行的第7屆ISPSD會議上,,首次設(shè)立了“Session 5: SiCs”。

 

從開始發(fā)表的年份上比較,,氮化鎵(GaN)研究領(lǐng)域的文章要比碳化硅(SiC)晚上不少,。

 

2003年在英國劍橋舉行的第15屆ISPSD會議上,才首次收到有關(guān)GaN領(lǐng)域研究的文章,,并有兩篇文章入選大會做口頭報告,。

 

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2004年在日本北九州市舉行的第16屆ISPSD會議上,在原有的碳化硅(SiC)專場加上了氮化鎵(GaN),,變成“Session 5:SiC and GaN(WBG)”,。

 

2005年在美國圣巴巴拉市舉行的第17屆ISPSD會議上,設(shè)立“Session 11(HV6):GaN and Diamond Devices”,。

 

2006年在意大利那不勒斯舉行的第18屆ISPSD會議上,,設(shè)立“Session 10:GaN Devices”。


一系列的情況都表明,,寬禁帶半導(dǎo)體是功率半導(dǎo)體器件的未來,。

 

三、中國內(nèi)地在ISPSD的表現(xiàn)

 

1、中國內(nèi)地論文發(fā)表情況

 

1990在日本東京舉行的第2屆ISPSD會議上,,西安交通大學(xué)的徐傳驤,、張少云、馮玉柱,、劉迪的論文《The Study of Deterioration Mechanism and Stability Technique of Surface Sustained Voltage of Power Electronic Devices 》入選,,并在“Session 6-1: Modeling & Simulation of Devices”進(jìn)行口頭報告。 

 

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這是中國內(nèi)地學(xué)者首次在ISPSD以第一作者單位發(fā)表論文,。之后,,沉寂了好長時間。

 

1999年在加拿大多倫多舉行的第11屆ISPSD會議上,,北京工業(yè)大學(xué)亢寶衛(wèi)教授團(tuán)隊提交的論文《Monolithically Integrated Power Device Consisting of a GAT and a MPS Diode with Increased Switching Speed》入選,,并在“SESSION 11:HV - Controlled Switches”進(jìn)行口頭報告。

 

2000年在法國圖盧茲舉行的第12屆ISPSD會議上,,電子科技大學(xué)的李平教授團(tuán)隊提交的論文《Novel Power MOS Devices with SiGe/Si Heterojunctions》入選,,并在“Session: SiC”進(jìn)行報告。

 

2003年在英國劍橋舉行的第15屆ISPSD會議上,,北京工業(yè)大學(xué)的亢寶衛(wèi)教授團(tuán)隊提交的論文《Improving the CoolMOS Body-Diode Switching Performance with Integrated Schottky Contacts》入選,,列入“Poster Session Group 6: Charge Compensation - 'superjunction' MOSFETs”。

 

2005年在美國圣巴巴拉舉行的第17屆ISPSD會議上,,東南大學(xué)時龍興教授團(tuán)隊提交的論文《PDP scan driver with NVDMOS and RESURF PLDMOS》入選,。

 

2006年在意大利那不勒斯舉行的第18屆ISPSD會議上,電子科技大學(xué)張波教授團(tuán)隊提交的論文《Design and Optimization of a Versatile 700 V SPIC Process Using a Fully Implanted Triple-well Technology》入選,。


從2008年開始,,中國內(nèi)地每年都有論文入選ISPSD,且每年的入選論文數(shù)量都有所提升,。


據(jù)芯思想研究院(ChipInsights)統(tǒng)計,,從1990年中國內(nèi)地第一篇文章入選,至2018年已經(jīng)有120篇文章入選,。其中高校116篇,,產(chǎn)業(yè)界4篇。其中電子科技大學(xué)以53篇雄霸第一(其中張波教授團(tuán)隊45篇,,陳星弼院士團(tuán)隊7篇,,李平教授團(tuán)隊1篇),東南大學(xué)以26篇排第二,,浙江大學(xué)以15篇排第三,,其他分別是北京大學(xué)6篇,中科院5篇,,北京工業(yè)大學(xué)4篇,,華虹宏力,、華中科技大學(xué),,西安電子科技大學(xué),、中山大學(xué)各為2篇,西安交通大學(xué),、株洲中車時代電氣,、英諾賽科各有一篇。

 

目前,,中國內(nèi)地高校有三大高產(chǎn)團(tuán)隊,,分別是電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實驗室(PITEL)、東南大學(xué)功率集成電路研發(fā)部(PIC),、浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院電力子器件團(tuán)隊(PEDL),,三大團(tuán)隊共有86篇文章入選,占中國大陸總?cè)脒x數(shù)的71.7%,。


不過三大高產(chǎn)團(tuán)隊各有特色,,各有側(cè)重。

 

電子科技大學(xué)功率集成技術(shù)實驗室(PITEL)專注于功率半導(dǎo)體科學(xué)和技術(shù)研究,,進(jìn)行功率半導(dǎo)體器件和功率集成電路設(shè)計研發(fā),,包括分立器件(從高性能功率二極管、雙極型功率晶體管,、功率MOSFET,、IGBT、MCT到RF LDMOS,,從硅基到SiC和GaN),、可集成功率半導(dǎo)體器件(包括含硅基、SOI基和GaN基)和功率高壓集成電路(含,、高低壓工藝集成,、電源管理集成電路、功率集成電路,、數(shù)字輔助功率集成以及面向系統(tǒng)芯片的低功耗集成電路等)設(shè)計研發(fā)工作,。

 

東南大學(xué)功率集成電路(PIC)研發(fā)部是國家專用集成電路系統(tǒng)工程技術(shù)研究中心的重要組成部分,在南京,、無錫和蘇州設(shè)有三個實驗室,。功率集成電路研發(fā)部專注于功率器件與功率集成技術(shù)研究,開展了功率半導(dǎo)體器件與可靠性(包括超結(jié)DMOS,、IGBT,、SiC功率器件和GaN功率器件等)、高低壓集成工藝(包括硅基BCD和SOI BCD等),、功率集成電路(包括數(shù)字電源芯片,、柵驅(qū)動芯片等)和高功率密度電源模塊等方向的研發(fā)工作。

 

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院電力子器件團(tuán)隊(PEDL)一直以來致力于開展碳化硅和氮化鎵等寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的研究,已經(jīng)成功自主研制出了碳化硅超級結(jié)肖特基二極管,、結(jié)勢壘肖特基二極管,、結(jié)型場效應(yīng)晶體管、常關(guān)型氮化鎵晶體管和垂直型氮化鎵二極管,,開發(fā)出了容量領(lǐng)先的碳化硅肖特基二極管模塊,、碳化硅結(jié)型場效應(yīng)開關(guān)管模塊以及碳化硅MOSFET功率模塊,同時還基于寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的電力電子變壓器,、DC-DC變換器,、PFC、充電樁等應(yīng)用方向開展了一系列研究工作,。


據(jù)最新消息,,中國內(nèi)地在ISPSD 2019會議上一共入選了36篇論文。三大高產(chǎn)團(tuán)隊總計入選24篇,,其中電子科技大學(xué)入選13篇,,數(shù)量居全球第一,文章主要集中在功率集成電路(4篇),,高壓器件(3篇)和低壓器件(3篇)領(lǐng)域,,在GaN器件和SiC器件領(lǐng)域則分別有2篇和1篇。浙江大學(xué)今年一共有6篇文章入選,,文章全部集中在碳化硅和氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,。在寬禁帶半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,浙江大學(xué)的論文數(shù)量排名全球第一,。東南大學(xué)今年則有5篇文章入選,,包括低壓器件2篇,高壓器件1篇,,功率集成電路1篇和GaN器件1篇,。


》》》有關(guān)中國入選ISPSD論文的更多情況請點擊閱讀《ISPSD即將首次在中國大陸舉辦,凸顯中國大陸在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的地位》

 

2,、中國內(nèi)地專家在ISPSD TPC的影響

 

ISPSD2019技術(shù)程序委員會(Technical Program Committee,,TPC)共有61人,其中中國共有14位,,占23%,。其中中國內(nèi)地8人(劉揚、羅小蓉,、湯藝,、楊樹、游步東,、張帥,、趙振清,、祝靖),中國香港1人(陳敬),,中國臺灣5人(瑞昱Tsung-Yi Huang,、臺積電蔡志強(qiáng)Tom Tsai、臺灣清華大學(xué)黃智方Chih-Fang Huang,、瀚薪科技李傳英Chwan Ying Lee,、臺灣大學(xué)李坤彥Kung-Yen Lee)。

 

中國內(nèi)地8人中來自高校的有4 人,,分別是中山大學(xué)劉揚教授、電子科技大學(xué)羅小蓉教授,、浙江大學(xué)楊樹教授,、東南大學(xué)祝靖副教授;來自產(chǎn)業(yè)界的4人分別是斯達(dá)半導(dǎo)體副總湯藝,、臺積電上海研發(fā)副總監(jiān)張帥,、臺達(dá)電子趙振清、矽力杰首席技術(shù)官游步東,。

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下面我們看看中國內(nèi)地專家在歷年TPC的情況,。


2010年,中國內(nèi)地學(xué)者正式進(jìn)入ISPSD2011的技術(shù)程序委員會,。當(dāng)年電子科技大學(xué)(微電子與固體電子學(xué)院)的張波教授進(jìn)入高壓(High Voltage)小組委員會,,浙江大學(xué)(電氣工程學(xué)院)的盛況教授進(jìn)入寬禁帶(Wide Bandgap)小組委員會。

 

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2013年公布的ISPSD2014技術(shù)程序委員會名單中,,來自東南大學(xué)(電子科學(xué)與工程學(xué)院,、微電子學(xué)院)的孫偉鋒教授進(jìn)入集成功率(Integrated Power)小組委員會,來自西安交通大學(xué)(電信學(xué)院)的張安平教授進(jìn)入寬禁帶(Wide Bandgap)小組委員會,。

 

2015年ISPSD在中國香港舉行,,浙江大學(xué)盛況教授擔(dān)任TPC主席,電子科技大學(xué)張波教授擔(dān)任TPC共同主席,。在TPC名單中,,我們看到作為新生力量,來自臺積電的張帥(Shuai Zhang,,原華虹宏力)進(jìn)入高壓(High Voltage)小組委員會,。

 

2015年,來自電子科技大學(xué)(微電子與固體電子學(xué)院)的羅小蓉教授進(jìn)入ISPSD2016技術(shù)程序委員會高壓(High Voltage)小組委員會,。張波教授和盛況教授由于任期時間限制,,不再擔(dān)任TPC委員。

 

2016年公布的ISPSD2017技術(shù)程序委員會名單中,,中國內(nèi)地專家名單沒有變化,。

 

2017年公布的ISPSD2018技術(shù)程序委員會名單中,,來自中山大學(xué)(物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院)的劉揚教授進(jìn)入氮化鎵與氮化物器件(GaN and Nitride Base Compound Materials)小組委員會。

 

2018年公布的ISPSD2019技術(shù)程序委員會名單中,,來自東南大學(xué)(電子科學(xué)與工程學(xué)院,、微電子學(xué)院)的祝靖副教授進(jìn)入集成功率(Integrated Power)小組委員會,孫偉鋒教授由于任期時間限制,,不再擔(dān)任TPC委員,;來自浙江大學(xué)(電氣工程學(xué)院)的楊樹教授進(jìn)入氮化鎵與氮化物器件(GaN and Nitride Base Compound Materials)小組委員會。

 

3,、中國內(nèi)地在ISPSD的特邀報告情況

 

近幾年來,,隨著政府支持和社會投入力度的不斷加大,我國在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得可喜的進(jìn)步,,并得到國際同行的認(rèn)可,。從2015年到2017年連續(xù)三年有中國內(nèi)地公司作為特邀報告單位,表明中國內(nèi)地在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要性,。

 

2015年,,中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司(原南車株洲研究所)作為特邀報告單位,在ISPSD2015上作了題了《電力電子器件在鐵路運輸牽引系統(tǒng)中的應(yīng)用Application of Power Electronic Devices in Rail Transportation Traction System》的報告,,其他三個特邀報告分別來自美國Efficient Power,、 日本松下(Panasonic)和法國Yole Développement。

 

2016年,,國家電網(wǎng)公司旗下全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院作為特邀報告單位,,在ISPSD2016上作了題了《功率器件發(fā)展對電網(wǎng)的影響Impact of Power Electronic Device Development on Power Grids》的報告,其他三個特邀報告分別來自美國KKR,、日本日產(chǎn)汽車(Nissan Motor),、瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院(ETH Zürich)。

 

2017年,,臺達(dá)電子(上海)作為特邀報告單位,,在ISPSD2017上作了題了《寬禁帶功率器件在電源中的應(yīng)用機(jī)遇與展望Application Opporunities and Expectation for Wide Bandgap Power Device In Power Supply》,其他三個特邀報告分別來自比利時魯汶大學(xué)(Katholieke Universiteit Leuven),、日本安川電機(jī)(Yaskawa Electric),、美國納微(Navitas)。


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