近期，士蘭微電子推出了應用于家用電磁爐的1350V RC-IGBT系列產品。據悉，士蘭微電子的600V單管 IGBT產品已經在電焊機和IPM領域大規(guī)模應用，獲得了業(yè)內一致好評，此次推出的系列產品有1200V與1350V兩檔電壓規(guī)格，覆蓋了從15A至30A的電流規(guī)格。

　　士蘭微電子的RC-IGBT產品是基于士蘭微電子獨立自主開發(fā)的第三代場截止（Field-Stop III）工藝平臺，實現在場截止型IGBT器件內部集成了續(xù)流二極管結構。現在，士蘭微電子在自有的8英寸芯片生產線上已經全部實現了幾類關鍵工藝的研發(fā)與批量生產，是目前國內唯一一家全面掌握上述核心技術的大尺寸功率半導體器件廠家。

　　士蘭微電子此次推出的RC-IGBT系列產品可以實現最高1350V的額定擊穿電壓，同時針對家用電磁爐工作頻率提升的應用需求，重新優(yōu)化了器件的飽和壓降Vce(sat)以及內部集成二極管的正向壓降VF，從而實現器件在開關過程中具有低損耗的要求。值得注意的是，為了達到上述目標要求，器件工程師重新優(yōu)化了IGBT的器件晶胞結構，調整器件發(fā)射區(qū)元胞間距尺寸，進而提升了IGBT器件在導通時柵極下方PIN二極管區(qū)域的少數載流子的濃度，降低器件飽和壓降。

　　此外，對于特定耐壓指標的IGBT器件，其芯片厚度也是特定的，需要減薄到200um以下。比如在100~200um的量級，當硅片磨薄到如此地步后，后續(xù)的加工處理就比較困難了，特別是對于8寸以上的大硅片，極易破碎，難度非常大。而士蘭微電子的該款RC-IGBT產品采用了士蘭微子公司--士蘭集昕的8寸超薄晶圓加工工藝進行開發(fā)，芯片厚度<150um。在工藝開發(fā)過程中，為突破超薄晶圓的加工難題，士蘭微電子投資近2000萬美元引入了領先的Taiko減薄、光刻、高能注入、激光退火等全套先進后段設備，解決了Taiko超薄晶圓背面光刻勻膠、光刻、顯影等工藝難點，最終實現1350V RC-IGBT產品的量產。這些士蘭微電子的創(chuàng)新性工藝研發(fā)保證了該產品的技術優(yōu)勢。

　　為應對市場需求，突出差異化特點，士蘭微電子根據不同細分市場客戶制定不同的策略，為終端制造商提供一站式服務，建立了長期的客戶資源優(yōu)勢。通過多渠道的市場推廣，士蘭微電子已經摸清了國內IGBT行業(yè)的市場情況，對每個細分市場的需求也有了較為清晰的認識，可根據客戶的要求，針對性的對方案進行定制和測試，以滿足客戶不同類型產品的應用需求。

　　針對IGBT模塊多芯片組裝的特殊質量要求，士蘭微電子投資建設了自己的功率模塊封裝生產線，較好地提升和穩(wěn)定了質量，同時控制了成本，使得產品在價格、供貨以及技術支持方面也有著一定的優(yōu)勢。

　　如針對電磁爐細分市場，士蘭微電子的IGBT產品可以為客戶提供全套解決方案和技術支持，使客戶先于競爭對手推出安裝方便和質量可靠的整機產品，并持續(xù)進行質量提升和成本優(yōu)化，擴大市場占有率和競爭優(yōu)勢，積極與市場行業(yè)領航者合作，建立了信息共享和深度合作機制，實現了強強聯合。后期士蘭微電子將在商用電磁爐、電焊機、變頻器領域持續(xù)投入研發(fā)，并瞄準工業(yè)控制、汽車、電力等更高標準的工業(yè)市場逐步推進。

　　通過耕耘細分市場，并與部分家電制造企業(yè)進行了深入地交流合作，士蘭微電子打破了國外公司對于IGBT器件的長期壟斷，產品處于國內領先水平。經過客戶的積極配合和反復驗證，士蘭微電子所開發(fā)的IGBT已在多個領域通過了客戶的嚴格測試并導入量產。