2019年4月30日，意法半導體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止（TFS）技術,，可提高PFC轉換器,、電焊機、不間斷電源（UPS）,、太陽能逆變器等中高速應用設計的能效和性能,。該系列還包括符合AEC－Q101 Rev． D標準的汽車級產品。
新HB2系列屬于STPOWER 產品家族,，更低（1．55V）的 VCEsat 飽和電壓確保導通性能極其出色,；更低的柵極電荷使其能夠在低柵極電流條件下快速開關，提高動態(tài)開關性能,；出色的熱性能有助于最大限度地提高可靠性和功率密度,，同時新系列還是市場上極具競爭力的產品。
HB2系列IGBT提供三個內部二極管選項：全額定二極管,、半額定二極管或防止意外反向偏置的保護二極管,，從而為開發(fā)者提供更多的自由設計權，根據特定應用需求優(yōu)化動態(tài)性能,。
新650V器件的首款產品40A STGWA40HP65FB2現已上市,，采用TO－247長引腳封裝。
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