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英特爾10nm芯片跳票,承諾2021年推7nm產(chǎn)品

2019-05-10
關(guān)鍵詞: 英特爾 芯片 封裝 制程

據(jù)Anandtech報(bào)道,,在美國當(dāng)?shù)貢r間8日舉行的英特爾投資者日上,,該公司首席執(zhí)行官鮑勃·斯旺(Bob Swan)和總裁穆爾西·蘭德奇塔拉(Murthy Renduchintala)談到了英特爾的芯片開發(fā)路線圖。

英特爾歷來在執(zhí)行其工藝技術(shù)方面能力超強(qiáng),,但其推出10nm制程工藝數(shù)次延遲顯然引發(fā)了許多質(zhì)疑,,而且這種情況已經(jīng)持續(xù)了數(shù)年,。兩位英特爾高管詳細(xì)介紹了英特爾在此期間所做的事情,以及其從這些事件中吸取了哪些教訓(xùn),。

早在2013年,英特爾就設(shè)想通過提供2.7倍密度的自對準(zhǔn)四軸圖形(SAQP),、有源柵極上接觸(COAG),、Cobolt互連以及EMIB和Foveros等新封裝技術(shù),,利用10nm芯片取代14nm芯片,。

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英特爾承認(rèn),這是個雄心勃勃的計(jì)劃,,但由于該公司沒有與相關(guān)團(tuán)隊(duì)明確界定目標(biāo),導(dǎo)致該計(jì)劃最終變得過于復(fù)雜,,且沒有以理想的方式加以管理,。

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這最終致使10nm工藝的推出被延遲。在這種情況下,,英特爾將10nm制程工藝推持到2019年,,并以14+和14++填補(bǔ)了空白,。

自該計(jì)劃實(shí)施以來,英特爾的14+和14++工藝已經(jīng)獲得了超過20%的性能提升,。因此,,英特爾不僅為將來的節(jié)點(diǎn)內(nèi)優(yōu)化做好了準(zhǔn)備,而且實(shí)際上還調(diào)整了路線圖來完善它,。

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蘭德奇塔拉明確表示,,英特爾希望在新工藝開始時引入類似摩爾定律式的增益,并在該工藝結(jié)束時引入另一種類似的增益,。

英特爾表示,,其10nm產(chǎn)品系列將從今年年中開始上市,客戶端平臺(筆記本電腦)將配置Ice Lake,。

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英特爾將在2019年和2020年推出多種10nm產(chǎn)品,,包括在2020年上半年推出基于10nm的服務(wù)器,。

此外,英特爾表示將在2021年生產(chǎn)并推出一款7nm產(chǎn)品,。

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對于一家開發(fā)10nm工藝都存在問題的公司來說,這個時間表聽起來顯得十分激進(jìn),。在英特爾路線圖中,,10nm(以及10+和10++)的生命周期比14nm系列短得多。

考慮到這一點(diǎn),,英特爾的7nm產(chǎn)品將成為該公司從14nm和10nm系列產(chǎn)品中吸取教訓(xùn)的結(jié)合體。英特爾希望實(shí)現(xiàn)2倍擴(kuò)展(摩爾定律),,但是計(jì)劃將節(jié)點(diǎn)內(nèi)優(yōu)化作為路線圖的一部分。

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英特爾也在減少其設(shè)計(jì)規(guī)則的數(shù)量,,這應(yīng)該有助于執(zhí)行新的路線圖計(jì)劃,。7nm也將是英特爾與EUV交叉的領(lǐng)域,,并將引入下一代Foveros和EMIB封裝技術(shù),。

英特爾還展示了以個人電腦為中心的單片芯片和基于Foveros和EMIB的多模數(shù)據(jù)中心芯片。英特爾芯片和封裝團(tuán)隊(duì)表示,,我們將看到Foveros和EMIB出現(xiàn)在新產(chǎn)品上,,特別是GPU。

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英特爾宣布其領(lǐng)先的7nm產(chǎn)品將是基于Xe圖形架構(gòu)的新GPGPU,。該公司表示,,其Xe產(chǎn)品將有兩個不同的微體系結(jié)構(gòu)(從移動端GPGPU),,其中一個架構(gòu)稱為北極聲音(Arctic Sound),。

英特爾將在2020年發(fā)布首個分離式GPU技術(shù),然而7nm GPGPU將等到2021年推出,。


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