據(jù)國外媒體報(bào)道，三星將于2021年向市場推出一項(xiàng)突破性的處理器技術(shù),，對最基本的電子元件進(jìn)行根本性改造，使芯片性能提高35%,，同時(shí)使能耗降低50%,。

　　據(jù)悉，當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二三星在于加州圣克拉拉舉行的三星鑄造論壇(Samsung Foundry Forum)上宣布,，這項(xiàng)名為“環(huán)繞柵極”(gate all around,，GAA)的技術(shù)能夠?qū)π酒诵木w管進(jìn)行重新設(shè)計(jì)和改造,，使其更小更快。到2021年,，應(yīng)用這種技術(shù)的芯片問世后將成為三星與英特爾和臺積電等競爭對手的交手中邁出的重要一步,。三星希望借此加快芯片行業(yè)的發(fā)展步伐。近年來,，芯片行業(yè)一直難以克服極端小型化帶來的工程挑戰(zhàn),。

　　國際商業(yè)戰(zhàn)略咨詢公司(International Business Strategies)首席執(zhí)行官漢德爾·瓊斯(Handel Jones)表示，三星強(qiáng)大的材料研究項(xiàng)目正在取得成效,。

　　他表示:“三星在GAA方面領(lǐng)先臺積電大約一年時(shí)間,。”“而英特爾可能落后三星兩到三年,?！?/p>

　　三星的進(jìn)步將延長摩爾定律所描述的行業(yè)進(jìn)步，確保我們的手機(jī),、手表,、汽車和家庭互聯(lián)設(shè)備能變得更智能。在GAA技術(shù)的幫助下,，至少在未來幾年,，用戶可以期待出現(xiàn)更好的圖形處理技術(shù)、更智能的人工智能和其他計(jì)算方面的改進(jìn),。

　　“GAA將標(biāo)志著我們代工業(yè)務(wù)進(jìn)入一個(gè)新時(shí)代,，”三星代工業(yè)務(wù)營銷副總裁瑞安李(Ryan Lee)在本次活動上表示。

　　7 納米打不贏臺積電,，3 納米GAA 成為關(guān)鍵戰(zhàn)場

　　據(jù)Digitimes的報(bào)道,，臺積電的7nm晶圓訂單正在大幅增加，生產(chǎn)利用率也越來越高,，預(yù)計(jì)到今年第三季度會達(dá)到100％,，而在剛剛結(jié)束的第一季度，臺積電7nm的利用率可能是最低點(diǎn),。

　　7nm的強(qiáng)勁銷量將使臺積電的收入在2019年底之前大幅增加,，可以抵消臺積電今年的疲軟開局。而且由于AMD下一代處理器的需求以及7nm安卓設(shè)備的推出,，7nm的占有率將會提高,。

　　目前，計(jì)劃今年發(fā)布的新一代CPU,、GPU、AI,、服務(wù)器芯片基本都采用臺積電7nm,，尤其突出的是AMD和華為海思——前者從GF那里轉(zhuǎn)到臺積電，下代桌面和服務(wù)器CPU、GPU全都給了臺積電7nm,，而華為海思一直是臺積電的核心合作伙伴,，麒麟980的出貨量已超千萬。

　　三星與之相比則相形見拙,，為此他們將戰(zhàn)場轉(zhuǎn)移到3nm GAA,。

　　從表面上看， GAA 和柵極夾雜在源極和漏極之間的 MOSFET 很類似,。另外,， GAA 同樣包含了 Finfet ，但和目前 fin 是垂直使用的 Finfet 不同,， GAA 的 Finfet 是在旁邊,。GAA Fet 包含了三個(gè)或者更多的納米線，形成溝道的納米線懸空且從源極跨到漏極,。其尺寸是驚人的,。 IMEC 最近介紹的一個(gè) GAA fet 的納米線只有 8nm 直徑?？刂齐娏髁鲃拥?HKMG 架構(gòu)能夠填補(bǔ)源極和漏極之間的差距,。這就是為什么我們需要GAA的原因。

　　其實(shí)2018 年底,，三星就已宣布將在2020 年生產(chǎn)4 納米GAA 制程,。根據(jù)市場人士觀察，包括Gartner 副總裁Samuel Wang 都對2022 年之前量產(chǎn)GAA 技術(shù)表示懷疑,。但現(xiàn)在似乎我們低看了韓國巨頭的決心,。

　　但另一邊廂，臺積電也在加緊布局其制程,。

　　據(jù)《EE Times》報(bào)導(dǎo),，臺積電正朝 3 納米制程、封裝技術(shù)進(jìn)步和特殊模組應(yīng)用發(fā)展,。今年第25 屆的北美技術(shù)研討會上,，臺積電指出，目前正研究開發(fā)3 納米制程和2 納米制程等技術(shù),。

　　半導(dǎo)體芯片制程經(jīng)常使用所謂的幾nm,，指的是積體電路電晶體柵極的寬度，也稱為柵長,。柵長越短,，就可在相同大小的矽片上整合更多電晶體。

　　臺積電研究發(fā)展/ 技術(shù)發(fā)展資深副總經(jīng)理米玉杰(YJ Mii) 表示,，硫化物和硒化物的2D 材料,，具有良好的性能,，因?yàn)闇系篮穸让康陀?nm，可以提供比7nm 柵極長度更高的驅(qū)動電流,。

　　兩大代工巨頭的大戰(zhàn)仍將持續(xù),。