5月8日,，據(jù)中央社報(bào)道，由于液態(tài)氮外包廠商施工失誤,，導(dǎo)致延遲出貨影響,，半導(dǎo)體磊晶廠英特磊4月?tīng)I(yíng)收為4800萬(wàn)元(新臺(tái)幣，下同),，較上個(gè)月減少23.8%,，也較去年同期減少0.9%。累計(jì)1至4月?tīng)I(yíng)收2.29億元,，年減4.27%,。

　　英特磊表示，4月?tīng)I(yíng)收受到影響主要是因液態(tài)氮承包廠商施工疏失,，導(dǎo)致分子束磊晶(MBE)設(shè)備延遲出貨,，預(yù)估此次延遲出貨可在1至2個(gè)月內(nèi)補(bǔ)回,，后續(xù)賠償損失將交由保險(xiǎn)公司處理。

　　現(xiàn)行化合物半導(dǎo)體商用磊晶制程技術(shù),，大致可分成MOCVD(有機(jī)金屬氣相沉積法)和MBE(分子束磊晶技術(shù)),。若以成長(zhǎng)技術(shù)而論，MOCVD的成長(zhǎng)條件由氣相方法進(jìn)行,，透過(guò)氫氣或氮?dú)獾忍囟ㄝd氣引導(dǎo),，使三族和五族氣體均勻混合后，再導(dǎo)入反應(yīng)腔體中,，接著透過(guò)適當(dāng)?shù)姆磻?yīng)溫度(400～800度),，讓氣體裂解并成長(zhǎng)于基板上。MBE成長(zhǎng)條件則透過(guò)元素加熱方式,，借由超高真空環(huán)境的腔體,，將所需磊晶元素加熱升華形成分子束，當(dāng)分子束接觸基板后,，就可形成所需磊晶結(jié)構(gòu),。

　　而英特磊這兩樣制程技術(shù)都可做，并采用MBE技術(shù)從事砷化鎵(GaAs),、銻化鎵(GaSb),、磷化銦(InP)化鎵等三五族化合物半導(dǎo)體磊晶(Epi)的生產(chǎn)，擁有從基板到磊晶的垂直整合技術(shù)能力,。

　　磊晶可提供無(wú)線通訊,、衛(wèi)星通訊、光纖通訊5G等商用,，甚至是太空與國(guó)防上的紅外線感測(cè),、夜視、攝影等產(chǎn)品應(yīng)用,，受惠5G基礎(chǔ)建設(shè)布建，以及車用化合物芯片的需求將逐步增加,，這也為磊晶市場(chǎng)δ來(lái)增加成長(zhǎng)動(dòng)能,。