華虹半導(dǎo)體有限公司（“華虹半導(dǎo)體”）宣布其第三代90納米嵌入式閃存（90nm eFlash）工藝平臺已成功實現(xiàn)量產(chǎn),。

　　華虹半導(dǎo)體一直深耕嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術(shù)領(lǐng)域，通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新,，第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%，再創(chuàng)全球晶圓代工廠90納米工藝節(jié)點嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸紀錄,。Flash IP具有更明顯的面積優(yōu)勢,，使得芯片整體面積進一步減小，從而在單片晶圓上獲得更多裸芯片數(shù)量,。與此同時,，光罩層數(shù)也隨之進一步減少，有效縮短了流片周期。

　　而可靠性指標繼續(xù)保持著高水準,，可達到10萬次擦寫及25年數(shù)據(jù)保持能力,。近年來，華虹半導(dǎo)體在90納米工藝節(jié)點連續(xù)成功推出三代閃存工藝平臺,，在保持技術(shù)優(yōu)勢的同時,，不斷探求更高性價比的解決方案。第三代工藝平臺的大規(guī)模穩(wěn)定量產(chǎn),，為電信卡,、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片產(chǎn)品以及微控制器（MCU）等多元化產(chǎn)品提供持續(xù)穩(wěn)定的支持和解決方案,。

　　華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：“華虹半導(dǎo)體是嵌入式非易失性存儲器技術(shù)的領(lǐng)航者,，未來將繼續(xù)聚焦200mm差異化技術(shù)的研發(fā)創(chuàng)新，面向高密度智能卡與高端微控制器市場,，同時不斷致力于在功耗和面積方面提供顯著的優(yōu)化,，將200mm現(xiàn)有的技術(shù)優(yōu)勢向300mm延伸，更好地服務(wù)國內(nèi)外半導(dǎo)體芯片設(shè)計公司,，滿足市場需求,。”