《電子技術(shù)應(yīng)用》
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三星:7nm EUV工藝明年1月量產(chǎn) 已完成5nm研發(fā)

2019-07-07
關(guān)鍵詞: 三星 5nm

  隨著NVIDIA宣布7nm GPU由三星代工,,三星在晶圓代工市場(chǎng)上總算又拉來一個(gè)客戶,,如果算上之前的IBM Power 10以及傳聞中的高通驍龍865訂單,,再加上三星自己的7nm Exynos芯片,三星在7nm節(jié)點(diǎn)總算有所收獲了,。

  與臺(tái)積電相比,,三星在7nm及未來的5nm節(jié)點(diǎn)上確實(shí)還要落后,,主要是時(shí)間進(jìn)度上,,臺(tái)積電的7nm去年都量產(chǎn)了,,海思、蘋果,、賽靈思以及現(xiàn)在的AMD都是臺(tái)積電7nm的大客戶。

  日前三星在韓國(guó)又舉行了新一輪晶圓代工制造論壇會(huì)議,,參與的人數(shù)比之前多了40%,,超過500多名無(wú)晶圓廠芯片客戶與會(huì),副總晶圓代工業(yè)務(wù)的三星副總裁Jung Eun-seung公布了三星在半導(dǎo)體制造工藝上的進(jìn)展,。

  根據(jù)他的消息,,三星今年9月份將完成韓國(guó)華城的7nm EUV工藝生產(chǎn)線,明年1月份量產(chǎn),。

  在7nm之后,,三星還將推出5nm FinFET工藝,,目前已經(jīng)完成了技術(shù)研發(fā),而且5nm被視為是最后一代FinFET工藝,。

  在之后的重大節(jié)點(diǎn)就是3nm了,,三星率先公布了3nm節(jié)點(diǎn)將使用GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù),三星通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,,多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管),,該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能,主要取代FinFET晶體管技術(shù),。

  值得注意的是,,三星召開會(huì)議的這幾天里,日本突然宣布制裁韓國(guó),,限制日本半導(dǎo)體材料,、OLED顯示面板材料的對(duì)韓出口,7月4日也就是今天起正式施行,。

  日本限制出口的材料主要用于半導(dǎo)體芯片及顯示面板生產(chǎn),,即便是三星也要依賴日本供應(yīng)商,所以這件事可能對(duì)三星影響很大,。

  目前三星官方尚未對(duì)此事發(fā)表評(píng)論,,不過韓國(guó)總統(tǒng)國(guó)家安全辦公室副主任金賢重日前會(huì)見了三星副董事長(zhǎng)金基南,討論日本的制裁及應(yīng)對(duì)措施,。


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