芯片是腦力密集型產(chǎn)業(yè),，隨著時間的推移,，全球擁有芯片設(shè)計和制造全產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)僅僅剩下三星和英特爾,，不同于英特爾的穩(wěn)中求進，三星似乎更加激進。近日，據(jù)外媒曝光,，三星公布了自己的芯片制造工藝的路線圖，三星方面表示,，它們將于2019年底采用6nm工藝芯片代工,，明年將完成5nm工藝和4nm工藝的芯片，在先進半導(dǎo)體制程技術(shù)上,，三星只有臺積電一個對手了,。
三星為何急于推出自己的先進制程工藝？
摩爾定律揭示了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展規(guī)律,，也是芯片巨頭們決勝江湖的一本“武林秘籍”，正是這個規(guī)律的存在,，讓英特爾,、三星、德州儀器等企業(yè)稱霸半導(dǎo)體界幾十年,。如今,，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走到了一個關(guān)鍵的節(jié)點上，那就是7納米制程,，很多專家表示,，7納米將是推進摩爾定律的下一重要關(guān)卡，因為隨著半導(dǎo)體進入7nm節(jié)點,，包括半導(dǎo)體設(shè)計,、材料,、制造工藝和封裝測試等，每個半導(dǎo)體制程環(huán)節(jié)都面臨嚴峻的挑戰(zhàn),，成本和效能已經(jīng)不能成正比了,。
目前能夠設(shè)計7nm芯片的企業(yè)有華為、三星,、英特爾,、高通和蘋果等頂尖集成電路設(shè)計企業(yè)，但是擁有7nm制程技術(shù)的僅有三星和臺積電,，英特爾似乎已經(jīng)落戶了這兩大對手,。英特爾高層曾表示，7nm工藝會在兩年內(nèi)推出,，最早將在2021年問世,。
三星、臺積電在先進制程工藝上的你追我趕,，無非是為了在市場的爭奪中占據(jù)先機,。在代工模式方面，英特爾在電腦方面的領(lǐng)先是統(tǒng)治級別的,，三星則擅長于智能手機芯片,，而臺積電則是兩者皆通，甚至現(xiàn)在還占據(jù)了挖礦機芯片9成的市場,。在10nm工藝上,，臺積電拿下了華為麒麟970和蘋果A11兩款芯片的代工訂單，而三星則搶到了高通驍龍845代工訂單,。
在7nm工藝上,，華為麒麟980也選擇了繼續(xù)和臺積電合作，在三星的7nm制程工藝研制出來之前,，蘋果A12,、高通驍龍855的意向合作伙伴也是臺積電，但三星突然提前半年完成7nm新工藝的研發(fā),，讓高通和臺積電的合作存在一定的變數(shù),。有消息稱，高通已經(jīng)將新的芯片樣品送交三星進行測試,，但具體是不是驍龍855就不得而知,。不過在此之前，三星已經(jīng)宣布自己的7nm工藝已經(jīng)贏得了高通5G芯片的訂單,，不出意外的話,，三星拿下驍龍855也只是時間問題。
面對臺積電和三星的步步緊逼,，英特爾也不得不做出改變,，英特爾在去年向包括ARM陣營在內(nèi)的所有廠商開放代工業(yè)務(wù),，并表示代工業(yè)務(wù)營收在英特爾總營收中的比重將逐漸提升，三星對7nm,、5nm工藝的執(zhí)著上,，的確是比英特爾更加激進。
芯片巨頭的半導(dǎo)體制程“競賽”
2018年發(fā)生了讓業(yè)內(nèi)人驚訝的一件大事,，那就是聯(lián)電與格芯先后退出先進制程的軍備競賽,，加上英特爾的10nm制程處理器量產(chǎn)出貨時程再度遞延到2019年底，均顯示先進制程的技術(shù)進展已面臨瓶頸,。展望未來,，還有能力持續(xù)推動半導(dǎo)體制程微縮的業(yè)者，或只剩下臺積電,、三星和英特爾三家公司,。
從進度上看，臺積電公布的7nm芯片已有50多款在流片,，可算是遙遙領(lǐng)先,。英特爾則仍苦苦掙扎于10nm。而三星近年來逐漸將代工業(yè)務(wù)視為發(fā)展重點,，先后在美國,、中國、日本等多地先后舉辦的三星代工論壇上還公布了其7nm以后的最新工藝路線圖,，預(yù)計2018年推出7nm FinFET EUV工藝,，而8nm LPU工藝也會開始風(fēng)險試產(chǎn)，2019年推出7nm的優(yōu)化版,，即5／4nm FinFET EUV工藝,，同時面向RF射頻、eMRAM等芯片的18nm FD－SoI工藝開始風(fēng)險試產(chǎn),，到2020年推出3nm EUV工藝,，同時晶體管架構(gòu)從FinFET轉(zhuǎn)向GAA。三星目前已將GAA視為7nm節(jié)點之后取代FinFET晶體管的新一代候選技術(shù),。
三星作為全球最大的存儲芯片生產(chǎn)企業(yè),，通過在存儲芯片上錘煉先進工藝，在過去三年間,，三星就采用EUV技術(shù)處理了20萬片晶圓生產(chǎn)SRAM,。2017年五月,，三星推出了首款使用EUV光刻解決方案的半導(dǎo)體工藝技術(shù)7nm LPP EUV,，預(yù)期可借此突破摩爾定律的擴展障礙，為單納米半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展鋪平道路,。另外,，三星位于華城市的7nm廠預(yù)計最快明年量產(chǎn),，并計劃投入56億美元升級晶圓產(chǎn)能，其中三星在韓國華城的S3生產(chǎn)線上部署了由原本的10nm工藝改造而來的ASML NXE3400 EUV光刻機,，這條生產(chǎn)線的EUV產(chǎn)能據(jù)稱已經(jīng)達到了大規(guī)模量產(chǎn)的標準,。
除此之外，三星還將新建一條EUV工藝專用的產(chǎn)線,，計劃在2019年底全面完成后,，2020年實現(xiàn)EUV量產(chǎn)。相較之下,，臺積電今年才宣布和聯(lián)發(fā)科合作試產(chǎn)7nm制程12核心芯片,，但根據(jù)臺積電10nm今年難產(chǎn)的現(xiàn)狀來看，臺積電的研發(fā)進程顯得相當(dāng)落后了,。
EUV技術(shù)是7nm工藝的關(guān)鍵
7nm工藝是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一個非常重要的轉(zhuǎn)折點,，而要想獲得非常好的良率，引入EUV技術(shù)是7nm工藝的關(guān)鍵,，同時這項技術(shù)也是摩爾定律延續(xù)到5nm以下的關(guān)鍵技術(shù),，引入EUV工藝可以大幅提升性能，縮減曝光步驟,、光罩數(shù)量等制造過程,，節(jié)省時間和成本。不過,，引入EUV技術(shù)并不容易,，其需要投入大量資金購買昂貴的EUV設(shè)備，同時需要進行大量的工藝驗證以確保在生產(chǎn)過程中獲得較佳的良率,，才能以經(jīng)濟的成本適用于生產(chǎn)芯片,。
EUV技術(shù)也叫極紫外光刻技術(shù)，它以波長為10－14nm的極紫外光作為光源的光刻技術(shù),，極紫外線需要通電激發(fā)紫外線管的K極放射出紫外線,。EUV光刻技術(shù)也被業(yè)內(nèi)人稱為下一代半導(dǎo)體工藝的最佳技術(shù)選擇。
雖然EUV技術(shù)備受關(guān)注,，但是目前僅有少數(shù)廠商掌握其核心技術(shù),。對于大多數(shù)的半導(dǎo)體制造商而言，EUV光刻的基本設(shè)備仍需進步,，這樣才能滿足成熟的量產(chǎn)需求,。如光刻膠的靈敏度，掩模技術(shù)的成熟度,，還有需要提升光源的透射率等等,，這些都是目前面臨的最大技術(shù)難題。
三星采用的是激進式的EUV技術(shù)
2018年，三星和高通宣布擴大晶圓代工業(yè)務(wù)合作,，該合作計劃將長達十年,，三星將授權(quán)“EUV光刻工藝技術(shù)”給高通使用，其中包括使用三星7nm LPP EUV工藝技術(shù)制造未來的驍龍5G移動芯片組,，預(yù)計高通下一代5G移動芯片,，將采用三星7nm LPP EUV制程，通過7nm LPP EUV工藝,，驍龍5G芯片組可減少占位空間,，讓OEM廠有更多使用空間增加電池容量或做薄型化設(shè)計。除此之外,，結(jié)合更先進芯片設(shè)計,，可明顯增進電池續(xù)航力。
三星如此堅定地在其首個7nm就激進地采用EUV技術(shù),，是三星綜合許多因素考慮的結(jié)果,，包括EUV設(shè)備是否準備好，成本,、多重曝光復(fù)雜性,、保真度和間距縮放等。對三星自家的7nm而言,，（柵極）間距可以控制在單次曝光,，這使得整個光刻工藝流程減少了與曝光相關(guān)的大部分設(shè)計復(fù)雜性，這也恰恰說明三星內(nèi)部開發(fā)的EUV光罩檢測工具,，是三星的一個重要優(yōu)勢,。目前市場還沒有類似的商業(yè)工具被開發(fā)出來，不僅如此,，三星也在開發(fā)EUV微影光阻劑,，并有望在今年稍晚達到大規(guī)模量產(chǎn)要求的目標良率。
EUV技術(shù)的進展還是比較緩慢的,，而且將消耗大量的資金,。盡管目前很少廠商將這項技術(shù)應(yīng)用到生產(chǎn)中，但是極紫外光刻技術(shù)卻一直是近些年來的研究熱點,，所有廠商對這項技術(shù)也都充滿了期盼,，希望這項技術(shù)能有更大的進步，能夠早日投入大規(guī)模使用,。各家廠商都清楚,，半導(dǎo)體工藝向往下刻，使用EUV技術(shù)是必須的,。在摩爾定律的規(guī)律下,，以及在如今科學(xué)技術(shù)快速發(fā)展的信息時代，新一代的光刻技術(shù)就應(yīng)該被選擇和研究，因為EUV與其他技術(shù)相比有明顯的優(yōu)勢,。比如，EUV的分辨率至少能達到30nm以下,，且更容易收到各集成電路生產(chǎn)廠商的青睞,；EUV是傳統(tǒng)光刻技術(shù)的拓展，同時集成電路的設(shè)計人員也更喜歡選擇這種全面符合設(shè)計規(guī)則的光刻技術(shù),；EUV技術(shù)掩模的制造難度不高,，具有一定的產(chǎn)量優(yōu)勢等。
雖然半導(dǎo)體摩爾定律終將會失效,，但是EUV技術(shù)帶來的進步仍讓廠商期待這個定律的延續(xù),。未來，EUV技術(shù)定會成為這些廠商重點研究的一門技術(shù),，三星激進式的做法是否是正確的決策,，還有待時間的驗證。