《電子技術(shù)應(yīng)用》
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村田高性能硅電容及RFID產(chǎn)品閃耀CIOE 2019,為光通信行業(yè)提供“元”動力

2019-09-11
關(guān)鍵詞: 元器件 RFID 高性能 5G

近年來,,我國光通信產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,,已成為全球最大的光通信市場,,而光器件作為重要組成部分,,受物聯(lián)網(wǎng),、5G預(yù)商用等產(chǎn)業(yè)的驅(qū)動,,給元器件相關(guān)企業(yè)帶來了巨大發(fā)展機遇。作為一家基于陶瓷的無源電子元件與解決方案,、通信模塊和電源模塊之設(shè)計,、制造與銷售的全球領(lǐng)先企業(yè),村田致力于開發(fā)先進的電子材料以及領(lǐng)先的多功能和高密度模塊,。

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2019年9月4-7日,,第21屆中國國際光電博覽會(CIOE 2019)在深圳會展中心盛大舉辦,作為極具規(guī)模及影響力的光電產(chǎn)業(yè)綜合性展會,,吸引了眾多展商亮相,。村田制作所(中國)受邀參加“第21屆中國國際光電博覽會”(CIOE 2019),村田此次參展的主題是“電容家族新勢力:續(xù)寫精專技藝”,,村田帶來了硅電容器以及數(shù)據(jù)中心線纜管理用RFID標簽等新產(chǎn)品,,助推光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

村田展示的5大產(chǎn)品

1,、用于高速數(shù)字芯片的退耦電容

退耦電容是指用在退耦電路中的電容,,也叫去耦電容,退耦電容并接于電路正負極之間,,可防止電路通過電源形成的正反饋通路而引起的寄生振蕩,。退耦即防止前后電路電流大小變化時,,在供電電路中所形成的電流波動對電路的正常工作產(chǎn)生影響,,退耦電路能夠有效地消除電路之間的寄生耦合。在本次光博會上,,村田展示的打線退耦電容 WLSC/ UWSC系列產(chǎn)品的ESR(等效電阻),、ESL(等效電感)低,尺寸小,,容量大,,具備適合打線的完美電極平坦度和寬溫度范圍內(nèi)高可靠性,吸引了不少觀眾的目光,。

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據(jù)介紹,,村田WLSC系列產(chǎn)品薄至100μm,適用于無線通信(如5G),、雷達,、數(shù)據(jù)播放系統(tǒng)之類的RF大功率用途,可用于DC去耦,、匹配電路,、高次諧波/噪聲濾除功能,。UWSC系列專為DC去耦和旁路用途設(shè)計,在超過26GHz的頻率實現(xiàn)了出色的靜噪性能,,該系列是采用深槽和MOS半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)的,,滿足低容量和高容量兩方面要求,提供高可靠性,,以及對于溫度和電壓的靜電容量穩(wěn)定性,。

2、用于BGA封裝的硅電容器

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光通信作為現(xiàn)代通信的主要支柱之一,,在現(xiàn)代電信網(wǎng)中起著舉足輕重的作用,。光通信速度每年都在變得越來越快,當通信速度達到毫米波寬帶時,,貼片陶瓷電容器中的插入損耗會增加,,這對硅電容器的穩(wěn)定性以及可靠性要求也會逐漸增高,依靠村田的硅技術(shù)開發(fā)的獨特的集成無源器件和設(shè)備,,可實現(xiàn)低插入損耗,、低反射和高相位穩(wěn)定性,備受市場的青睞,。

據(jù)現(xiàn)場工作人員介紹,,村田的高密度硅電容器通過應(yīng)用半導(dǎo)體MOS工藝實現(xiàn)三維化,大幅增加電容器表面積,,從而提高了基板單位面積的靜電容量,,適用于網(wǎng)絡(luò)相關(guān)(RF功率放大器、寬帶通信),、高可靠性用途,、醫(yī)療、汽車,、通信等領(lǐng)域,。村田本次展示的UBEC / BBEC / ULEC系列,支持60GHz+的嵌入/引線鍵合用硅電容器,,是以光通信系統(tǒng)(ROSA/TOSA,、SONET等所有光電產(chǎn)品),以及高速數(shù)據(jù)系統(tǒng)和產(chǎn)品為目標,,專為DC去耦和旁路用途設(shè)計的,。UBEC系列、BBEC系列,、ULEC系列,,分別在60+GHz、40GHz,、20GHz,,實現(xiàn)出色的靜噪性能,。UBEC/BBEC/ULEC系列具有極高的可靠性,以及對于溫度(+60ppm/K)和電壓的靜電容量穩(wěn)定性,,而且工作溫度范圍寬達-55℃至 150℃,。生產(chǎn)線采用經(jīng)過超過900℃的高溫退火處理而獲得的高純度氧化膜,確保高度的可靠性和再現(xiàn)性,。此外,,這些電容器支持標準的引線鍵合封裝(球和楔)。這些電容器符合RoHS標準,,也能提供厚膜鋁電極,。

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據(jù)悉,UBEC/BBEC/ULEC系列擁有最大110GHz的超寬帶性能,,沒有共振,,可以進行出色的群延遲變化;在傳輸模式下,,憑借出色的抗阻匹配,,實現(xiàn)極低的插入損耗;在旁路接地模式下,,ESL和ESR很低,,對于溫度、電壓,、老化,,靜電容量值的穩(wěn)定性很高,可以進行無鉛回流封裝,??捎糜诠怆姰a(chǎn)品/高速數(shù)據(jù),跨阻放大器(TIA),,光收發(fā)組件(ROSA/TOSA),,同步光纖網(wǎng)絡(luò)(SONET),高速數(shù)字邏輯,,寬帶測試裝置,寬帶微波/毫米波,,X7R與NP0電容器的置換和要求薄型的用途(100μm)等產(chǎn)品中,。

3、差分AC耦合(用于超寬頻信號線)

對于交流耦合的器件來說,,就必須增加AC耦合電容,,工程師進行高速串行信號設(shè)計時,都會使用到AC耦合電容,。設(shè)計高速串行電路,,一個小的不同會引起信號完整性問題,,AC耦合電容是為了使兩級間更好的通信,還可以提供直流偏壓和過流的保護,,村田的差分AC耦合可用于超寬頻信號線,。在村田眾多硅電容器產(chǎn)品系列中,本次展出的XBSC / UBSC / BBSC / ULSC系列是支持最高到100GHz+的表面貼裝型硅電容器,。該系列產(chǎn)品以光通信系統(tǒng)(ROSA/TOSA,、SONET等所有光電產(chǎn)品)以及高速數(shù)據(jù)系統(tǒng)和產(chǎn)品為目標,專為隔直,、耦合用途設(shè)計的,。

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4、定制化硅基板

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村田在展臺現(xiàn)場還展示了應(yīng)用于TOSA&ROSA的集成寬頻RC的硅基板方案,。標準的氮化鋁(AlN)陶瓷基板小型化受限,,可靠性也面臨挑戰(zhàn),村田定制化硅基板方案具有小型化,、高可靠性,、成本更低等優(yōu)勢,且能夠滿足125℃的高溫工作環(huán)境,。村田依靠引領(lǐng)世界的技術(shù),,極為靈活地將High-Q電感、電阻,、平面MIM電容器,、巴倫用溝槽MOS電容器、PLL環(huán)路濾波器,、低通濾波器,、RC濾波器、饋線去耦裝置等各種被動元件組合起來,,提供給客戶,。此項技術(shù)也提供利用與MOS半導(dǎo)體完全兼容的后工序技術(shù)集成被動元件的平臺,并且可以應(yīng)用于SIP,,利用其他技術(shù)(CMOS和MEMS等)進行多片模塊和倒裝片的異質(zhì)集成,。

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5、數(shù)據(jù)中心線纜管理用RFID標簽

RFID是自動識別技術(shù)的一種,,通過無線射頻方式進行非接觸雙向數(shù)據(jù)通信,,利用無線射頻方式對記錄媒體(電子標簽或射頻卡)進行讀寫,從而達到識別目標和數(shù)據(jù)交換的目的,,其被認為是21世紀最具發(fā)展?jié)摿Φ男畔⒓夹g(shù)之一,。伴隨著光纖網(wǎng)絡(luò)規(guī)模日趨龐大,結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜,,找到對應(yīng)的接口接駁光纜需要耗費大量的時間,,如果接錯線可能導(dǎo)致系統(tǒng)停頓,,造成巨大損失。傳統(tǒng)的手寫或者人工輸入的方式已經(jīng)不能滿足光纜管理市場需求,,如何實現(xiàn)光纖的科學管理成為數(shù)據(jù)中心,、IT部門、光纖制造商,、IT設(shè)備供應(yīng)商等機構(gòu)頭疼的問題,。村田敏銳地洞察到光纜管理市場痛點,將RFID(射頻識別)技術(shù)應(yīng)用到光纖網(wǎng)絡(luò)中,,實現(xiàn)快速高效的配對,、認證,提供科學有效的管理模式,。

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據(jù)悉,,村田數(shù)據(jù)中心線纜管理用RFID標簽小而堅固,采用陶瓷封裝,,在惡劣的環(huán)境下也能經(jīng)久耐用,。該產(chǎn)品可注塑或貼在光纜連接器表面,通過讀寫器讀取光纖ID,、光纖種類,、插入位置等信息,實現(xiàn)簡單的光纖識別,,消除連接錯誤的同時,,降低成本并節(jié)約時間,可以用于配對,、認證,、以及ODF和數(shù)據(jù)中心等系統(tǒng)維護,光纖生產(chǎn)及銷售流程追蹤,。

如今,,光通信市場規(guī)模還在不斷擴大,同時需要進一步提高通信速度和實現(xiàn)外形規(guī)格的小型化,。元器件的技術(shù)水平和生產(chǎn)能力對光電行業(yè)的發(fā)展有著至關(guān)重要的基礎(chǔ)性作用,,村田秉承“Innovator in Electronics”(電子行業(yè)的創(chuàng)新者)的企業(yè)理念,定位市場痛點,,利用深厚的技術(shù)底蘊,,供應(yīng)獨特產(chǎn)品,為光通信行業(yè)的發(fā)展提供“元”動力,。


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