自格芯2019年8月26日在美國(guó)與德國(guó)提出對(duì)臺(tái)積電的侵權(quán)訴訟后,，各界都在關(guān)注臺(tái)積電的應(yīng)對(duì)策略,。而在美國(guó)時(shí)間2019年9月26日，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)正式基于格芯的侵權(quán)申訴,，對(duì)包含臺(tái)積電在內(nèi)的22家半導(dǎo)體廠(chǎng)商啟動(dòng)337調(diào)查,，似乎也促使臺(tái)積電加快應(yīng)對(duì)腳步，采取正式的法律手段以捍衛(wèi)自身權(quán)益,。
2019年9月30日臺(tái)積電正式對(duì)格芯提出侵權(quán)訴訟,，至此，過(guò)去全球前兩大晶圓代工廠(chǎng)或?qū)⒄綄?duì)簿公堂,，掀起市場(chǎng)對(duì)雙方策略布局的諸多討論,，也讓晶圓代工產(chǎn)業(yè)再次增添話(huà)題性。
臺(tái)積電提出訴訟反擊格芯,，然而和解方案或許對(duì)雙方影響最小
根據(jù)臺(tái)積電公布的新聞稿,，臺(tái)積電于2019年9月30日在美國(guó)、德國(guó)及新加坡三地對(duì)格芯提出多項(xiàng)專(zhuān)利侵權(quán)訴訟,，控告格芯侵犯臺(tái)積電涵蓋成熟及先進(jìn)制程技術(shù)核心功能的25項(xiàng)專(zhuān)利,，涉及技術(shù)包括FinFET設(shè)計(jì)、淺溝槽隔離技術(shù),、雙重曝光方法,、先進(jìn)密封環(huán)及閘極結(jié)構(gòu)，以及創(chuàng)新的接觸蝕刻停止層設(shè)計(jì)等,，這些技術(shù)廣泛應(yīng)用在40nm,、28nm、22nm,、14nm及12nm等制程,。
此外，臺(tái)積電此訴訟中亦要求法院核發(fā)禁制令,，禁止格芯生產(chǎn)及銷(xiāo)售侵權(quán)的半導(dǎo)體產(chǎn)品,，以及對(duì)非法使用臺(tái)積電半導(dǎo)體專(zhuān)利技術(shù)與銷(xiāo)售侵權(quán)產(chǎn)品的格芯尋求實(shí)質(zhì)性的損害賠償,。
對(duì)臺(tái)積電而言,，提出侵權(quán)訴訟舉動(dòng)不單是臺(tái)面上的反擊，更有機(jī)會(huì)迫使格芯評(píng)估彼此在冗長(zhǎng)訴訟過(guò)程可能造成的損失。
目前臺(tái)積電未公布確切侵權(quán)的專(zhuān)利號(hào)碼,，但從專(zhuān)利包含的技術(shù)層面來(lái)看,，與格芯提出的頗有些相似之處，因此在侵權(quán)判斷上可能會(huì)依循相同的邏輯或判斷原則,，代表若一項(xiàng)專(zhuān)利侵權(quán)勝訴,，相對(duì)應(yīng)或類(lèi)似的另一項(xiàng)專(zhuān)利也有勝訴可能，反之亦然,。
如此一來(lái),，或許較難定義出絕對(duì)的勝利者。假使這類(lèi)情況出現(xiàn),，不管對(duì)格芯或臺(tái)積電都將會(huì)是兩面刃,，損傷對(duì)方戰(zhàn)力的同時(shí)卻不一定能利己，有鑒于此,，雙方尋求和解或互相撤銷(xiāo)告訴的機(jī)會(huì)就可能增加,，將彼此的損失做最小化處理方為上策。
臺(tái)積電與格芯訴訟涉及重點(diǎn)制程,，若出現(xiàn)利益?zhèn)t競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手或有受惠可能
分析雙方提出訴訟涉及的制程范圍來(lái)看,，格芯瞄準(zhǔn)臺(tái)積電的主要是極具產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的制程，即28nm,、16nm,、12nm、10nm及7nm,，在2019年第二季占比達(dá)45%,，尤其臺(tái)積電7nm業(yè)績(jī)良好，產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)增,，估計(jì)28nm以下制程營(yíng)收占比將持續(xù)上升,，是格芯瞄準(zhǔn)能牽制臺(tái)積電的重要目標(biāo)。
此外,，格芯是目前市場(chǎng)上極力推廣SOI相關(guān)產(chǎn)品的廠(chǎng)商之一,，在臺(tái)積電鮮少著墨SOI技術(shù)的情況下，或許也希望藉由專(zhuān)利侵權(quán)訴訟效果來(lái)提升自家的FD-SOI技術(shù)市占率,。
另一方面,，臺(tái)積電訴訟涉及的制程范圍雖影響不到格芯的FD-SOI相關(guān)產(chǎn)品，但范圍擴(kuò)及格芯的成熟制程40nm,，且在格芯停止研發(fā)7nm制程后,，轉(zhuǎn)而力求優(yōu)化12nm制程效能表現(xiàn)，因此臺(tái)積電提出有關(guān)FinFET閘極設(shè)計(jì),、雙重曝光方法及接觸蝕刻停止層設(shè)計(jì)等相關(guān)專(zhuān)利,，對(duì)格芯也就有著不小的潛在可能影響,；倘若專(zhuān)利證實(shí)侵權(quán)，等于又進(jìn)一步抑制格芯在晶圓代工第二梯隊(duì)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),。
值得一提的是,，雙方瞄準(zhǔn)的制程范圍影響層面廣且重要性之高，或許也會(huì)讓競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手尋找得利的機(jī)會(huì)點(diǎn),。
無(wú)論從技術(shù)發(fā)展或營(yíng)收來(lái)看,，Samsung與聯(lián)電正好是臺(tái)積電與格芯最主要的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，若此番訴訟的結(jié)果讓雙方互傷元?dú)?，可能給予Samsung與聯(lián)電追趕的契機(jī),，尤其聯(lián)電與格芯在技術(shù)與營(yíng)收上相近，加上聯(lián)電在日本完成的收購(gòu)計(jì)劃與格芯 2020年將交割廠(chǎng)房,，倘若格芯在法律過(guò)程中有所損失,，相信會(huì)縮小領(lǐng)先聯(lián)電差距，甚或有被聯(lián)電超越的機(jī)會(huì),。