《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 嵌入式技術(shù) > 業(yè)界動態(tài) > X-FAB在180nm BCD-on-SOI平臺上新增非易失性存儲器功能

X-FAB在180nm BCD-on-SOI平臺上新增非易失性存儲器功能

基于公司成熟的SONOS技術(shù),,新增的Flash和EEPROM為汽車,醫(yī)療和工業(yè)領(lǐng)域帶來了許多新的可能性
2019-10-17
關(guān)鍵詞: X-FAB BCD-on-SOI 非易失性存儲器

  2019年10月17日, 比利時Tessenderlo

  全球領(lǐng)先的模擬/混合信號和專業(yè)代工廠商X-FAB Silicon Foundries, 今天宣布在廣泛使用的XT018 BCD-on-SOI平臺上提供基于SONOS的Flash和嵌入式EEPROM,。這些非易失性存儲器(NVM)的添加將拓寬更多的應(yīng)用范圍,,在這些應(yīng)用中,,需要高壓額定值和高溫承受能力,并且提升運算能力,。

  越來越多的應(yīng)用需要基于微控制器(microcontroller-base)的解決方案,,其中包括嵌入式Flash和EEPROM與高壓(高達100V),高溫和抗ESD / EMC能力相結(jié)合,。EEPROM非常適合需要多次重復(fù)編程內(nèi)存塊(在晶圓級,,以及在現(xiàn)場應(yīng)用中)的情況。X-FAB的SONOS技術(shù)支持在-40°C到175°C的溫度下工作,,符合汽車AEC-Q100 “0”級質(zhì)量標準,。

  新的X-FAB NVM方案包括一個32kBytes的Flash,以及4kbit的EEPROM,。這兩種元件均采用了公司的SONOS技術(shù),,并充分利用了180nm體硅工藝(XH018)所展示的可靠性和經(jīng)驗。Flash和EEPROM子塊可以在1.8V單電壓下工作,,并且可以通過共享的同一外設(shè)接口獨立操作,,從而實現(xiàn)最佳的封裝。

  為確保數(shù)據(jù)完整性,,該NVM方案包含了錯誤代碼校正(ECC)功能,,分別在Flash上進行單位校正和在EEPROM上進行雙位校正。NVM模塊還帶有嵌入式測試接口,,允許直接操作Flash和EEPROM IP,。通過這種方式,客戶可以受益于X-FAB的NVM晶圓級測試和封裝設(shè)備測試功能,,以縮短調(diào)試和上市時間,。

  這新增NVM方案僅在XT018基本流程中增加了四個額外的工藝層,特別適合于一系列不同的應(yīng)用領(lǐng)域,,例如汽車,,工業(yè),,物聯(lián)網(wǎng)和醫(yī)療。此外,,這種BCD-on-SOI提供的超低漏電性能將在物聯(lián)網(wǎng)的遠程自主傳感器接口和活體健康監(jiān)測應(yīng)用等新興應(yīng)用中證明其價值,。

  X-FAB NVM市場經(jīng)理Nando Basile表示:“將Flash功能引入我們的XT018平臺,為我們在高溫下需要智能控制的汽車動力傳動系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域提供了明顯的優(yōu)勢,?!?“這也意味著,我們完全有能力應(yīng)對醫(yī)療和工業(yè)領(lǐng)域開始出現(xiàn)的眾多機遇,?!?/p>


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點,。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片,、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者,。如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,,以便迅速采取適當措施,,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118,;郵箱:[email protected],。