中國(guó)北京,，2023年6月2日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布,，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠,，由此加強(qiáng)了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺(tái)反映了模擬應(yīng)用中對(duì)更高數(shù)字集成和處理能力日益增長(zhǎng)的需求,。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比,，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片,。

　　X-FAB采用首個(gè)110納米BCD-on-SOI技術(shù)實(shí)現(xiàn)下一代汽車(chē)應(yīng)用

　　通過(guò)轉(zhuǎn)移到較低的工藝節(jié)點(diǎn)，X-FAB XT011產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)密度達(dá)到其成熟的XT018 180納米BCD-on-SOI半導(dǎo)體平臺(tái)的兩倍,；對(duì)于SONOS嵌入式閃存的實(shí)現(xiàn),，相較于XT018，其面積也減少了35%,；此外,，超低導(dǎo)通電阻（R（ds）on）高壓N溝道器件的性能是另一個(gè)重要特性（相比XT018工藝有超過(guò)25%的改進(jìn)）。顯著增強(qiáng)的熱性能意味著可以更好地解決大電流應(yīng)用的難題——這點(diǎn)通常與對(duì)Bulk BCD工藝的期望相匹配,。

　　此種全新BCD-on-SOI技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)符合AEC-Q100 Grade 0等級(jí)的設(shè)計(jì)需求,，具有高度穩(wěn)健性。其工作溫度范圍為-40℃至175℃,，還表現(xiàn)出較高的抗EMI能力,。由于沒(méi)有寄生雙極效應(yīng)，發(fā)生閂鎖的風(fēng)險(xiǎn)完全消除,，從而確保最高程度的操作可靠性,。

　　X-FAB為XT011提供了全面的工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）以及廣泛的IP元素，如SRAM,、ROM和基于SONOS的閃存和嵌入式EEPROM,。因此，客戶將擁有實(shí)現(xiàn)“首次成功（first-time-right）”設(shè)計(jì)所需的所有手段,，并將轉(zhuǎn)化為更短的上市時(shí)間,。

　　XT011工藝主要針對(duì)需要更高級(jí)別數(shù)據(jù)處理能力的下一代車(chē)載應(yīng)用。此外,，它將為現(xiàn)有的工業(yè)和醫(yī)療產(chǎn)品提供通往更小幾何尺寸的路徑,。

　　“X-FAB已經(jīng)作為BCD-on-SOI技術(shù)的首選晶圓廠而廣為人知,；此次成為首家過(guò)渡至110納米的晶圓廠，進(jìn)一步突出了我們?cè)谶@一領(lǐng)域無(wú)與倫比的專業(yè)知識(shí),?！盭-FAB的首席技術(shù)官Joerg Doblaski表示，“通過(guò)此新一代車(chē)規(guī)級(jí)工藝,，我們將為客戶構(gòu)建生產(chǎn)更復(fù)雜且高度集成智能模擬產(chǎn)品所需的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),。”

　　采用全新XT011 110納米BCD-on-SOI半導(dǎo)體工藝器件將在X-FAB位于巴黎附近的科爾貝-埃索訥（Corbeil-Essonnes）工廠制造,。量產(chǎn)將于2023年下半年啟動(dòng),。

　　縮略語(yǔ)：

　　BCDBipolar-CMOS-DMOS

　　CMOS互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體

　　DTI深槽隔離

　　EDA電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化

　　SOI絕緣體上硅

　　SONOS硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅

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