文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A
DOI:10.16157/j.issn.0258-7998.190702
中文引用格式: 孫帆,,黃海波,盧軍,,等. 一種新型的12位SAR ADC設(shè)計(jì)[J].電子技術(shù)應(yīng)用,,2019,45(11):36-41.
英文引用格式: Sun Fan,,Huang Haibo,,Lu Jun,,et al. Design of a novel 12-bit SAR ADC[J]. Application of Electronic Technique,,2019,,45(11):36-41.
0 引言
隨著集成電路,、移動(dòng)通信,、傳感器網(wǎng)絡(luò)等技術(shù)的快速發(fā)展,各種微型化,、智能化的傳感器作為連接物理世界和各種智能設(shè)備的橋梁,,受到了研究者越來越高的重視[1-2]。模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)起著連接模擬前端處理電路和數(shù)字信號(hào)處理電路的功能,,對(duì)實(shí)現(xiàn)各種自然界的信號(hào)高質(zhì)量,、無失真的采集和處理起著至關(guān)重要的作用[3]。此外,,由于現(xiàn)在的智能傳感器對(duì)長(zhǎng)時(shí)間續(xù)航,、便攜式、可植入式等功能提出要求,,低功耗,、高精度的ADC成為研究的熱點(diǎn),。逐次逼近模數(shù)轉(zhuǎn)換器(SAR ADC)以其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、功耗低,、精度較高,、面積較小等優(yōu)點(diǎn),在生物電信號(hào)采集,、壓力采集,、溫濕度監(jiān)控等傳感器設(shè)備中得到廣泛的應(yīng)用[4]。
本文設(shè)計(jì)了一種能較好地折衷功耗,、精度,、速度這三個(gè)相互矛盾的性能指標(biāo)的SAR ADC?;谝环N新型的電容開關(guān)切換算法,,同時(shí)采用分段式電容陣列、分時(shí)工作的比較器等措施盡可能地降低功耗,、提高精度,,取得了較優(yōu)異的性能。
1 電容陣列的開關(guān)切換算法
SAR ADC的基本結(jié)構(gòu)由數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC),、比較器,、SAR邏輯控制電路、采樣保持電路構(gòu)成,,其原理是基于二進(jìn)制搜索算法進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換,。DAC有多種類型,應(yīng)用最廣泛的是電容式DAC,。
電容式SAR ADC在進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換時(shí),,電容陣列的開關(guān)切換策略決定了電路的復(fù)雜度、電容陣列的面積,、比較器的比較精度、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換所需的動(dòng)態(tài)功耗等,。本文通過比較傳統(tǒng)的電容開關(guān)切換算法[5]和本文采用的一種新型的電容開關(guān)切換算法,,說明本文采用算法的詳細(xì)控制策略以及優(yōu)點(diǎn)。
1.1 傳統(tǒng)的DAC電容開關(guān)切換算法
傳統(tǒng)的N位電容式DAC結(jié)構(gòu)圖如圖1所示,,DAC由單位電容個(gè)數(shù)按二進(jìn)制遞增的電容陣列構(gòu)成,。采用下極板采樣,下極板通過開關(guān)連接至三個(gè)電平以進(jìn)行切換,,分別是輸入信號(hào),、高電平參考電壓Vref、低電平地電壓GND,。
傳統(tǒng)的DAC電容開關(guān)切換算法采用先置位后判斷的方式,。首先進(jìn)行信號(hào)采樣,將差分DAC電容陣列的上極板均連接至共模電壓Vcm,正負(fù)端電容陣列的下極板分別接正負(fù)端輸入信號(hào)Vinp和Vinn,。采樣完成后,,斷開電容陣列的上極板開關(guān),將正端DAC的所有電容下極板切換至地電壓GND,,負(fù)端DAC的電容下極板切換至正參考電壓Vref,,然后開始從高位到低位進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換過程。以最高位(MSB)為例,,先預(yù)置位為1,,將MSB的正端電容下極板電平由GND切換至Vref,負(fù)端電容下極板電平由Vref切換至GND,。比較DAC正端輸出電壓VDACP和負(fù)端電壓VDACN的大小,,如果VDACP>VDACN,表明預(yù)置位1正確,,該位輸出為1,,MSB的電容連接方式不變;否則VDACP<VDACN,,表明該位預(yù)置1錯(cuò)誤,,MSB的電容電平向相反方向切換,該位輸出為0,。以此類推,,直到比較得出N位的轉(zhuǎn)換結(jié)果。傳統(tǒng)的DAC電容開關(guān)切換算法的缺點(diǎn)是電容面積大,、動(dòng)態(tài)功耗較高,、邏輯控制較復(fù)雜。
1.2 一種新型的DAC電容開關(guān)切換算法
本文采用一種新型的電容開關(guān)切換算法,,該算法是在基于共模電平(Vcm-based)電容開關(guān)切換算法[6]的基礎(chǔ)上發(fā)展而來,,其DAC結(jié)構(gòu)如圖2所示。將Vcm-based電容式DAC中每位對(duì)應(yīng)的電容分為大小相等的兩個(gè),,如最高位的電容值2N-1C0被分成兩個(gè)2N-2C0并聯(lián),,最低位C0被分為兩個(gè)C0/2并聯(lián)。該算法采用上極板采樣,,在初始狀態(tài)時(shí),,正端電容Cpai(i=0~N-1)的下極板連接至GND,正端電容Cpbi(i=0~N-1)的下極板連接至Vref,;負(fù)端電容Cnai(i=0~N-1)的下極板連接至Vref,,負(fù)端電容Cnbi(i=0~N-1)的下極板連接至GND。這樣,,正負(fù)端電容陣列的一半連接至GND,,一半連接至Vref,,等效為所有的電容下極板都連接至共模電平Vcm(取Vcm=Vref/2)。因此,,該算法的電容開關(guān)切換電平只有GND和Vref,,省去了Vcm產(chǎn)生電路及緩沖器電路。極大地簡(jiǎn)化了電路,,降低了功耗,,且仍能保持DAC輸出差分信號(hào)共模電平的恒定。
此新型的電容開關(guān)切換算法的工作流程為:首先進(jìn)行采樣,,正負(fù)端電容陣列的上極板分別接正負(fù)端輸入信號(hào)Vinp和Vinn,,電容的下極板按初始狀態(tài)連接。直接比較DAC正負(fù)端的采樣電壓,,就可以得到MSB的結(jié)果,。如果MSB=1,則次高位的Cpa電容下極板電平保持為GND,,Cpb電容下極板電平由Vref切換至GND,;次高位的Cna電容下極板電平保持為Vref,Cnb電容的下極板電平由GND切換至Vref,。如果MSB=0,,則電容電平切換方向和MSB=1時(shí)相反。在開關(guān)電平切換完成后,,通過比較器即可得到次高位的結(jié)果,。以此類推,由高到低逐次得出N位的轉(zhuǎn)換結(jié)果,。
對(duì)于12位的SAR ADC,,以N=12為例給出了不同電容開關(guān)切換算法下,差分二進(jìn)制加權(quán)電容陣列DAC所需的單位電容個(gè)數(shù),、參考電壓類型,、平均功耗等情況如表1所示??梢?,本文采用的開關(guān)切換算法所需的電容面積、平均功耗比傳統(tǒng)算法大幅減少,。且參考電壓沒有Vcm,節(jié)省了Vcm產(chǎn)生電路和緩沖電路的功耗,。
2 SAR ADC的電路設(shè)計(jì)
2.1 SAR ADC的整體結(jié)構(gòu)
本文設(shè)計(jì)的SAR ADC的整體結(jié)構(gòu)如圖3所示,。電路主要包含四個(gè)部分,即12位的全差分開關(guān)電容式DAC,、采樣電路,、分時(shí)工作的比較器,、逐次逼近(SAR)邏輯控制和寄存器電路。
開關(guān)電容DAC有兩個(gè)主要功能:一是和采樣開關(guān)配合起來,,進(jìn)行輸入信號(hào)的采樣,;二是在逐次逼近(SAR)邏輯控制下由高位到低位進(jìn)行電容陣列的開關(guān)切換,實(shí)現(xiàn)二進(jìn)制搜索算法,。采樣開關(guān)采用自舉(bootstrap)開關(guān)的結(jié)構(gòu),,盡可能地降低采樣的非線性誤差[4]。分時(shí)工作比較器起著比較差分DAC正負(fù)端輸出電壓的作用,,將比較的高低電平結(jié)果輸入SAR邏輯控制電路,。在本設(shè)計(jì)中,全差分動(dòng)態(tài)比較器COMP1和靜態(tài)預(yù)放大比較器COMP2進(jìn)行分時(shí)工作,,COMP1比較前8 bit的DAC輸出電壓,,COMP2比較后4 bit的DAC輸出電壓。兩路比較器分別被時(shí)鐘信號(hào)CLK_COMP1和CLK_COMP2控制,,兩路比較器的輸出進(jìn)行或運(yùn)算得到整體的比較結(jié)果,。SAR邏輯控制電路產(chǎn)生逐次逼近的邏輯時(shí)序,對(duì)每一位的比較輸出結(jié)果進(jìn)行運(yùn)算,,產(chǎn)生開關(guān)切換的控制信號(hào)以控制DAC開關(guān)電容陣列中開關(guān)的切換方向,。
2.2 DAC電容陣列設(shè)計(jì)
本設(shè)計(jì)的DAC電容陣列如圖3中電路所示,采用全差分的上極板采樣的分段式電容陣列結(jié)構(gòu),。最高位直接進(jìn)行比較,,沒有電容開關(guān)的切換。故采用7+4的分段結(jié)構(gòu),,高位電容陣列為7位,,低位為4位。末尾為冗余位,,不進(jìn)行開關(guān)切換,,起著增加轉(zhuǎn)換精度的作用。電容陣列中所有的電容都是由單位電容C0構(gòu)成,,橋接電容的值為C0,。電路中最小的電容為兩個(gè)單位電容串聯(lián)即C0/2,這種方法的優(yōu)點(diǎn)是在不大幅增加電容面積的前提下保證轉(zhuǎn)換精度,。
電容陣列中每一位的電容被分為兩個(gè)相等的部分并聯(lián),,在初始狀態(tài)一個(gè)下極板接Vref,一個(gè)接GND,。如MSB正端電容陣列Cp11被分為Cpa11和Cpb11,,電容值均為32C0;初始時(shí)Cpa11下極板接GND,,Cpb11下極板接Vref,。MSB負(fù)端的電容陣列Cn11被分為Cna11和Cnb11,,同樣為32C0;初始時(shí)Cna11下極板接Vref,,Cnb11下極板接GND,。這種方法可以確保在開關(guān)電容總面積不變,且電容切換的電平?jīng)]有額外增加一個(gè)Vcm時(shí),,仍能使DAC輸出的差分電壓信號(hào)的共模電平保持為定值,,從而使比較器的輸入信號(hào)共模電平恒定,比較精度不會(huì)降低,。
在SAR ADC轉(zhuǎn)換過程中,,首先進(jìn)行信號(hào)采樣,自舉采樣開關(guān)Sin閉合,。正負(fù)端電容陣列的上極板分別連接至正負(fù)輸入信號(hào)Vinp和Vinn,,正負(fù)端DAC電容陣列的采樣電荷分別為:
在設(shè)計(jì)的12位SAR ADC轉(zhuǎn)換時(shí),在進(jìn)行第i步開關(guān)切換時(shí),,差分DAC輸出的正負(fù)端電壓分別為:
其中,,Mi為比較器從高位到低位第i次比較后正端輸出的結(jié)果。例如,,M1即Vinp和Vinn直接經(jīng)過比較器比較后正端的結(jié)果,,也是MSB的轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)。
可以看出,,差分DAC輸出電壓信號(hào)的共模電平為固定值,,其值恒為:
差分DAC輸出電壓共模電平的恒定,確保了比較器工作時(shí)靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定,,提高了比較器的精度,。
2.3 分時(shí)工作比較器設(shè)計(jì)
比較器在SAR ADC中起著比較差分DAC的輸出電壓,進(jìn)而得到該位的轉(zhuǎn)換結(jié)果,,并決定下一位電容陣列開關(guān)切換方向的重要作用,。比較器的比較精度、比較速率和功耗對(duì)SAR ADC的綜合性能有著決定性的影響[7],。
在本設(shè)計(jì)中,,為了兼顧高比較精度和低功耗的要求,設(shè)計(jì)了一種分時(shí)工作的比較器,。其中,,在前8 bit的比較中,采用雙尾電流全動(dòng)態(tài)比較器,,其特點(diǎn)是只消耗動(dòng)態(tài)功耗,,功耗較低,比較速度較快,但精度較差,。在后4 bit的比較中,采用靜態(tài)預(yù)放大器和鎖存比較器級(jí)聯(lián)的結(jié)構(gòu),,其特點(diǎn)是可以對(duì)DAC輸出的電壓差進(jìn)行一定的靜態(tài)預(yù)放大,,提高比較精度,但功耗較高,、速度較慢,。兩路比較器的輸出進(jìn)行或邏輯運(yùn)算,最終輸出整體的比較結(jié)果,。
2.3.1 全動(dòng)態(tài)比較器設(shè)計(jì)
設(shè)計(jì)的全動(dòng)態(tài)比較器采用雙尾電流式的結(jié)構(gòu),,如圖4所示。尾電流源均由時(shí)鐘信號(hào)控制,,任意時(shí)刻電路沒有靜態(tài)電流,,功耗非常小,比較速度非常高,。比較器為兩級(jí)電路,,第一級(jí)為全差分動(dòng)態(tài)預(yù)放大器,第二級(jí)為帶尾電流源的動(dòng)態(tài)鎖存比較器,。其工作原理是,,利用輸入電壓的差異,造成第一級(jí)比較器輸出節(jié)點(diǎn)VOP1,、VON1的充放電快慢的差異,,形成VOP1和VON1電壓變化的差異。將第一級(jí)的輸出傳遞給鎖存比較器的輸入端,,通過首尾相連的反相器結(jié)構(gòu)將輸入的差值迅速放大,,快速將第二級(jí)比較器的輸出VOP、VON的一端拉高,,另一端拉低,。
2.3.2 靜態(tài)預(yù)放大比較器設(shè)計(jì)
在后4 bit的比較中,采用靜態(tài)預(yù)放大比較器,,其原理圖如圖5所示,。第一級(jí)為靜態(tài)預(yù)放大器,M1,、M2為PMOS管差分輸入,,主要是為了降低噪聲、增大采樣電壓的輸入范圍,。M4,、M5柵極交叉耦合連接,引入弱正反饋,,可以增大預(yù)放大器的增益和帶寬,,提高比較器的精度和速度,。AMP_EN是控制電路是否工作的使能信號(hào)。
第二級(jí)電路為動(dòng)態(tài)鎖存比較器,,有兩個(gè)工作模式,,其特點(diǎn)是響應(yīng)速度快,動(dòng)態(tài)功耗較低,。CLK為控制鎖存比較器工作的時(shí)鐘信號(hào),,CLKN為其反相時(shí)鐘。當(dāng)CLK端有時(shí)鐘輸入且為低電平時(shí),,動(dòng)態(tài)鎖存比較器工作在復(fù)位模式,,正負(fù)端輸出均為低電平。當(dāng)CLK時(shí)鐘為高電平時(shí),,動(dòng)態(tài)鎖存比較器工作在比較模式,,M17、M18,、M21和M22構(gòu)成了首尾連接的反相放大器結(jié)構(gòu),,形成了正反饋,可以迅速將比較器正負(fù)輸出端的電壓拉開,,實(shí)現(xiàn)對(duì)微小差異的輸入電壓的比較,。
2.4 SAR邏輯控制時(shí)序
逐次逼近(SAR)邏輯控制電路由D觸發(fā)器和邏輯門實(shí)現(xiàn),其邏輯時(shí)序如圖6所示,。
在SAR邏輯控制時(shí)序圖中,,CLK和CLKS為外部輸入的信號(hào)。其中CLK為時(shí)鐘信號(hào),,CLKS為采樣控制信號(hào),,CLKS信號(hào)的頻率即為SAR ADC的采樣頻率。Sampling為輸入信號(hào)的采樣信號(hào),,控制自舉開關(guān)對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行采樣,。采樣完成后,CLKi(i=11~0) 每隔一個(gè)時(shí)鐘周期逐次由低電平向高電平變化,,控制電容開關(guān)由高位到低位逐次進(jìn)行電平切換,,完成逐次逼近功能。CLK_COMP1為全差分動(dòng)態(tài)比較器的時(shí)鐘信號(hào),,控制全差分動(dòng)態(tài)比較器工作,,比較輸出前8 bit數(shù)據(jù);當(dāng)其恒為低電平時(shí),,全差分動(dòng)態(tài)比較器停止工作,,正負(fù)輸出端全為低電平。CLK_COMP2為靜態(tài)預(yù)放大比較器的動(dòng)態(tài)鎖存器的時(shí)鐘信號(hào),當(dāng)有時(shí)鐘輸入時(shí),,比較器正常工作,;當(dāng)其恒為低電平時(shí),鎖存比較器輸出低電平,,停止工作,。ADC_OUT為比較器依次比較后輸出的各位轉(zhuǎn)換結(jié)果,AMP_EN為靜態(tài)預(yù)放大器的使能信號(hào),。當(dāng)AMP_EN為低電平時(shí),靜態(tài)預(yù)放大器工作,,配合鎖存比較器完成后4 bit的比較,,其余時(shí)間停止工作,極大地節(jié)省了功耗,。
3 SAR ADC仿真驗(yàn)證
本設(shè)計(jì)的SAR ADC采用TSMC 0.18 μm CMOS工藝實(shí)現(xiàn),,利用HSPICE軟件對(duì)電路的各項(xiàng)性能進(jìn)行仿真。仿真時(shí)的電源電壓和Vref電平為1.8 V,,SAR ADC的采樣率為200 kS/s,。
輸入頻率為10 kHz、振幅為1.8 V的正弦波差分信號(hào)時(shí),,采樣1 024個(gè)點(diǎn),,對(duì)轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)進(jìn)行快速傅里葉變換(FFT)頻譜分析,可得頻譜曲線如圖7所示,。結(jié)果顯示,,無雜散動(dòng)態(tài)范圍(SFDR)為76.91 dB,總諧波失真(THD)為-73.56 dB,,信號(hào)噪聲失真比(SNDR)為70.94 dB,,有效位數(shù)(ENOB)為11.49 bit。
在采樣率為200 kS/s,,輸入信號(hào)頻率變化時(shí),,SFDR和SNDR隨輸入頻率變化的動(dòng)態(tài)曲線如圖8所示??梢钥闯?,當(dāng)輸入頻率在1 kHz~95 kHz范圍內(nèi)變化時(shí),SFDR的范圍是69.85~80.88 dB,,SNDR的范圍是67.25~71.29 dB,。
本設(shè)計(jì)的SAR ADC的性能參數(shù)如表2所示,并和已發(fā)表的SAR ADC性能進(jìn)行比較,??梢姡捎诒疚牟捎玫亩喾N降低功耗和提高精度的設(shè)計(jì),SAR ADC的FoM值較低,,具有一定的性能優(yōu)勢(shì),。
4 結(jié)論
本文設(shè)計(jì)了一種新型的12位SAR ADC,采用新型的電容開關(guān)切換算法,,不需要額外的共模參考電壓,,仍能確保開關(guān)電容DAC的差分輸出信號(hào)的共模電平穩(wěn)定,保證了轉(zhuǎn)換的精度,。DAC電容陣列采用7+4的分段式電容陣列結(jié)構(gòu),,極大地減小了面積、節(jié)省了功耗,。比較器采用全差分動(dòng)態(tài)比較器和靜態(tài)預(yù)放大比較器分時(shí)工作的技術(shù),,綜合考慮了比較精度和功耗的要求。仿真結(jié)果表明,,SAR ADC在200 kS/s采樣率下,,ENOB為11.49位,F(xiàn)oM為38.2 fJ/(conv·step),,取得了良好的性能,。
參考文獻(xiàn)
[1] 陳興,林建廷,,毛越,,等.一種應(yīng)用于電網(wǎng)中電力監(jiān)測(cè)高精度ADC設(shè)計(jì)[J].電子技術(shù)應(yīng)用,2018,,44(12):25-27,,31.
[2] TANG H,SUN Z C,,CHEW K W R,,et al.A 1.33 μW 8.02- ENOB 100kS/s successive approximation ADC with supply reduction technique for implantable retinal prosthesis[J].IEEE Transactions on Biomedical Circuits and Systems,2014,,8(6):844-856.
[3] 侯佳力,,胡毅,何洋,,等.用于SAR ADC的片上多模式基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路的設(shè)計(jì)[J].電子技術(shù)應(yīng)用,,2018,44(7):35-37,,41.
[4] 王冰,,姜漢鈞,郭衍束,,等.用于植入式心電監(jiān)測(cè)的12位低功耗SAR ADC[J].微電子學(xué),,2018,,48(6):728-732.
[5] GINSBURG B P,CHANDRAKASAN A P.An energy efficient charge recycling approach for a SAR converter with capacitive DAC[C].ISCAS,,2005:184-187.
[6] 劉瀅浩,,劉宏,徐樂,,等.一種Vcm-Based 10位16M采樣率低功耗逐次逼近型模數(shù)轉(zhuǎn)換器[J].微電子學(xué)與計(jì)算機(jī),,2017,34(11):99-103.
[7] Wang Ya,,Xue Chunying,,Li Fule,et al.A low power 11-bit 100 MS/s SAR ADC IP[J].Journal of Semiconductors,,2015,,36(2):1-5.
[8] Yang Siyu,Zhang Hui,,F(xiàn)u Wenhui,et al.A low power 12 bit 200 kS/s SAR ADC with a differential time domain comparator[J].Journal of Semiconductors,,2011,,32(3):1-6.
[9] VERMA N,CHANDRAKASAN A P.An ultra low energy 12-bit rate-resolution scalable SAR ADC for wireless sensor nodes[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,,2007,,42(6):1196-1205.
作者信息:
孫 帆,黃海波,,盧 軍,,陳宇峰
(湖北汽車工業(yè)學(xué)院 電氣與信息工程學(xué)院,湖北 十堰442002)