器件適用于24 V系統(tǒng)雙向開關(guān),，最佳RS S(ON)典型值低至10 mW,，單位面積RS-S(ON)達業(yè)內(nèi)最低水平
賓夕法尼亞、MALVERN — 2019年12月11日—日前,，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型熱增強型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN,。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件,，專門用于提高電池管理系統(tǒng),、直插式和無線充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電源的功率密度和效率,。
日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW,，是3mm x 3mm封裝導(dǎo)通電阻最低的60 V器件，比這一封裝尺寸排名第二的產(chǎn)品低42.5%,，比Vishay上一代器件低89%,。
從而降低電源通道壓降，減小功耗,，提高效率,。為提高功率密度，SiSF20DN的RS1S2(ON) 面積乘積低于排名第二的替代MOSFET 46.6 %,，甚至包括6 mm x 5 mm較大封裝解決方案,。
為節(jié)省PCB空間，減少元件數(shù)量并簡化設(shè)計,，該器件采用優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu),，兩個單片集成TrenchFET? 第四代n溝道MOSFET采用共漏極配置。SiSF20DN源極觸點并排排列,，加大連接提高PCB接觸面積,，與傳統(tǒng)雙封裝型器件相比進一步減小電阻率。這種設(shè)計使MOSFET適合用于24 V系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用雙向開關(guān),，包括工廠自動化,、電動工具、無人機,、電機驅(qū)動器,、白色家電、機器人,、安防/監(jiān)視和煙霧報警器,。
SiSF20DN進行了100 % Rg和UIS測試，符合RoHS標準,，無鹵素,。
新型MOSFET現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨供貨周期為30周,。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業(yè)”,，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器,、電感器,、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算,、汽車,、消費、通信,、國防,、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備,。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新,、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者,。
PowerPAK是Siliconix公司的注冊商標,。