器件適用于24 V系統(tǒng)雙向開關(guān),，最佳RSS(ON)典型值低至10 mW，單位面積RS-S(ON)達(dá)業(yè)內(nèi)最低水平

賓夕法尼亞,、MALVERN — 2019年12月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布,，推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN,。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專門用于提高電池管理系統(tǒng),、直插式和無線充電器,、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電源的功率密度和效率。

日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW,，是3mm x 3mm封裝導(dǎo)通電阻最低的60 V器件,，比這一封裝尺寸排名第二的產(chǎn)品低42.5%，比Vishay上一代器件低89%,。

從而降低電源通道壓降,，減小功耗，提高效率,。為提高功率密度,，SiSF20DN的RS1S2(ON) 面積乘積低于排名第二的替代MOSFET 46.6 %，甚至包括6 mm x 5 mm較大封裝解決方案,。

為節(jié)省PCB空間,，減少元件數(shù)量并簡化設(shè)計(jì)，該器件采用優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)，兩個單片集成TrenchFET? 第四代n溝道MOSFET采用共漏極配置,。SiSF20DN源極觸點(diǎn)并排排列,，加大連接提高PCB接觸面積，與傳統(tǒng)雙封裝型器件相比進(jìn)一步減小電阻率,。這種設(shè)計(jì)使MOSFET適合用于24 V系統(tǒng)和工業(yè)應(yīng)用雙向開關(guān),，包括工廠自動化、電動工具,、無人機(jī),、電機(jī)驅(qū)動器、白色家電,、機(jī)器人,、安防/監(jiān)視和煙霧報(bào)警器。

SiSF20DN進(jìn)行了100 % Rg和UIS測試,，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),，無鹵素。

新型MOSFET現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),，大宗訂貨供貨周期為30周,。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富1000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管,、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器,、電感器、電容器）的最大制造商之一,。這些元器件可用于工業(yè),、計(jì)算、汽車,、消費(fèi),、通信、國防,、航空航天,、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新,、成功的收購戰(zhàn)略,，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。

PowerPAK是Siliconix公司的注冊商標(biāo),。