據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)》雜志報(bào)道，三星電子已成功研發(fā)出首款3nm工藝芯片,，基于全柵極（GAAFET）技術(shù),。與三星使用FinFET工藝研發(fā)的5nm芯片相比，3nm芯片的總硅片面積減少35%,，功耗降低50%,，性能提高30%

　　據(jù)悉，韓國當(dāng)?shù)貢r間1月2日,，三星電子事實(shí)上的領(lǐng)導(dǎo)者李在镕層參觀了三星的半導(dǎo)體研發(fā)中心,，并商討了有關(guān)公司利用3nm工藝制造芯片的戰(zhàn)略計(jì)劃，以提供給全球客戶,。

　　一,、三星電子的GAAFET工藝

　　早在一年前，三星開始進(jìn)行3nm GAAFET工藝的研發(fā),，最初計(jì)劃于2021年開始量產(chǎn),。

　　與此同時，三星還曾表示要在2020年之前采用4nm GAAFET工藝,，但業(yè)界對三星是否能在2020年之前將該工藝量產(chǎn)表示懷疑,。

　　從事實(shí)上看,，三星將GAAFET芯片投入生產(chǎn)的時間比業(yè)界預(yù)期的還要早。但隨著三星3nm芯片原型的開發(fā),，其量產(chǎn)的時間或許會比市場預(yù)期更早,。

　　實(shí)際上，GAAFET的工藝設(shè)計(jì)與FinFET大不相同,。

　　FinFET工藝將閘門設(shè)計(jì)成了像魚鰭般的3D結(jié)構(gòu),，把以往水平的芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)變垂直，把晶體厚度變薄,。

　　這種設(shè)計(jì)不僅能很好地接通和斷開電路兩側(cè)的電流,，大大降低了芯片漏電率高的問題，還大幅地縮短了晶體管之間的閘長,。

　　而GAAFET的工藝則圍繞通道的四個側(cè)面設(shè)計(jì),，以確保減少功率的泄漏，進(jìn)一步改善對通道的控制,。

　　此外,，GAAFET工藝還能夠?qū)崿F(xiàn)更高效的晶體管設(shè)計(jì)，擁有更小的整體制程尺寸,，大大提升了芯片的每瓦性能,。

　　二、臺積電仍在5nm領(lǐng)域發(fā)力

　　三星電子的老對手臺積電在3nm工藝領(lǐng)域似乎還較為低調(diào),。

　　臺積電曾表示將在2019年年底啟動3nm晶圓廠建設(shè),，并表示其進(jìn)展“令人欣慰”，但關(guān)于3nm的技術(shù)細(xì)節(jié)卻未過多披露,。

　　相反,，當(dāng)下臺積電則更多低將心思放在5nm工藝的研發(fā)中。從去年年底開始,，關(guān)于臺積電5nm工藝試產(chǎn)良率的消息頻頻爆出,。

　　就在去年10月，臺積電表示,，其首批5nm工藝已順利拿下蘋果和華為海思兩大客戶,，將分別打造蘋果A14芯片和華為新一代麒麟芯片。

　　據(jù)臺積電上個月的最新消息表示,，其5nm工藝平均良率已提高至50%,，2020年上半年即可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

　　而在三星電子則表示,，其目標(biāo)要在2030年成為世界第一的半導(dǎo)體制造商,。

　　結(jié)語：芯片先進(jìn)制程領(lǐng)域戰(zhàn)火紛飛

　　多年來，臺積電和三星的芯片代工之爭愈演愈烈,，尤其進(jìn)入到了5nm及以下的先進(jìn)制程領(lǐng)域,，除了良率,、性能和客戶訂單之爭外，雙方圍繞芯片工藝,、半導(dǎo)體材料和光刻機(jī)等方面的競爭也更加激烈,。

　　但就目前綜合看來，三星雖然已公布其3nm工藝的最新進(jìn)展,，但在良率,、訂單等進(jìn)程上，依然是臺積電更勝一籌,。未來,，輸了7nm的三星是否能在3nm扳回一城？我們拭目以待,。