日前，三星宣布推出業(yè)界首款第三代內(nèi)存" target="_blank">HBM2E內(nèi)存，新的HBM2E內(nèi)存由8顆16Gb的DRAM顆粒堆疊而成，單個(gè)封裝可以達(dá)到16GB的總?cè)萘浚⑶移鋼碛懈哌_(dá)3.2Gbps的傳輸速率。

　　新型Flashbolt準(zhǔn)備提供前一代8GB HBM2“ Aquabolt”容量的兩倍，還可以顯著提高性能和電源效率，從而顯著改善下一代計(jì)算系統(tǒng)。通過在緩沖芯片頂部垂直堆疊八層10nm級(1y)16千兆位(Gb)DRAM裸片來實(shí)現(xiàn)16GB的容量。然后，該HBM2E封裝以40,000多個(gè)“直通硅通孔”(TSV)微型凸塊的精確排列進(jìn)行互連，每個(gè)16Gb裸片均包含5,600多個(gè)此類微小孔。

　　三星的Flashbolt通過利用專有的優(yōu)化電路設(shè)計(jì)進(jìn)行信號傳輸，提供了每秒3.2吉比特(Gbps)的高度可靠的數(shù)據(jù)傳輸速度，同時(shí)每個(gè)堆棧提供410GB / s的內(nèi)存帶寬。三星的HBM2E還可以達(dá)到4.2Gbps的傳輸速度，這是迄今為止最大的測試數(shù)據(jù)速率，在某些將來的應(yīng)用中，每個(gè)堆棧的帶寬高達(dá)538GB / s。這將比Aquabolt的307GB /秒提高1.75倍。

　　三星預(yù)計(jì)將在今年上半年開始量產(chǎn)。該公司將繼續(xù)提供其第二代Aquabolt產(chǎn)品陣容，同時(shí)擴(kuò)展其第三代Flashbolt產(chǎn)品，并將在整個(gè)高端存儲(chǔ)器市場加速向HBM解決方案的過渡時(shí)，進(jìn)一步加強(qiáng)與下一代系統(tǒng)中生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴的合作。