Vishay推出高效80 V MOSFET,,導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平
2020-02-11
來源:中國電子網(wǎng)
賓夕法尼亞,、MALVERN — 2020年2月10日 — 日前,,Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的---SiR680ADP,,它是80 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET,。Vishay Siliconix SiR680ADP專門用來提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和開關(guān)電路的效率,從而節(jié)省能源,,其導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積,,即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)為129 mW*nC,達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平,。
日前發(fā)布的器件10 V條件下導(dǎo)通電阻典型值降至2.35 mΩ,,超低柵極電荷僅為55 nC,COSS為614 pF,。這些改進(jìn)后的技術(shù)規(guī)格,,經(jīng)過調(diào)校最大限度降低開關(guān)、通道導(dǎo)通和二極管導(dǎo)通功耗,,從而提高能效,。這款MOSFET的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積優(yōu)值系數(shù)(FOM)比緊隨其后的競爭產(chǎn)品低12.2 %,比前代器件低22.5 %,,使其成為典型48 V輸入,,12 V輸出DC/DC轉(zhuǎn)換器最高效的解決方案。
SiR680ADP可作為模塊用于各種DC/DC和AC/DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用,,如同步整流、原邊開關(guān),、降壓-升壓轉(zhuǎn)換器,,諧振回路開關(guān)轉(zhuǎn)換器以及系統(tǒng)OR-ing功能,適用于電信和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源,、太陽能微型逆變器,、電動(dòng)工具和工業(yè)設(shè)備電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、電池管理模塊的電池切換,。
新款MOSFET經(jīng)過100 % RG和UIS測試,,符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),無鹵素,。
SiR680ADP現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),,供貨周期為12周,。