目前,，功率 MOSFET 管廣泛地應(yīng)用于開關(guān)電源系統(tǒng)及其它的一些功率電子電路中，然而,，在實(shí)際的應(yīng)用中，通常，在一些極端的邊界條件下,，如系統(tǒng)的輸出短路及過載測試，輸入過電壓測試以及動態(tài)的老化測試中,，功率 MOSFET 有時候會發(fā)生失效損壞,。工程師將損壞的功率 MOSFET 送到半導(dǎo)體原廠做失效分析后，得到的失效分析報(bào)告的結(jié)論通常是過電性應(yīng)力 EOS,，無法判斷是什么原因?qū)е?MOSFET 的損壞,。

　　本文將通過功率 MOSFET 管的工作特性，結(jié)合失效分析圖片中不同的損壞形態(tài),，系統(tǒng)的分析過電流損壞和過電壓損壞,，同時，根據(jù)損壞位置不同,，分析功率 MOSFET 管的失效是發(fā)生在開通的過程中,，還是發(fā)生在關(guān)斷的過程中，從而為設(shè)計(jì)工程師提供一些依據(jù)，來找到系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一些問題,，提高電子系統(tǒng)的可靠性,。

　　1、過電壓和過電流測試電路

　　過電壓測試的電路圖如圖 1(a)所示,，選用 40V 的功率 MOSFET：AON6240,，DFN5*6 的封裝。其中,，所加的電源為 60V,，使用開關(guān)來控制，將 60V 的電壓直接加到 AON6240 的 D 和 S 極,，熔絲用來保護(hù)測試系統(tǒng),，功率 MOSFET 損壞后，將電源斷開,。測試樣品數(shù)量：5 片,。

　　過電流測試的電路圖如圖 2(b)所示，選用 40V 的功率 MOSFET：AON6240,，DFN5*6 的封裝,。首先合上開關(guān) A，用 20V 的電源給大電容充電,，電容 C 的容值：15mF,，然后斷開開關(guān) A，合上開關(guān) B,，將電容 C 的電壓加到功率 MOSFET 的 D 和 S 極,，使用信號發(fā)生器產(chǎn)生一個電壓幅值為 4V、持續(xù)時間為 1 秒的單脈沖,，加到功率 MOSFET 的 G 極,。測試樣品數(shù)量：5 片。

　　2,、過電壓和過電流失效損壞

　　將過電壓和過電流測試損壞的功率 MOSFET 去除外面的塑料外殼,，對露出的硅片正面失效損壞的形態(tài)的圖片，分別如圖 2(a)和圖 2(b)所示,。

　　從圖 2(a)可以看到：過電壓的失效形態(tài)是在硅片中間的某一個位置產(chǎn)生一個擊穿小孔洞,，通常稱為熱點(diǎn)，其產(chǎn)生的原因就是因?yàn)檫^壓而產(chǎn)生雪崩擊穿,，在過壓時,，通常導(dǎo)致功率 MOSFET 內(nèi)部寄生三極管的導(dǎo)通[1]，由于三極管具有負(fù)溫度系數(shù)特性,，當(dāng)局部流過三極管的電流越大時,，溫度越高,，而溫度越高，流過此局部區(qū)域的電流就越大,，從而導(dǎo)致功率 MOSFET 內(nèi)部形成局部的熱點(diǎn)而損壞,。

　　硅片中間區(qū)域是散熱條件最差的位置，也是最容易產(chǎn)生熱點(diǎn)的地方,，可以看到,，上圖中，擊穿小孔洞即熱點(diǎn),，正好都位于硅片的中間區(qū)域,。

　　在過流損壞的條件下，圖 2(b )的可以看到：所有的損壞位置都是發(fā)生的 S 極,，而且比較靠近 G 極,，因?yàn)殡娙莸哪芰糠烹娦纬纱箅娏鳎苛鬟^功率 MOSFET,，所有的電流全部要匯集中 S 極,，這樣，S 極附近產(chǎn)生電流 集中,，因此溫度最高,，也最容易產(chǎn)生損壞。

　　注意到,，在功率 MOSFET 內(nèi)部,，是由許多單元并聯(lián)形成的,，如圖 3(a)所示,，其等效的電路圖如圖 3(b )所示，在開通過程中,，離 G 極近地區(qū)域,，VGS 的電壓越高，因此區(qū)域的單元流過電流越大,，因此在瞬態(tài)開通過程承擔(dān)更大的電流,，這樣，離 G 極近的 S 極區(qū)域,，溫度更高,，更容易因過流產(chǎn)生損壞。

　　3,、過電壓和過電流混合失效損壞

　　在實(shí)際應(yīng)用中,，單一的過電流和過電流的損壞通常很少發(fā)生，更多的損壞是發(fā)生過流后,，由于系統(tǒng)的過流保護(hù)電路工作,，將功率 MOSFET 關(guān)斷,，這樣，在關(guān)斷的過程中,，發(fā)生過壓即雪崩,。從圖 4 可以看到功率 MOSFET 先過流，然后進(jìn)入雪崩發(fā)生過壓的損壞形態(tài),。

　　圖 4：過流后再過壓損壞形態(tài)

　　可以看到,，和上面過流損壞形式類似，它們也發(fā)生在靠近 S 極的地方,，同時,，也有因?yàn)檫^壓產(chǎn)生的擊穿的洞坑，而損壞的位置遠(yuǎn)離 S 極,，和上面的分析類似,，在關(guān)斷的過程，距離 G 極越遠(yuǎn)的位置,，在瞬態(tài)關(guān)斷過程中,，VGS 的電壓越高，承擔(dān)電流也越大,，因此更容易發(fā)生損壞,。

　　4、線性區(qū)大電流失效損壞

　　在電池充放電保護(hù)電路板上,，通常,，負(fù)載發(fā)生短線或過流電，保護(hù)電路將關(guān)斷功率 MOSFET,，以免電池產(chǎn)生過放電,。但是，和通常短路或過流保護(hù)快速關(guān)斷方式不同,，功率 MOSFET 以非常慢的速度關(guān)斷,，如下圖 5 所示，功率 MOSFET 的 G 極通過一個 1M 的電阻,，緩慢關(guān)斷,。從 VGS 波形上看到，米勒平臺的時間高達(dá) 5ms,。米勒平臺期間,，功率 MOSFET 工作在放大狀態(tài)，即線性區(qū),。

　　功率 MOSFET 工作開始工作的電流為 10A,，使用器件為 AO4488，失效的形態(tài)如圖 5(c)所示,。當(dāng)功率 MOSFET 工作在線性區(qū)時,，它是負(fù)溫度系數(shù)[2],，局部單元區(qū)域發(fā)生過流時，同樣會產(chǎn)生局部熱點(diǎn),，溫度越高,，電流越大，導(dǎo)致溫度更一步增加,，然后過熱損壞,。可以看出,，其損壞的熱點(diǎn)的面積較大,，是因?yàn)榇藚^(qū)域過一定時間的熱量的積累。

　　另外,，破位的位置離 G 極較遠(yuǎn),，損壞同樣發(fā)生的關(guān)斷的過程，破位的位置在中間區(qū)域,，同樣,，也是散熱條件最差的區(qū)域。

　　在功率 MOSFET 內(nèi)部,，局部性能弱的單元,，封裝的形式和工藝，都會對破位的位置產(chǎn)生影響,。

　　一些電子系統(tǒng)在起動的過程中,，芯片的 VCC 電源，也是功率 MOSFET 管的驅(qū)動電源建立比較慢,，如在照明中,，使用 PFC 的電感繞組給 PWM 控制芯片供電，這樣,，在起動的過程中,，功率 MOSFET 由于驅(qū)動電壓不足,，容易進(jìn)入線性區(qū)工作,。在進(jìn)行動態(tài)老化測試的時候，功率 MOSFET 不斷的進(jìn)入線性區(qū)工作,，工作一段時間后,，就會形成局部熱點(diǎn)而損壞。

　　使用 AOT5N50 作測試,，G 極加 5V 的驅(qū)動電壓,，做開關(guān)機(jī)的重復(fù)測試，電流 ID=3,，工作頻率 8Hz 重復(fù) 450 次后,，器件損壞,，波形和失效圖片如圖 6(b)和(c)所示?？梢钥吹?，器件形成局部熱點(diǎn)，而且離 G 極比較近,，因此,，器件是在開通過程中，由于長時間工作線性區(qū)產(chǎn)生的損壞,。

　　圖 6(a)是器件 AOT5N50 應(yīng)用于日光燈電子鎮(zhèn)流器的 PFC 電路,，系統(tǒng)在動態(tài)老化測試過程生產(chǎn)失效的圖片，而且測試實(shí)際的電路,，在起動過程中,，MOSFET 實(shí)際驅(qū)動電壓只有 5V 左右，MOSFET 相當(dāng)于有很長的一段時間工作在線性區(qū),，失效形態(tài)和圖 6(b)相同,。

　　5、結(jié)論

　?。?）功率 MOSFET 單一的過電壓損壞形態(tài)通常是在中間散熱較差的區(qū)域產(chǎn)生一個局部的熱點(diǎn),，而單一的過電流的損壞位置通常是在電流集中的靠近 S 極的區(qū)域。實(shí)際應(yīng)用中,，通常先發(fā)生過流,，短路保護(hù) MOSFET 關(guān)斷后，又經(jīng)歷雪崩過壓的復(fù)合損壞形態(tài),。

　?。?）損壞位置距離 G 極近，開通過程中損壞的幾率更大,；損壞位置距離 G 極遠(yuǎn),，關(guān)斷開通過程中損壞幾率更大。

　?。?）功率 MOSFET 在線性區(qū)工作時,，產(chǎn)生的失效形態(tài)也是局部的熱點(diǎn)，熱量的累積影響損壞熱點(diǎn)洞坑的大小,。

　?。?）散熱條件是決定失效損壞發(fā)生位置的重要因素，芯片的封裝類型及封裝工藝影響芯片的散熱條件,。另外,，芯片生產(chǎn)工藝產(chǎn)生單元性能不一致而形成性能較差的單元，也會影響到損壞的位置,。